阈电压相关论文
在目前CMOS器件研制中,由于采用离子注入工艺,使阈电压的调整变的简单易行。在栅氧化膜形成后,通过薄的栅氧化层进行沟道区域注入,......
亚微米埋沟pMOSFET的阈电压模型 ,该模型考虑了热电子发射等短沟道效应 .只要对模型中的符号作相应改变 ,则可作为nMOSFET的模型
......
比较了CC4007电路栅介质中注F'和未注F'的NMOS晶体管在不同偏置辐照和不同环境退火的行为,结果表明,栅介质中F'的引入......
本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件（CMOS）CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管......
研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有......
为了实验精确测屡场效应管的X射线剂量增强系数，介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置，以及实验测量的详细过程......
通过对P沟道MOS场效应管IRF9530和N沟道MOS场效应管IRF540N的X射线和钴源γ射线的辐照对比研究,发现两种场效应管阈值电压变化随吸......
以强锚定条件下扭曲向列相液晶的三类弗雷德里克兹转变为基础,研究了一种液晶分子在扭曲和旋转共同作用下的弗雷德里克兹转变。通......
