激射相关论文
1月10日星期日晴头号坏蛋热,真热。这是一年中最热的夏天,一天中最热的中午,在浮冰上站了一会儿岗,我全身就被热辣辣的太阳晒得冒......
研究了在超音速F-F_2-IF气流与NH_3气流中通过化学反应与碰撞传能产生IF(B~(3Π_0~+))的过程。用光学多通道分析仪在450-750nm范围......
在澳门的妈阁庙对面,一座具有现代特色的建筑物傍海而立,玻璃幕墙的红框勾画出银白色的建筑主体;门前一泓清澈的喷水池,水中间树......
利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在......
对半导体激光器的非线性失真进行了理论分析．得出了计算二阶失真和三阶失真的理论公式．实验验证了理论结果，并发现国产ＤＨ－ＧａＡｌＡｓ半导体激光器的......
研制成功了弱调Ｑ及强调Ｑ两种三端１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔激光器，其Ｐ／Ｉ特性分别呈二极管激射特性和吸收型双稳特性。两种激光器均实现了室温连续（直流）工......
蓝色激光器和发光二极管国际学术讨论会述评１引言＂蓝色激光器和发光二极管国际学术讨论会（ＩＳＢＬＬＥＤ）１９９６年３月５日～７日在日本千业大学召开。来自世界各地......
一种电流控制型二端及三端ＭＱＷ（多量子阱）ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双区共腔双稳／非线性增益开关激光器业已研制成功，文中报道了部分结果．
A current controlled two......
采用Ｎ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ激光器和ＤＦＢ激光器在国内已报导过多次，本文介绍用Ｐ－ＩｎＰ衬底研制ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ平面埋层异质结构（ＰＦＢＨ）激光器和ＤＦＢ－ＰＦＢＨ激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖......
报导了由选择氧化法研制的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ垂直腔面发射激光器，ＤＢＲ中的ＡｌＡｓ经选择氧化形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层，器件的最低阈值电流为３．８ｍＡ，输出功......
测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射......
本文论述了具有透明波导结构的量子阱半导体激光器及其光集成技术的其本原理及主要优点。尤其在实现高功率窄光束输出的光集成器件......
当主持G．R．Harrison光谱实验室的M．Feld告诉我他们已制成一台单原子激光器时，我心存疑惑。听了KgungwonAn──在此完成博士论文的一位......
利用压缩比例（ｃｏｍｐｒｅｓｉｂｌｅｓｃａｌｉｎｇ）方法模拟了三喷管型连续波ＨＦ化学激光器的喷管流场和光腔流场，研究了气体组分质量流量对激光器性能的影响，给出了光腔流场......
介绍了研制的单量子阱半导体激光器（ＳＱＷＨＬ）的基本结构及能带图．为了理论分析的方便，采用有效质量方法进行了理论分析和计算．其中，将超晶格的一......
报道了用纳米制作技术，实现了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ环型微腔激光器．激光器的直径为３μｍ～２０μｍ，环的宽度为０．４μｍ～３μｍ，环的厚度为１９０ｎｍ．其激射峰值波长为１４０３ｎｍ．
Reported the use of ......
从全量子理论出发，比较深入地分析了在Ⅱ类半导体量子阱中实现无反转增益过程的物理机制，量子阱层导带Γ－能谷和势垒层导带Ｘ－能谷混合形......
为了得到噪声性能优良的增益锁定掺铒光纤放大器，提出利用掺铒光纤放大器噪声指数曲线在浅饱和区有一凹陷的特性以及强激光功率对放......
通过速率方程分析微腔激光器稳态、瞬态特性，发现在增强自发发射因子的微腔激光器，加速了载流子的积累，促进了激光输出，随着注入电流的......
对十年来光电子集成技术的发展作了简要的回顾。着重介绍了近年来兴起的一种新颖的集成技术─-异质半导体直接键合技术的工艺和特......
文中评述封离式射频CO2激光器的发展和应用，介绍世界上两家著名公司生产的此类产品。
Commenting on the development and applica......
一块难得的橡胶,经季温烘料,加上优质底板,千锤百炼,使成真金。注入美丽的汗水,终成世间的利刀。锻炼愈深,力量愈韧,磨砺愈细,锋......
从理论上分析了作为垂直腔面发射半导体激光器反馈面的异质多层结构对光腔中激光传输振荡过程的影响．指出其相位匹配和等效反射面位......
[遭遇]墓道幽黑阴冷,手电的光线在黑暗的笼罩下,只能照亮身前一米左右的范围。我小心翼翼地走了半天,忽然感觉有些不对劲儿:一直在......
1900年普朗克开创了量子力学,从数学上证明了物质辐射能量是以一份一份的,即量子。1905年在普朗克理论的基础上,爱因斯坦认为光是......
近年来，随着宽禁带Ⅱ－Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展［１］，对ＺｎＳｅ基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究［２，３］，同时对电场调制下的ＺｎＳｅ基超晶格......
基于物理近似模型和以Ｎａｖｉｅｒ－Ｓｔｏｋｅｓ方程求解为中心的数值计算，研究了氧碘化学激光器（ＣＯＩＬ）激光性能随一些相关运行参量的变化规律，这些结果将对器件运行......
设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管......
垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）是一种新型的量子阱激光器．由于它的出光方向垂直于衬底、激射阈值电流低、光场分布是圆形的、很容......
本文提出一种可在垂直腔面发射激光器外延生长后准确确定其模式生长偏差的简便方法．利用选择性湿法腐蚀，分别测出器件各主要部分的微......
对多量子垒（ＭＱＢ）的有效垒高与结构上的关系进行了理论研究。讨论了ＭＱＢ有效垒高与阱宽及垒宽的关系，发现随阱宽的增加，ＭＱＢ有效垒高表现出振荡特性......
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单......
视外腔半导体激光器的场为统一场，直接由内、外腔场的传播方程、边界条件出发，建立了平面外腔半导体激光器的瞬态模型。数值模拟的结......
本文实验表明，在若丹明６Ｇ染料溶液存在二氧化钛微晶团聚体形成的聚集体时，染料溶液的激射阈值比纯净的染料溶液的激射阈值降低２０多倍。激......
报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为......
研制了１．５５μｍ 波段低偏振灵敏度的半导体光放大器（ＳＯＡ）．其有源区材料采用张应变和压应变交替排列的混合应变量子阱结构，由ＭＯＣＶＤ生长．张应变量子阱加......
甲醇（ＣＨ３ＯＨ）分子是常用的ＦＩＲ激活介质，具有很特别的光谱特征．而小型光泵脉冲亚毫米波激光器是近年才发展起来的新技术，作者已经成功地研制出管长......
重点研究了聚（９－丁基芴）的光致发光谱线窄化特性．以不同接收方式均得到多模发射．通过激发态寿命的测量和分析，分辨出谱线窄化的不同微观机......
宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料中，铍（Ｂｅ）的硫属化物如ＢｅＴｅ、ＢｅＳｅ 和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ 有好的晶格匹配。......
