闪锌矿结构相关论文
氮化镓（GaN）是Ⅲ—Ⅴ族宽禁带半导体材料,拥有热导率高,化学性质稳定以及抗辐射能力强等优势,有望大规模应用于微波功率器件、蓝色光......
以巯基乙酸为稳定剂,在水溶液中加热CdCl2，HgCl2和NaHTe的混合物直接合成CdHgTe 合金量子点.依颗粒大小和成分的不同,量子点的发射......
本文对不同离焦条件普通200 kV LaB6灯丝电镜(点分辨本领0.194 nm)A1Sb/GaAs(001)界面(样品厚度为0.4 nm)高分辨模拟像，进行解......
绪言: 众所周知,在晶体上施加外力时,其电导率变化的性质为压电电阻效应。在实用方面,其有用的特性大体上都可以从金钢石或者闪锌......
本文用Ｔ．Ｂ－Ｒｏｃｕｒｓｉｏｎ方法计算了化合物半导体ＣｄＳｅ和ＺｎＳｅ的状态密度曲线，求出了费米能级和带隙，与实验结果符合得很好
This article uses T. The B-Rocursi......
用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的......
采用LMTO能带从头计算方法，计算了闪锌矿（立方）结构AIN和GaN的静态性质；用平均键能方法，预言了AlN与GaN自由应变生长、以AlN为衬底和以G......
本文用ＬＭＴＯ能带从头计算方法和局域密度泛函理论，计算了闪锌矿和纤锌矿两种不同结构ＧａＮ晶体的静态性质：平衡晶格常数ａ，体模量Ｂ，体模量的压强微商......
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以......
我们采用ＭＯＣＶＤ外延技术首次在ＧａＡｓ（１００）和（１１１）衬底上成功地生长了ＭｇＳｅ单层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术观察到了它的ＮａＣｌ结构、纤锌矿结构和闪锌矿结构三种相结构，并首......
用电子回旋共振微波等离子体辅助金属有机化学气相沉积（ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ）法，在低温条件下，在（００１）ＧａＡｓ衬底上异质外延，生长了立方晶ＧａＮ薄膜．高分辩电镜（ＨＲＥＭ）观测与Ｘ射线衍射......
采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分......
对A~ⅡB~Ⅵ型化合物热液再结晶作用及其结晶形态的研究,从解释热液硫化物矿床成矿作用的规律性角度出发,应予以高度的重视。 另一......
采用密度泛函理论的定域密度和一般梯度近似,研究了Si3P45个相的结构、电子和弹性性质.考虑的Si3P4结构包括分别具有空间群P63/ m,......
立方氮化硼(简称CBN)是靠超高压——高温技术人工合成的一种新型无机超硬材料,其结构与金刚石类似,呈闪锌矿结构。它具有略逊于金......
立方氮化硼(简称CBN)是靠超高压一高温技术人工合成的一种新型无机超硬材料,其结构与金钢石类似,呈闪锌矿结构。它具有略逊于金钢......
利用数值计算研究近邻原子质量和作用力常数均不同的一维链中的非线性局域模，该模型模拟闪锌矿结构晶体中〈１１１〉方向一列原子的非线性......
在紧束缚近似下发展了一种新的计算方法 ,计算了闪锌矿结构CdS量子点的电子结构 ,并与有效质量近似作了比较 .这种计算方法比较简......
内蒙古大井矿床中产出一种奇特的闪锌矿斑点结构 ,闪锌矿斑点包裹于黄铁矿中 ,通过显微镜研究和电子探针分析 ,认为该闪锌矿斑点属......
随着对电子器件的各项要求越来越高,具有高自旋极化率的自旋电子学器件早已引起了人们的关注。自旋电子学与传统半导体电子学的根......
纳米材料是一个迅速发展的研究领域,不仅是因为性能新颖的材料不断地被开发,还因为可以通过调整合成方案能够精确地控制纳米材料的......
