刻蚀速率相关论文
熔石英光学元件因为其良好的光学性能和机械性能在高功率激光系统中得到了广泛的应用。然而,在355nm激光作用于光学元件后,熔石英......
为避免深硅刻蚀工艺所引起的扇贝纹效应，同时减少其工艺气体所带来的温室效应，本文将新一代环保电子刻蚀气C4F6引入硅刻蚀工艺，采用刻......
期刊
作为21世纪被密切关注和广泛研究的硅材料,可以通过具有成本低、工艺流程简单、生长参数易控制等优点的金属催化化学刻蚀方法被加......
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高......
晶圆级封装键合环金属化过程中,铜和钛种子层通常采用两步湿法刻蚀工艺去除.该工艺分两步进行,成本高,且效率低,因此有必要探究新......
人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实......
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀......
基于4H-SiC材料的微机电系统（MEMS）器件（如压力传感器、微波功率半导体器件等）在制造过程中，需要利用干法刻蚀技术对4H-SiC材料进行微加......
在不同氪(Kr)离子束参数下,研究了微波回旋共振离子源对旋转蓝宝石样片表面的刻蚀效果。采用四因素三水平正交实验,分析了Kr
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使用微波回旋共振离子源制备蓝宝石(A向)自组织纳米结构, 研究不同入射角度下Kr 离子束刻蚀蓝宝石表面形成的自组织纳米结构及其形......
利用RIE技术实施光刻胶图形到衬底上的转移，分析刻蚀气氛、刻蚀功率等对氮化硅薄膜刻蚀的影响.实验结果表明，刻蚀气体采用CHF3，刻蚀RJ......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
对薄膜晶体管(TFT)像素区域的非晶Si(a-Si)进行刻蚀是TFT-LCD行业的主要工艺之一,通常在电容耦合射频真空放电设备中采用Cl2和SF6......
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的......
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作......
首次在等离子体状态下将正丁胺单体聚合成聚正丁胺薄膜，这种聚合反应可在一定工艺范围内发生。由元素分析的结果发现，在聚合反应过程......
我们用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）方法在ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）衬底上生长了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜，并以此作为掩模，制备了台阶衬底．ＳＥＭ分析表明，制备的台阶衬底具有陡直的台阶角度（大于......
采用ＫｒＦ准分子激光对ＳｒＴｉＯ３和Ａｌ２Ｏ３陶瓷进行刻蚀。给出了刻蚀速率与激光能量密度的关系，并对实验结果进行了分析。
SrTiO3 and Al2O3 ceramics we......
采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．
Ferroelectric thin films......
讨论了制作大面阵矩底拱面状微透镜阵列的工艺条件，给出了氩离子束刻蚀制作红外焦平面用面阵微透镜的离子束刻蚀速率的经验关系式，通......
本文介绍了一种全干法二步刻蚀制造高发射效率的场发射阵列（ＦｉｅｌｄＥｍｉｔｔｅｒＡｒｒａｒｙ－ＦＥＡ）的方法。首先利用等离子刻蚀（ＰｌａｓｍａＥｔｃｈｉｎｇ－ＰＥ）的各向同性在由ＳｉＯ２掩模的硅衬底上刻出平顶尖锥......
研究了用反应离子刻蚀技术制作Ｇｅ材料微透镜列阵的工艺过程及影响透镜列阵质量的因素，总结出“小功率、中气流、掺氧气”的优化工艺特......
采用典型的半导体光刻工艺用ＢＨＦ／ＨＮＯ３溶液成功地刻蚀了ＰＺＴ（５２／４８）薄膜。研究了薄膜的微观结构对微图形的制作精度的影响。结果表明，在薄膜中晶粒团聚区......
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影......
为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行......
1 简介 现在各种产业对衍射、折射式和混合式的微小光学器件有着强烈的需求。随着这一领域的快速发展 ,已为微小光学元件的制......
微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，C......
介绍了等离子体刻蚀中的三种主要的数学模型 ,即 :物理模型、反应表面模型、神经网络模型。简要地叙述了它们的原理和优缺点。
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干法刻铝中 ,BCl3添加 Cl2 、CHCl3和 N2 ,可改变 Al的刻蚀速率、Al对 Si O2 和胶的选择性、线宽和胶膜质量 ,其中 Cl2 流量影响最......
在概述微机电系统刻蚀工艺模拟研究进展的基础上,讨论了微表面反应模型法、单元自动控制法、基于刻蚀速率数据库的三维各向异性刻......
等离子体化学发展二十多年来,在化学的许多领域里取得了重大进展。由于等离子体化学反应有许多优于普通化学反应的特点,所以引起......
针对光刻胶刻蚀过程模拟,提出了一种新的2-D动态元胞自动机(CA)算法。算法既有稳定性好的优点,又有运算速度快的优点。采用一些公......
硅基二氧化硅光波导是光通信中的关键器件.采用光刻胶以及金属作为掩膜进行了反应离子刻蚀二氧化硅光波导的工艺研究,获得了刻蚀速......
研究了背照式ZnO焦平面成像阵列制作的刻蚀工艺.该ZnO焦平面阵列为128×128阵列,每个单元面积为25μm×25μm,对该阵列的刻蚀结果......
基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证。研究了......
应用材料公司发布了基于Applied Centura~(?)Silvia~(TM)刻蚀系统的最新硅通孔刻蚀技术。新的等离子源可将硅刻蚀速率提高40%,快速......
利用感应耦合等离子体(ICP)进行了InSb刻蚀研究。为了实现高的刻蚀速率同时保证光滑的刻蚀表面,研究中在CH4/H2/Ar气氛中引入了Cl2......
基于Lam 4420反应离子刻蚀(RIE)设备和Cl2气体开发了适用于沟槽栅IGBT的深槽等离子刻蚀工艺。通过调整HBr、O2和SF6等添加气体含量......
优化原位腔清洗工艺可延长清洗之间Al刻蚀腔加工时间(MTBC),不损伤清洗腔内部,同时也保持了合理的产额。Cl/O2能非常有效地去除碳......
多层介质膜光栅是高功率激光系统的关键光学元件.为了满足国内强激光系统的迫切需求,首先利用考夫曼型离子束刻蚀机开展了HfO2顶层......
随着微电子产业的不断发展,刻蚀特征尺度达到纳米级,等离子体刻蚀工艺过程机理研究越来越受到重视.刻蚀表面仿真是研究离子刻蚀特......
介绍了用于SiC器件浅槽制作的ICP-RIE刻蚀原理,选用Cl2/Ar混合气体对SiC材料进行浅槽刻蚀,研究了ICP功率和RIE功率对刻蚀速率、刻......
