声子伴线相关论文
用液封坩埚下降（ＬＥ－ＶＢ）法沿〈１００〉晶向成功地生长了非掺杂ＩｎＰ单晶．ＬＥ－ＶＢ晶体的４．２Ｋ光致发光谱包含束缚于中性浅受主上的激子发光、与Ｚｎ受主相关的施主－受主（ＤＡ）对......
用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅｐｎ结构．由电子束感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子阱为发光层的......
在室温下测试了 Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～ 3.1% )混晶的喇曼散射谱 .在一级喇曼散射谱中观测到了 Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁......
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的......
研究了不同气氛下(空气、氧气和氮气)248nm准分子激光辐照对ZnO薄膜光致发光谱和电学性质的影响;采用高斯线形对不同气氛下激光辐......
采用皮秒量级的超快速光谱技术，分析了混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ材料发光瞬态过程．结果证实了材料随组份变化，从间接带到直接带（ｘｃ＝０．４５Ｋ，７７Ｋ）转变的带增强效应．对ＮＸ发光带......
本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ（１－ｘ）Ｐｘ∶Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究．在低温下，选择激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ∶Ｎ低温发光谱中类似......
采用选择激发的实验手段，在混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ∶Ｎ（ｘ＝０．８８）的光致发光谱中观察到ＮＮ１对束缚激子发光的声子伴线．通过荧光谱线窄化效应，在发光谱中得到与ＧａＰ∶Ｎ低温光致......
我们在0～31kbar的单轴应力下,看到在77K下NN_1线由一个峰分成为两个峰。在77K下,一般都没有观察到NN_2峰,我们通过单轴应力下的光......
半绝缘GaAs单晶是制备多种半导体器件的衬底材料,在外延生长等工艺条件下受热后往往产生一低阻表面层,伴随着电阻率变化还会有表......
近来硒化锌引起了许多研究者的注意。硒化锌在300°K有2.7eV的宽禁带,且有很高的发光量子效率,冈此有可能用它制造可见光谱区域的......
研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位......
利用高分辨的傅里叶光谱仪测量了InP:Fe在低温下(10K-20K)的红外吸收特性.在3100—3130cm~(-1)的波段范围内发现了一组新的红外吸......
包括深中心发光在内的MOCVD-InP的低温光致发光光谱,表明了非故意掺杂外延层较高的纯度,初步判別了可能引入的杂质,并证明了电学测......
本文用4.2K光致发光研究了LEC GaAs的热感生缺陷.热退火时样品分别为无包封,包封或用一个未掺杂的SI-GaAs片覆盖.退火温度为650-85......
本实验室用分子束外延的硅锗多量子讲样品在低温下观察到了带边激子的光致发光及其LO声子伴线，样品种类有单量子讲、多星子讲和不对......
本文研究了ZnO微米棒的变温光谱和压力光谱.室温下ZnO的光致发光谱由位于3.0 eV处的UV带和位于2.4 eV处的绿光带组成.低温下UV带呈......
用激发光谱和选择激发光致发光光谱法监测了在液氦温度下ZnSxSe1-x光致发光光谱中观察到的一些缚得激子谱线。这些谱线是由Ⅰdeep......
本文采用荧光窄化技术，对低组分的ＧａＡｓ１－ｘＰ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）混晶材料中Ｎｘ束缚激子的声子伴线进行了研究，在低温下，造反激发Ｎｘ带时，我们得到了与ＧａＰ：Ｎ低温发光谱中类似的声......
本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光（PL）中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度......
通过GaP1—xNx(x＝0.05％-3．1％)混晶的低温光致发光(PL)谱，探讨了N在不同组分GaNxP1-x混晶的发光特性中所起的作用．在低组分(x＝0．05％-0.81％)下，G......
