腐蚀工艺相关论文
中海油深水多相流动动态腐蚀评价系统是国内首个工业级别的高温高压腐蚀评价系统,本文以深水多相流动动态腐蚀评价系统为背景,介绍......
介绍了动态被动阀微泵的工作原理及其特点,在研究中利用有限元方法及相关工具对其结构进行分析设计,在加工工艺中提出了二次腐蚀工......
本文介绍了真空微电子器件场发射阴极硅尖阵列的制备工艺技术。采用硅的各向异性腐蚀工艺和氧化削尖技术制成了形状和发射性能均较......
一、概述QBD成品率的研究对超薄氧化层的质量评价至关重要，它是MOS电路可靠性的保证。本文的研究对象为Z0nm超薄氧化层的QBD。其中2......
测出了电子回旋共振和反应离子腐蚀条件下暴露在氩等离子体下的InN,In_(0.5)Ga_(0.5)N 和 In_(0.5)Al_(0.5)N 层的导电率随射频功......
窄禁带、含Ｈｇ 的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大，蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发，......
在半导体生产管理中,成品率管理至关重要。生产中的其它管理均围绕成品率而运作。成品率—性能决定了产品的性能—价格比,决定了产......
开发了用于投影显示的Lu3 + ,Ga3 + 双掺杂的Ce,Tb∶YAG单晶绿色发光屏 ,但这种发光屏的外发光效率相对较低。一种截顶圆锥结构可......
NanoSciences公司(位于美国康涅狄格州的Oxford)的研究人员,成功地开发了一种核心微加工工艺技术。可以在半导体材料上加工出深宽......
据《Semiconductor FPD World》2002年Vol.21,No.7上报道,韩国标准科学研究院开发出利用激光白炽法(LII)测量在半导体制造等离子......
用离子腐蚀工艺可使塑料件粘接接头强度显著提高,因离子处理产生密集的“茅草”状结构(即微小尖顶),这种结构能在塑料表面上得到......
在铝电解电容器的生产过程中,用来腐蚀阳极铝箔的手工腐蚀工艺具有简单易行、投资少、见效快、耗酸量少、对环境污染较轻等优点。......
在制作印制板的过程中,印制腐蚀工艺完成后,会遇到一些问题,如、铜泊条之间不该连结的地方被连接了(搭桥),即出现了短路故障。这里......
本文是一篇生产实践的总结。其中包括长感应同步器生产的热加工工艺、机加工工艺、表面处理工艺、粘接工艺和复制腐蚀工艺等,即包......
本文综述了游标卡尺刻度的各种加工工艺,有一定的实用价值,可供参考。
This article summarizes the Vernier caliper scale of v......
研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发......
分析了炼油厂“一脱三注”防腐蚀工艺的现状及存在的问题,对新型中和缓蚀剂BC—951、液体脱Ca~(2+)剂的工业应用进行了总结.
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PIN光探测器是光纤通信系统和网络中的关键器件。量子效率和响应带宽是衡量光探测器性能的重要指标,并且这两个参数都与器件的吸收......
铝及铝合金砂面阳极氧化是目前一种较流行的表面处理方法 ,它具有覆盖色泽均匀、装饰性优良、附着力强和防护性好等优点。试验发现......
本文针对 InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管(High electron mobility transistors, HEMTs)提出了一种结合高选择性湿法腐蚀......
无锡电容器厂是一个生产钽、铌、铝电解电容器的专业工厂,创建于1958年,现有职工2,600人,年产量1.8亿只,产品在国内市场有一定声......
1993年4月9～13日,在北京国际会议中心,中国电子工业科技交流中心,中国电子工程设计院,机电部电子新材料办公室联合主办了第三届电......
游标卡尺是目前使用最多的一种量具,为了解决工作中的急需,各地有机械加工能力和有量修经验的厂矿都设法自行制造。但卡尺的刻线......
在自由式微结构如束、振动膜和过载传感器的制造过程中，经常遇到的一个难题是分离开粘连在衬底上的微结构。这种现象出现在牺牲腐蚀......
应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、失重法和电化学方法,研究了硬态铝箔和软态铝箔的成分差别及其腐蚀行为.结果表明,硬态......
本文对LG3铝箔组织结构与交流腐蚀后比电容量的关系进行了研究。结果表明,淬火过饱和空位浓度、立方织构体积分数和杂质的存在状态......
热工设备防腐方法 目前,主要采用两种防止热工设备腐蚀工艺。其原理都是按规定剂量将水合联氨注入载热剂中,在这些情况下,设备的......
真空抗蚀氮化防腐蚀油管生产线日前在胜利油田金岛实业公司胜岛石油机械厂试产成功。该项目填补了我国石油机械行业的空白 ,标志着......
本文介绍采用钼—多晶硅工艺的256K动态RAM。发展了包括电子束直接描绘和干法腐蚀工艺的1微米工艺技术。此外,利用作在同一片子上......
利用腐蚀V形槽,以最好的隔离介质——空气来填满的垂直各向异性腐蚀工艺(V-ATE)节省隔离间隙;结果得到1024位双极型随机存取存贮器......
射频反应溅射Si_3N_4薄膜的光学和电学性质,与制备条件有密切的关系.对Si_3n_4膜的折射率、红外吸收带、相对介电常数、淀积速率和......
引言 在薄膜混合电路的制造中,通常采用Ta或NiCr作为电阻材料。这些材料由于受到500Ω/□的方电阻率的限制,制作高阻值电阻就比较......
在MMST规划中，为得到期望的快周期、低成本的硅片加工工艺，大多数腐蚀工艺是在TI（德克萨斯仪器公司）设计和建造的先进的真空反应设备上......
在表面栅和埋栅结构的基础上 ,提出了一种制造静电感应晶体管的新型结构 ,平面型埋栅结构 .用普通的平面工艺实现了具有高击穿电压......
美国E.T.设备公司(位于纽约州Hauppauge)提供的600系列等离子腐蚀系统,是一种成盒送片单块加工的等离子腐蚀系统。它采用三种新近......
等离子腐蚀和射频电场内的低温消失,在半导体工艺和生产中,有了许多用途。其优点是在生产过程中可以保持干燥,而毋需使用“湿”的......
一、硅的等离体及低温工艺的必要性 低温和等离子体工艺现在成为LSI技术中很引人注目的技术。它们可以为LSI提供一个有力的工艺手......
用PbS和PbS_(1-x)Se_x制作优质p-n结二极管必须采用使表面既光滑、无损伤又没有膜层的腐蚀剂。资料[1～4]中报导的腐蚀工艺,不是使......
在1972年度国际固体电路会议,日本日立中心研究实验室发表的 ECL 电路如图所示。这个电路已获得0.4毫微秒的延时,典型的原始电路......
日电东芝情报系统,是日本超大规模集成电路研究机构之一。它采用全干法腐蚀1微米工艺试制成功了1K位静态RAM,这一研究结果已在今......
