栅氧化层相关论文
功率半导体器件栅极氧化层退化对功率器件的正常运行产生严重影响,不同偏置应力导致栅氧化层退化形式不同,故栅氧化层的状态监测研......
SiC MOSFET是电力电子器件的重要发展方向。但由于SiC MOSFET的界面处存在较高的界面态密度,导致器件的沟道迁移率较低,导通电阻较......
介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件.该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿......
借助ISE软件,以调试后各参数性能优良的图形化SOI LDMOS器件为仿真平台,研究并分析了栅氧化层厚度,漂移区浓度,沟道浓度,SOI层厚度......
基于蒙卡软件Geant4,选择和添加原子碰撞物理过程,设置模型中的参数,模拟输运粒子与晶格原子之间的屏蔽库仑散射。计算1Mev质子不同厚......
NEC为1GDRAM开发最小的存储单元日本NEC公司已为1GbDRAM开发了世界上最小的DRAM存储单元─0.375μm2。这种单元与在ISSCC95'上宣布的用在1GbDRAM样品的单元有所不同,这种0.375μm2的单元技......
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。
The WS......
本文利用具有氮氧化物栅介质的NMOS、PMOS和CMOS集成电路研究氮氧化物栅的抗γ总剂量性能,结果表明氮氧化物多层栅介质有比纯SiO2更好的抗辐射性能。......
分析研究了不同偏置辐照和退火条件下,P沟和N沟MOSFET的漏电流变化特性。结果表明,PMOSFET的辐射感生漏电流与栅偏压的依赖关系类似于辐照陷阱电荷的......
首次采用椭偏光谱仪检测HF缓冲溶液(BHF)处理的Si(111)表面在空气中的化学稳定性.研究表明:随着Si暴露在空气中时间的增长,Si的赝介电常数虚部ε2的E2临界点......
对注FMOSFET和CC4007电路进行了60Co-γ辐照和退火行为的分析研究,结果表明:栅介质中F的引入,能明显减小CC4007电路辐射感生阈电压的漂......
本文研究一种“反程序”辐射加固工艺,将所有的高温处理过程放在栅氧化之前,并使栅氧化后续工艺低温化,在此基础上,采用“反程序”辐射......
介绍了新型功率器件MCT的基本特点与结构。利用开发出的MCT计算机辅助设计软件,模拟MCT的静态、动态特性,优化了MCT的结构参数。根据......
对当前MOS器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述.还对MOS器件的热载流子效应的参数提取进行了讨论
Two kind......
本文利用薄膜双栅SOI器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似,得到一个通用的薄膜双栅SOI器件电流模型.数值模拟结果与实验值吻合较好.文中特......
公开号 CN1188817A 申请人 MEMC电子材料有限公司 地址 美国密苏里州 一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅厚度的......
在硅集成电路进一步缩小尺寸的过程中,将会遇到一些困难;其中的一项是栅氧化层的厚度,从目前情况来看出现了问题得以解决的苗头。......
采用线性近似的方法,对MOS器件中的沟道水平加速电场及栅氧化层中的垂直电场进行了研究,给出了一种较精确的简便计算方法.在该电场模型的......
本文应用“幸运电子”概念,取代平均电场热载流子模型[1],利用二维数值计算的方法,建立起一组热载流子向栅氧化层注入的注入电流和栅电流......
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效沟道长度、栅氧厚度、源漏结深、衬底掺杂浓度以及电源电压对深......
对亚微米及深亚微米常规和轻掺杂漏(LDD)MOSFET性能进行研究。制作出常规及LDD深亚微米MOSFET。数值模拟和实测发现,对于深亚微米常规NMOSFET,只要设计适当,可在关......
本文采用绝大多数模拟器中已有模型的器件建立EEPROM 单元器件的等效电路的模型,利用本模型对EEPROM 单元的擦、写、读进行了任意组合的瞬态模拟......
研究了沟长从 0 .5 2 5 μm到 1.0 2 5 μm9nm厚的 P- MOSFETs在关态应力 ( Vgs=0 ,Vds...
通过对栅电流和栅电压漂移的测量 ,证明了均匀 FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布 .不同厚度的栅氧化层产生 SIL C的机制不......
对热载流子导致的 SIMOX衬底上的部分耗尽 SOI NMOSFET’s的栅氧化层击穿进行了系统研究 .对三种典型的热载流子应力条件造成的器......
介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法。讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响。结果表明 ,对......
量测平台的复杂性和光学原理上的局限性制约着测量系统的应用,直到真空紫外光谱反射仪的出现,这种状况才得到改变。为了控制漏电流......
通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅......
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP......
为明确深亚微米NMOS器件抗辐照能力以及研究其加固措施,本文对0.18μm窄沟NMOS晶体管进行了60Coγ总剂量辐射效应研究.结果表明:和......
在CMOS集成器的使用过程中,容易在输入端出现破坏性电压,为保护电路不易损坏,需要在电路前端添加保护电路。根据CMOS集成器的输入......
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
在MOS器件制造的初期,发现经加温和电场的作用后,器件的阀值电压会发生漂移,实验证明这是栅氧化层中(?)污了钠离子。正是磷硅玻璃......
据《国际半导体》(英)杂志1995年第8期报道,由ICE公司微电子实验室(ICE,苏格兰、亚利桑)的分析表明,早期主要的64MbDRAM是采用0.35μm工艺......
1.引言 近年来,多晶硅薄膜已越来越广泛地应用于半导体器件。在大规模MOS集成电路中,具有重要地位。其原因在于: (1)多晶硅薄膜作......
我们已经观察了窄沟NMOS晶体管的增强辐射灵敏度。辐射导致的阈值漂移随沟道宽度在4μm以下减少而迅速增加。例如,同是4.5μm沟道......
本文讲述一种采用电测试来评估MOS LSI电路工艺的方法。因为器件的主要性能参数如阈值电压、放大系数等可以由工艺参数(如栅长、栅......
A J5960—A 型离子注入机注磷技术研究一、引言J5960-A 型离子注入机是4503厂早期生产的60keV 离子注入机,其生产厂家和用户至今......