薄膜制备相关论文
在真空环境中进行原子级别的薄膜生长，基板的表面温度监控是关键技术之一。针对不同尺寸的基板，通过热电偶测试基板近旁的温度和红外......
采用溶胶凝胶法和浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）光学薄膜，利用紫外分光光度计测量了薄膜的透射谱，通过光度法计算薄膜的透射光......
螺旋波等离子体因其具有低气压、等离子体密度高、电离率高的特点,在等离子体刻蚀、薄膜制备、集成电路、材料表面改性等领域得到......
随着以柔性能源、柔性显示、柔性传感为代表的柔性电子产业迅猛发展,其中核心部件之一柔性透明导电薄膜的高质量制造成为一个关键......
基于观察瞄准镜系统中胶合目镜对滤光片的使用需求,设计了一种用于瞄准镜光学系统的截止滤光片,消除了滤光片的半波孔,压缩了通带......
激光化学气相沉积技术(LCVD)相较于传统化学气相沉积技术具有低沉积温度、高膜层纯度、高沉积效率等特点,在各类功能薄膜材料制备......
对阴离子表面活性剂传感器聚合物敏感膜种类及其组成比例筛选，确定了增塑剂为磷酸三甲酚酯含量占55﹪～75﹪，电活性物质为十六烷基三甲基溴......
本文采用了沉积纳米陶瓷薄膜的一种新方法——燃烧化学沉积法.其特点是将配制好的初始液体雾化,让该液雾穿过高温火焰流体.初始液......
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si......
利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及......
本文对甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）技术制备氢化微晶硅薄膜（μc-Si:H）的弱硼掺杂补偿特性进行了研究。实验发现：随着弱......
采用可溶性无机盐为原料,利用溶胶-凝胶法分别在AlO和Si(111)/SiOTi/Pt的衬底材料上制备了SrBiTaO铁电薄膜.通过SEM及XRD等微观分......
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上成功地制备了透明的TiO薄膜.在保持Ar气和O气流量比固定的前提下,研究了溅射总压强对薄膜结构与......
采用光辅助金属有机化合物气相沉积方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。实验结果表明光辅助的引入对ZnO薄膜的特性具有很大的影响......
硒硫化锑[Sb2(S,Se)3]是一种新兴太阳能电池光吸收材料,其带隙随着S/Se比例的变化可以在1.1-1.8eV范围调节,且具有较高的光吸收系......
利用双辉光放电技术以氢气为溅射／放电气体,钨为溅射靶,在铜表面沉积钨-钨镀层的晶体结构采用XRD来表征,w/Cu薄膜的截面由金相显微......
本文以聚丙烯酸(PAA)为整合剂，醋酸镍为镍源合成溶胶，采用旋转涂布技术并结合热处理工艺制备NiO薄膜，考察了溶胶粘度对薄膜表面形貌的......
本文使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置，以H_2-CH_4为气源，就高功率条件下CH_4浓度对金刚石膜的生长速率和品质的影响规律进行了......
本文提出了一种在室温条件下制备结晶TiO2介孔薄膜的简便方法。首先采用含有罗丹明B的TiO2纳米晶溶胶通过浸渍提拉制备结晶TiO2薄......
牺牲层工艺是通过腐蚀或刻蚀牺牲层来制造悬空的梁、膜或空腔结构的技术，广泛应用于MEMS器件与其读出电路的单片集成。可以作为牺牲......
通过磁控溅射复合沉积方法在钛合金基体上制备了不同表面能和粗糙度的薄膜.主要研究了元素掺杂的DLC薄膜和具有仿生表面形貌的Cu膜......
会议
详细讨论离子束增强沉积IBED技术的原理、技术优势和在薄膜生长中的应用。采用IBED在Si衬底上制备出了非晶态Al-N薄膜。结果发现，IB......
超声喷雾热解技术和低温等离子体轰击表面改性是制备高阻透明SnO单层膜及低阻/高阻SnO复合膜的有效手段.所沉积的薄膜用于CdTe太阳......
