碳化硅晶片相关论文
采用微纳米力学测试系统对6H-SiC单晶片开展了不同速率和不同晶向的划痕试验,对划痕的摩擦系数、划痕切削深度以及表面三维形貌进......
碳化硅晶片具有晶相完整性好、缺陷少、对环境污染小等特点,是理想的碳化硅晶须替代材料.采用旋转式氧化脱炭炉这一新设备对碳化硅......
经Al+注入的4H-SiC(0001)晶片需要采用高温退火来消除晶格损伤以及激活离子,为了保护高温退火过程中的4H-SiC表面、抑制其粗糙度的......
本文分析了高分辨X射线衍射的原理,计算了X射线在SiC材料中的穿透深度,通过对6H-SiC(0001)晶片不同加工后摇摆曲线及表面AFM的表征......
碳化硅作为新一代高效节能半导体衬底材料,其表面必须得到高质量抛光才能应用,本文针对现有抛光方法效率低、有污染、损伤大等问题......
近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品面世。据报道,该碳化硅项目由是山东天岳研制而成的。中国电子材料行业......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
密歇根州米德兰市-全球有机硅及宽带隙半导体技术领先企业道康宁公司,近日推出全新碳化硅(SiC)晶体分级结构,为碳化硅晶体创立了行......
日经新闻报导指出,鉴于全球半导体产业掀起碳化硅晶片潮流,日本电子业亦积极发展碳化硅晶片科技,并已运用于多项领域。预估日本国......
一、前言碳化硅(SiC)是一种新型的半导体材料。碳化硅与硅、锗及其他低温半导体材料相比,具有耐高温性能,已制成的碳化硅器件可以......
航空航天工业的发展对极端环境下应用的结构材料提出了更高的要求。硼化锆(ZrB2)由于其自身的诸多优点,如高熔点、低密度、高热导......
优势产业初步形成rn《兵团建设》:去年召开的兵团党委六届六次全委(扩大)会议上,自治区党委书记张春贤指出,“十二五”期间兵团要......
采用细粒度砂轮的纳米磨削来实现碳化硅晶片高平整度和低损伤加工新方法.磨削试验表明采用纳米磨削50.8 mm碳化硅晶片时其平整度在......
讨论了碳化硅晶片的倒角工艺，主要包括晶片边缘倒角的基本原理，晶片倒角的目的以及晶片边缘粗糙度的影响。采用500#磨料粒度的砂轮对......
随着生产工艺提高以及价格的下降,碳化硅晶片正有可能全面替代硅,而成为今后半导体产业的首选。 俄亥俄州克里夫兰,美国宇......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
无限多样、纷繁复杂、千变万化的物质世界有多种形态存在,有固态、液态、气态还有超固态和离子态等。半导体材料的发现可以追溯到1......
<正>碳化硅半导体(这里指4H-Si C)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与Ga N晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新......
目的研发一种高精高效单晶碳化硅表面抛光技术。方法采用电磁场励磁的大抛光模磁流变抛光方法加工单晶碳化硅,利用自制的电磁铁励......
