量子阱相关论文
In组分渐变InGaN/GaN量子阱结构可以有效解决因晶格失配所带来的LED发光效率降低的问题。本文采用Silvaco软件建立了In组分渐变量......
在一个具有隧穿感应量子干涉的非对称双量子阱中，设计一种可操控的空间涡旋四波混频方案.通过调谐探测场的失谐和耦合场及涡旋场的R......
GaN半导体为直接带隙半导体材料,且具备禁带宽度宽、击穿电压大和饱和电子漂移速度高等特性,非常适用于半导体发光器件和高频大功......
近年来,由于GaN基蓝光激光二极管具有效率高、价格低、寿命长等特点广泛应用于激光打印、激光测量、激光显示和照明、激光探测等领......
电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点，在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高，电吸收调制激光器也不断被优化。文章......
本文设计了一种P型的GaN/AlGaN量子阱紫外-红外双色集成光电探测器结构，该结构工作在室温、零偏压下。先使用SilvacoTCAD软件对其进......
本论文综合应用了一些具体的量子化学计算方法，对当前的几个热点问题进行了研究。并对可能的交叉学科和方向的研究工作的开展作了必......
近年来,GaN基绿光激光二极管的光电性能取得了很大的改善,在激光打印、激光测量、激光显示、激光照明以及通信等领域有着重要的应......
带间级联激光器有源区内部的物理机制复杂,尚未得到充分研究.优化了电子注入区结构,通过减小InAs/AlSb啁啾超晶格中InAs量子阱的厚......
新型的共振隧穿二极管（Resonant Tunneling Diode）由于其具有低功耗、高速以及特殊的I-V曲线特性,让其在振荡电路、逻辑器件、无线通......
“强光光学”或通常所称的“非线性光学”作为一门新兴学科，它着重研究激光技术出现后，人们通过强相干光与物质之间的相互作用而陆续......
低维半导体物理作为现代半导体物理以及凝聚态物理的重要组成部分之一，其蕴藏着丰富的科学内涵.它的主要研究对象是对于各种低维半......
本论文的主要工作是把光子晶体概念引入多孔硅材料研究中，提出通过制备多孔硅光子晶体结构实现光局域，以实现多孔硅光放大。在此基础......
半极性（11（?）2）面AlGaN材料作为深紫外发光二极管（UV-LED）有源区材料可以有效抑制传统c面AlGaN的量子限制斯托克斯效应（QCSE）,而AlGaN纳米......
有机-无机杂化卤素钙钛矿具有出色的带隙连续可调、可溶液加工等优点,是新一代高性能半导体材料,基于此材料的太阳电池光电转化效......
半导体激光器作为光电子科技的核心技术,受到各国科技界和产业界的高度重视.芯片是半导体激光器的核心技术之一,在逆全球化、中美......
氮化物发光二极管（Light emitting diodes,.LED）在21世纪初取得了重大的突破,在通用照明领域取得了广泛应用,并逐渐取代白炽灯和日光......
量子计算机能够快速地实现并行运算,其数据处理速度远超电子计算机。然而目前量子计算机只能在低温环境下运行,因此低温与室温间的......
自从2012年能级弥散概念和分数维度电子态系理论提出以来,关于能级弥散效应的进一步实验验证和分数维度电子态系理论在相关光电子......
通过对GaN基发光二极管(LED)的阻挡层和量子势垒结构的设计研究,发现具有锯齿形的电子阻挡层(EBL)和齿形InGaN/GaN势垒的GaN基发光......
研究分子束外延(MBE)生长的应变InGaAs/GaAs折射率梯度变化异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.结果表明,RTA移除了In......
使用GaAs/AlGaAs量子阱和InGaAs/AlGaAs应变量子阱在国内率先研制出了双色同像素结构的中波/长波量子阱红外探测器及160×128元中......
蓝宝石衬底上生长的InGaN多量子阱激光器列阵研制成功。该激光器列阵有4个脊形发光区。用IBE刻蚀的方法形成,每个脊形的宽度为8μm......
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在G......
在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/G......
会议
目前半导体激光器功率转换效率低下,通过改变波导层限制层铝组分以及波导层厚度等方面的外延结构,可以降低串联电阻和工作电压,从......
面向量子器件实用化和集成化的发展趋势,基于半导体量子点的全固态器件方案是实现单光子源的理想选择.在这方面,国际上有很多研究......
提高三结GaAsP/GaAs/Ge量子阱太阳能电池转换效率的关键在于使3个子电池的电流达到匹配。将量子阱结构引入到三结电池的中间子电池......
本文设计了一种特定波长(540nm)具有非对称量子垒的InGaN 量子阱(QW)，通过数值模拟，得到量子阱区域的能带图、电子电流分布以及输出......
发展高Al成分的紫外和近紫外半导体芯片符合资源节省、高能密度、高显色性白光要求以及发展独立知识产权和可持续发展的LED全生命......
为了提高IV-VI族中红外激光器的工作温度,本文采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe /Pb1-xSrxTe......
从理论上研究缓冲层的厚度和特性对多量子阱材料(GaAs/Ga1-xAlxAs)中的共振态的影响,利用界面响应理论的格林函数方法,计算了局域......
采用发射波长为980nm的InGaAs/GaAs应变量子阱，在垂直腔面发射结构中共设计生长3组、每组3个量子阱，形成9个量子阱的周期性增益结构，......
采用MBE生长了非均匀结构InGaAs/GaAs QWIP(X=0.28),室温下观测到明显的共振隧穿效应,本文探讨了它的成因,并由此提出了高量子效率......
外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿......
从弹性连续模型入手，根据胡克定律和牛顿第二定律，利用有限差分法给出局域声学声子振动的本征方程，从而计算纤锌矿AlxGa1-xN/GaN 有限......
太赫兹(Terahertz,THz)波的探测及其成像应用是THz 技术发展的重要领域.THz 探测器是诸多THz应用系统的关键器件之一.基于量子阱内......
测量了50 余只980nm InGaAsP/InGaAs/GaAlAs 双量子阱半导体激光器的低频噪声。结果发现，在小注入条件下，有的器件表现出很明显的g-r......
由于ZnO 缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO 有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致其他因素,例如：阱和右垒的尺寸,Mg 组分大小等将影响......