采用真空离子束溅射反应沉积技术在不同N压强下制备了一组CN薄膜.研究这种薄膜的暗电导和在卤素光光源照射下的亮电导、响应时间等......
CuInSe(简称CIS)薄膜材料作为太阳电池的吸收层,以其高效、高稳定性、低价等特点,具有重要的应用前景.本文应用了DSC、XRD和ICAP研......
本文介绍了利用真空化合法合成的碲化镉(CdTe)材料制备的CdTe薄膜的结构,电学,光学性能的分析研究结果.将离子注入技术引进到CdTe......
以多晶硅片为衬底,在快热化学气相沉积(RTCVD)设备上,通过外延生长的方式制得多晶硅薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)等......
本文报道以导电玻璃为衬底,采用热壁外延方法,制备GaAs多晶薄膜材料.采用电子探针(EPMA)测定薄膜的组分、表面与剖面形貌,x射线衍......
三元化合物半导体CuInS,由于具有与太阳光谱非常匹配的宽直接带隙(1.55eV),而成为优良的高效薄膜太阳电池吸收层材料.本文报道采用......
本实验利用电沉积的方法制备CuS薄膜.研究了不同的络合剂,不同的硫源及不同的热处理温度对电沉积制备CuS薄膜性质的影响.研究发现:......
CuInS薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳能电池材料.为了用化学水浴法制备CuInS薄膜,本文研究了化学水浴法制备CuS薄膜,用SEM、XRD、ED......
在制备硫化镉薄膜的过程中,为了减少CBD法中胶体颗粒,我们改进了CBD法的装置,使用了超声搅拌.制备了硫化镉薄膜,并对它进行了退火......
本文阐述了管式SOFC电解质薄膜的制备方法,其中包括电化学气相沉积、等离子喷涂、注浆成型法、浸渍涂布法、电泳沉积法,比较了各种......
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石衬底上生长MgZnO合金薄膜.c轴取向的MgZnO薄膜在600-630·温度下沉积.通过X射线......
氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发......
本文用化学电共沉积法制备出GaAs多晶薄膜,并用该薄膜制备出肖特基势垒,对其制作工艺及有关问题进行了讨论和分析.......
本文报道了在高温下采用LPCVD方法制备低应力,高透光率氮化硅薄膜的工艺过程.获得的薄膜在低应力,高透光率,以及成品率和重复性方......
纳米材料是九十年代发展起来的一种新兴材料，由于其粒度小、比表面积大、反应活性强等原因，引起气敏工作者的广泛兴趣。研究发现，纳米......
会议
本研究利用磁过滤金属蒸汽真空弧(MEVVA)沉积设备制备无氢非晶金刚石薄膜,开展了不同衬底材料对非晶金刚石薄膜的制备及性能的影响......
ZnO:Al薄膜的电学和光学特性与溅射时的氧含量和衬底温度有关，本文以2％的Al 掺杂的Zn（纯度99.99％）金属材料作靶，采用中频磁控溅射技术研......
以Ti(Bu)为原料,采用溶胶-凝胶法在AlO基片上制备TiO纳米薄膜.考察了不同溶胶浓度和基片表面形貌对膜结构及TiO晶粒形貌的影响.结......
利用中频交流磁控溅射方法采用氧化锌铝(98﹪ZnO+2﹪AlO)陶瓷靶材制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,考察了基体温度和工作气压对ZAO薄膜的晶体结......
介绍了近几年业溶胶-凝胶制备BaTiO系薄膜的发展状况,侧重于稳定溶胶的配制.总结了原料、溶剂、鳌合剂等选用对于溶胶配制的影响.......
采用硫酸铜点滴、盐水浸泡试验、线性极化和交流阻抗等试验对比研究了经硅烷化处理和磷化处理后A3钢的耐蚀性能。结果表明，经硅烷化......
在做完底电极的玻璃上,在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽.用XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结......
复合膜(复合基质薄膜)是将无机物分散相与聚合物连续相连接成的一种具有气体分离性能的薄膜技术，它巧妙地结合了无机物的高孔隙率(M......
