射频功率相关论文
射频电感耦合等离子体(ICP)在实际放电过程中,线圈的构型、电源参数、气压等外部工质条件的变化均会对结果产生较大影响,依靠实验......
采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)成功地制备了硬质类金刚石薄膜.对沉积获得的类金刚石膜进行努氏显微硬度测量及傅......
我们使用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的方法在玻璃衬底上制备了用于太阳能电池的多晶硅薄膜.通过对其Raman谱的分析得出不......
深空通信与地面通信有着巨大差别,本文从深空通信的特点、难点切入,重点介绍了深空通信新技术中的空间通信平台、高带宽效率数字调......
荷兰埃因霍温,2018年6月5日讯——易用性以及在不同频率下的设计再利用这两种特性以往与射频功率解决方案毫不相干,但这种情况现在......
采用微波辅助消解样品,建立了轴向观测电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法同时测定方便面中Na、Mg、Al、K、Ca、Mn、Fe、Cu、Zn......
将乙酸溶液加入到清洗后的不锈钢食具容器中,加热至沸腾30min后冷却,及时补充乙酸溶液至原来的体积,在室温下浸泡约24h,之后应用原......
利用等离子体聚合技术制备的GDP壳层是目前ICF靶丸的主要烧蚀层材料。为了了解GDP薄膜沉积过程中的CH等离子体的状态,采用朗缪尔探......
建立了测定食用花椒籽油中无机组成元素含量的分析方法。选择煤油为溶剂溶解食用花椒油样品后采用电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法......
本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H......
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作......
一、前言十多年前，我们从美国LFE公司引进了一台铬版等离子刻蚀机，它采用的主要刻蚀气体是三氯乙烯。作为设备的一个附件，三氯乙烯罐......
本文介绍一种由旋转驱动转台带动四个溅射蚀刻靶的系统。利用这种系统，可通过射频或直流溅射法在不同基片上沉积出连续的薄膜与厚膜......
类金刚石膜制备技术及在红外元件上的应用李福升，赵强，洪伟（航天工业总公司八三五八所天津３００１９２）类金刚石膜是一种性能极其优异的红外涂层材......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法、湿法腐蚀的机理、腐蚀方法、影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异质结晶体管中的应用
The mechanism of dry and......
采用ＯＭＡ－４０００测量了ＳｉＨ_４射频辉光放电等离子体的光发射谱，研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。结果表明：在放电射频功......
射频功率为50～500W（1．56MHz）、气压为1．3～13．3Pa的氩和四氟化碳放电气氛中，测量了阻抗、直流自编压和峰－峰电压。测量结果表明，这种放电可以......
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子......
介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。
The principle and method of fabrication of binar......
南京电子器件研究所已研制成ＷＺＢ０８１２型、ＷＺＢ１２１８型两种型号的的数字调谐振荡器，其基本参数如下：参 数ＷＺＢ０８１２ＷＺＢ１２１８频率范围（最小）／ＧＨｚ８～１２１２～１８数字调谐位数／ｂｉｔ１２射频功率 输出（最......
Philips Semiconductors的新系列LDMOS射频功率MOSFET与硅二极晶体管相比,其增益较高,偏置较简易,互调失真较低,带宽也宽了不少。......
本文介绍了平板显示器制造过程中真空设备的应用，其中介绍了液晶制造过程中所应用的溅射成膜工艺和设备，以及低温多晶硅ＴＦＴ的成膜技术。......
用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频......
利用射频磁控反应溅射法，以Ar、CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随......
本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射......
从理论上分析了 a- Si∶ H薄膜晶体管 ( TFT)有源层—— a- Si∶H薄膜的光电特性、厚度及淀积均匀性、稳定性、重复性对 TFT工作性......
利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄......
采用磁增强反应离子刻蚀（ＭＥＲＩＥ）工艺获得了铁电ＰｂＺｒ０５３Ｔｉ０４７Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜的微细图形．研究了用ＣＨＦ３ 气体在不同射频功率和气体流量下ＰＺＴ薄膜、Ｐｔ和ＡＺ１４５０Ｊ光刻胶的刻蚀速率以......
给出了射频板条CO2激光器α型放电集总参数等效电路模型．计算了谐振放电状态下集总参数电路方程，得到了沿激光器电极长度方向上的电......
研究了用反应离子刻蚀技术制作Ｇｅ材料微透镜列阵的工艺过程及影响透镜列阵质量的因素，总结出“小功率、中气流、掺氧气”的优化工艺特......
提出了射频（RF）激励CO2激光器功率传输中阻抗匹配的研究结果，推导出了一般π形匹配网络中调节元件参数的解析表达式，理论分析与实验结......
采用OMA - 4 0 0 0测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱 ,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系。发......
本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Ｓｅｆｆ，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计方法。作为应用实例......
惠普公司(现在称安捷伦科技公司)曾经提供一种有用的小纸板计算尺,用来测量由于VSWR(电压驻波比)失配而引起的射频测量的不确定性......
本机是我台1998年由法国进口的全固态电视发射机,其说明书比较简略,对各电路部没有做详细说明。本人根据原理图分析出这部分的工......
介绍了针对影响微波脉冲功率器件可靠性的热性能问题,应用红外热分析技术,对比探测微波脉冲功率器件在动态和直流状态下的温度分布......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过......
飞思卡尔日前推出了超高效的射频功率晶体管MRF6P3300H,这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。 M......
本文主要通过对 PECVD 淀积 SiO_2膜的工艺原理和各工艺参数对长膜速率、致密性的影响的分析,并通过具体的工艺试验,最终得出了运......
在295K下,测定了周萘自由基的特殊~1H-TRIPLE谱,探讨了选择抽运频率对摄录此类特殊TRIPLE谱成败的影响.
The specific ~ 1H-TRIPL......
采用了等离子体增强化学气相沉积法(Plasma-EnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)在聚酰亚胺(Polyimide,PI)牺牲层上生长氮化硅......
