金属层相关论文
本文旨在研究中层顶金属层的行为特征和变化规律背后蕴藏的物理机制,重点研究了中层顶金属物质的源——流星消融——对金属层的潜......
整合API RP 17B规范提出的海洋非黏结柔性软管9种常见失效模式,对国内外柔性软管金属层6种常见失效模式的研究进展进行较为详细的......
得益于技术的进步,SiC MOSFET器件中的体二极管可靠性有极大的提升,并在部分领域和模块中取代了续流二极管.文章基于浪涌电流试验,......
对某含肋结构天线罩进行了电性能设计，考虑了强度和刚度的实际情况，在天线罩的局部区域设计了金属层，天线的总增益提高了1.3dB，降低了......
采用SHS/QP工艺制备了TiB-Fe叠层材料,确定了能成功制备叠层材料的陶瓷/金属层厚度比.电子探针分析表明,制备过程中陶瓷层中的Ti向......
荧光生物芯片是基于荧光探测在基底表面实现对蛋白质等生物探测目标定量、快速检测的微型传感器,在临床诊断和病理分析等领域有着......
利用传输矩阵理论,分析了含金属层的一维光子晶体对太阳光谱的吸收特性。通过对一维光子晶体透射谱、反射谱和吸收谱的分析,分别研......
本文介绍了一种用于测定金属(钢)中吸收氢的量及其形态的灵敏的方法。该方法是以电化学法测定析氢速率为基础的。对受扩散控制的析......
前言塑料电镀是在塑料件表面上电镀一层金属的工艺过程。塑料件上电镀了一层金属,不仅使塑料件具有金属的特性,而且也改善了塑料......
由于非晶态合金具有许多优异的物理性能和化学性能,在材料科学领域内,受到科学家们越来越多的关注。尤其是对有重要发展前途的铁......
由乌克兰科学院巴顿电焊研究所研制的离心电渣熔铸法是生产重要异形铸件的有前途的方法之一。离心电渣熔铸的实质在于:用电渣渣壳......
本文介绍了利用热喷涂技术对玻璃钢表面进行的金属热喷涂试验。试验表明:玻璃钢表面热喷涂金属后,可获得满意的金属表面装饰效果和......
目前已开发成功的塑料金属化方法有十余种,各种方法都在实践中不断完善,分别成为新型,独立的科学技术。本文介绍阴极溅射和离子镀......
多晶和复材料中,形变过程可能发生在晶内或者可能是晶界滑移造成的。检测晶粒形貌的变化,可以给出解释和选择塑性形变微观机制的......
The plane-wave expansion(PWE) method is employed to calculate the photonic band structures of metal/dielectric(M/D) peri......
在激光共振电离质谱(LRIMS)分析过程中,样品的原子化是非常重要的,它直接决定了生成原子的数量和质量,对激光共振电离质谱测量的探......
用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接......
美国Xilinx成立于1984年,其逻辑密度及门阵列方面的突破性设计,有助于缩短产品推出市场的时间,因此声名大噪。翌年,Xilinx
Found......
本文提出一种分析金属覆盖渐变折射率光波导在截止点附近的光学特性微扰近似方法,并仔细地讨论了金属覆盖指数折射宰光波导在截止......
１９９６年展望硅微电子技术发展趋势（续）北京微电子技术研究所（北京１０００７６）许忠义，白丁４．１．３金属导体层金属导体包括Ａｌ（掺Ｃｕ３％）、Ｗ、Ｃｕ。当ＴｉＮ淀积后，一般用ＣＶＤＷ填充接触孔或通......
提出一种金属半导体金属Ｓｃｈｏｔｋｙ结构的粒子探测器．它用高迁移率、半绝缘的ⅢＶ族化合物半导体ＧａＡｓ为材料制成大面积（９ｍｍ２）的粒子探测器．经过能量为......
本文从对准系统与对准过程、提高型整片对准计算、激光步进对准测量系统、以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介......
多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双......
利用陶瓷－金属封接技术，通过对封接结构的合理调整，消除了封接应力对可靠性的影响，实现了一种大腔体微波管壳的制作，并成功地将之应用于......
采用角度扫描衰减全反射（ＡＴＲ）技术，对银金属膜包覆的ＤＲ－１／ＰＭＭＡ型有机聚合物波导的色散特性进行了实验研究，从各波长下衰减全反射共振吸收峰的位置和......
在许多研究工作着重于多孔硅(PS)的发光机制和提高电致发光效率的同时,多孔硅接触结构问题也受到人们的关注,认为多孔硅众多的表面......
弹道电子发射显微术（ＢＥＥＭ）能够对金属／半导体等界面体系进行直接、实时及无损的探测，并且具有纳米级空间分辨率．文章介绍了ＢＥＥＭ的基本原理、关键......
以功率晶体管ＢＵ４０６管芯为例采用背面多层电极工艺，大大提高了器件的抗热疲劳性、稳定性和可靠性。产品合格率和间歇工作寿命均达到了国内......
阐述了激光模压彩虹全息图的制作原理及工艺，叙述了制作模压彩虹全息图的三个主要过程，即激光摄制原版全息图、电铸成型制金属模板及......
IBM微电子公司(位于美国纽约州的East Fishkill)成功地开发了一种高性能的芯片载体,命名为HPCC;它可以满足互联网路由器,集线器,......
当在波导管壁上加一层钛镀膜微波吸收体（铁氧体ＴＴ２—１１１）时，有电阻的金属层将会改变空间的电磁场分布，并且影响微波吸收体内信号的衰减，使信号......
公开号 ＣＮ１２０４２７２Ａ 申请人 恩索恩ＯＭＩ公司 地址 美国康涅狄格州 本文涉及一种制造集成电路晶片的方法，其中晶片中具有通道或其它通路......
一、从芯片光刻说起 本世纪八、九十年代以来,计算机的迅速发展带动了科技、工业、通讯和陆海空交通、航天、医疗卫生、能源环保、......
利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成，结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用，形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层......
为了增强ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ在ＡＳＩＣ应用中的竞争力，ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ制造商一直在不断提高器件的规模和速度，同时力求降低器件的功耗和价格。由于ＦＰＧＡ／ＣＰＬＤ在这些方面获得的进步，与ＡＳＩＣ相比......
现在，人们已经具有能制造出为电子仪器行业所利用的越来越小的结构的能力，这种能力使物理学家能够去研究电子被约束在大大缩小了的容......
硅技术的极限＠ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ硅技术的极限ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ晶体管的发明已有５０年的历史。这种技术发展到今天，能在几个平方厘米的单个硅芯片上装有多达１０亿个晶体管，该技......
T-Lam体系是一种高导热性印制电路板或基材。该板或基材是由层压金属和介质层构成的。该T-Lam体系从T-Preg介质层派生,它的唯一性......
深入探讨了标准晶片级电迁移加速试验方法 ( SWEAT试验方法 )的试验原理、试验系统的建立、试验步骤及试验结果的分析等 ,并将在实......
介绍了电力电子模块的关键绝缘材料——铜-陶瓷共晶键合基板的技术(DCB技术)及其应用。
This paper introduces the technology o......
Zetex 公司(位于纽约州的Hauppauge)推出了一种新的制造高速双极型模拟集成电路的新工艺技术,并且正用它来生产音响与视频信号处理......