考察了采用均相沉淀法制备单分散ZnS和CdS纳米微粒时,溶液中SO2-4、NO-3和Cl-对粉末晶型的影响。结果表明,SO2-4、NO-3和Cl-对ZnS......
以醋酸锌和硫代硫酸钠为原料,十六烷基三甲基溴化铵(cetyltrimethyl ammonium bromide,CTAB)为表面活性剂,低温简单水热法合成了Zn......
纳米GaAs颗粒通过射频磁控共溅法成功地被镶嵌在SiO_2薄膜中.通过不同基片温度下沉积的薄膜的Raman光谱观察到了明显的声子限域效......
从实验和理论方面研究了闪锌矿结构ＺｎＳｅ（１００）表面电子结构，讨论了ＺｎＳｅ（１００）无再构无弛豫理想表面及其ｃ（２×２）非二聚和二聚再构表面的结构稳定性，从中得到ＺｎＳｅ（１００）非二......
利用数值计算研究了近邻原子质量和作用力常数均不同的一维链中的非线性表面局域模,该模型模拟闪锌矿结构晶体中〈111〉方向一列表......
本文概述了半导体表面及界面原子几何结构的现代测定方法,论述了具有闪锌矿结构的复合半导体(110)面上表面结构与化学键的关系。以......
采用乙腈为溶剂的喷涂工艺制备晶粒尺寸约为35nm的CuI薄膜。研究乙腈溶液中碘掺杂浓度对CuI薄膜结构、形貌和光学性能的影响。XRD......
采用原子集团展开和平均键能相结合的方法．研究了宽带隙高温半导体、合金型应变居异质界面Ｃ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）、ＢＮ／ＢＮｘＣ２（１－ｘ）和生长在ＢＮｘＣ２（１－ｘ）合金衬底上的Ｃ／ＢＮ应变层异质结的价......
利用选区电子衍射及明暗场电子衍射成像技术，在Ｍｎ＋注入ＧａＡｓ及随后退火的样品表层发现有二十面体准晶颗粒形成．能谱及电子能量损失谱分析表明......
以配位四面体为结构单元的锌化合物晶体有闪锌矿和纤锌矿两种结构．从负离子配位多面体生长基元模型出发，结合水热制备实验，通过生长基......
采用真空蒸发技术在玻璃衬底上制备了Sb掺杂的CdTe薄膜,薄膜为沿(111)晶向择优生长的立方闪锌矿结构的CdTe,结果表明Sb掺杂使得薄......
对ＧａｘＡｌｙＩｎ１－ｘ－ｙＮ四元合金材料进行了第一原理的虚晶近似计算．分别计算了在两种不同晶体结构，即纤锌矿结构和闪锌矿结构下的合金电子结构，特别是能隙......
拉曼光谱和拉曼图象分析一般是非破坏性分析技术 ,它可用于鉴定矿物和宝石。拉曼光谱分析是灵敏度高的方法 ,它只需要少量的代表性......
半导体晶片的制备一般采用湿磨膏机械抛光、腐蚀的方法,或者用化学机械抛光法。本文叙述一种新的干法技术,用以抛光闪锌矿结构的......
在0～42kbar范围内测量了CdTe的吸收边随流体静压力的漂移。在33～35kbar之间,观察到一个结构相变,在此后直到42kbar范围内,在5800～250......
一、前言半导体SiC在热、化学、机械等方面是一种非常稳定的物质,正在进一步研制作为高温、高输出功率用的电子材料。SiC具有很大......
本文以金刚石和闪锌矿结构半导体中的杂化键作为基函数,建立了一套将原子键函数按照晶格对称性分类以及组成对称化函数的系统方法.......
从气相中热还原BBr_3和PCI_3,已经在硅衬底上外延生成1.0厘米~2×30微米大的单磷化硼的单晶层。 生长在{111}面上的层是闪锌矿结构......
