刻蚀相关论文
近年来人们对储能设备的需求加大，超级电容器因其优异的性能而受到研究者青睐。二维过渡MXenes材料是一种类似于石墨烯的二维片层材......
阐述在14nm FinFET及以下工艺，由于器件需要，较多制程刻蚀后关键尺寸为22nm。DUV光刻工艺关键尺寸的极限38nm左右。探讨在形成最终的......
为了探索对基于不同衬底的透明导电薄膜的图形化制作，研究了采用激光刻蚀基于玻璃和柔性PET衬底的ITO和FTO等TCO薄膜材料的优化工艺......
本文设计并制备了一款分辨率为1 920×1 080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP（Inductively Coupled Plasma）刻蚀的方法完成电流......
AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料。为了高效率高质量制备AlN晶体衬底，设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体，借助激光共聚焦显......
癌症现在依旧是致死率最高的疾病之一,普及肿瘤标志物的检测能够及早发现肿瘤,提高肿瘤的治愈率。现在肿瘤检测的主要场所是大型医......
相变存储器（PCM）由于其操作功耗低、读写速度快、非易失性、高密度、以及与CMOS工艺兼容等优点,被认为是最有潜力的下一代存储器之一......
正渗透技术因具有能耗低、膜污染小、水回收率高等优点受到越来越多的关注,在水处理、发电、食品和制药等领域具有良好的应用前景......
二维材料是指一类由单层或少层原子或分子层组成的,在一个维度上尺寸减小到极限的纳米材料,伴随着2004年石墨烯通过机械剥离法被成......
电子束曝光技术是制备纳米精细结构的关键技术,在纳米科学研究、微纳原型器件制备、生物医学等领域具有广泛的应用。本论文以电子......
β-Ga2O3是一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿电压以及良好的巴利加优值,禁带宽度高达4.8eV。在大功率器件领域有良好的应用前景,......
镁合金的腐蚀是以电化学腐蚀为主,因此防止水分子的进入可有效提高镁合金的耐蚀性能。低表面能和粗糙结构是构建超疏水表面的两个......
在MEMS加工制造过程中,低温等离子体刻蚀技术在刻蚀工艺中占有重要地位。按等离子体源的不同,等离子体刻蚀可以分为容性耦合等离子......
紫外激光刻蚀单晶硅片时,热传导作用和等离子热效应等多种作用机理共同决定刻蚀效果,热传导作用导致材料的熔化和气化,等离子体热......
随着电子器件不断微型化,电子学领域的发展面临着越来越严峻的挑战。开发性质优于传统硅基半导体材料的下一代新型低维半导体材料......
晶圆级封装键合环金属化过程中,铜和钛种子层通常采用两步湿法刻蚀工艺去除.该工艺分两步进行,成本高,且效率低,因此有必要探究新......
晶硅基底的反射系数较高，使得入射光的反射率达到40％，严重影响了单晶硅基底的光学及光电学器件的性能，例如太阳能电池、显示器、光学传......
研究了高效晶硅PERC 太阳电池量产开发过程中，背面激光工艺对晶硅太阳电池性能的影响。我们采用了背面AlOx/SiNx 叠层作为背面钝化......
采用化学刻蚀与低表面能修饰的方法在Q235金属基体上制得超疏水表面。通过扫描电镜(SEM)、激光共聚焦显微镜(CLSM)、接触角测量仪......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中,光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重要的作用.光刻和刻蚀两道工序都要求实际图形与......
采用化学刻蚀法在铝合金基体上构筑出不同类型的微纳米结构，并分别使用全氟癸基三乙氧基硅烷、十八烷基三乙氧基硅烷以及3-氨丙基三......
石英微机械惯性器件(陀螺、加速度计、惯性测量组合)有广泛的应用领域和很好的发展前景.文章首先叙述了石英微机械振动陀螺和石英......
围绕多晶硅微机械开关中刻蚀牺牲层和消除多晶硅膜的应力这两个关键技术开展实验研究,得到刻蚀牺牲层中光刻胶最大抗腐蚀时间和适......
高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,......
人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实......
随着微电子工艺技术的不断进步,基于LOCOS的隔离技术已经不适应深亚微米工艺的要求,浅沟槽隔离(STI)技术由于所具有的几乎为零的场......
本文简单介绍了FIB（Focus Ion Beam)修补技术的原理，并结合作者所做的实际工作归纳了它在集成电路可靠性失效分析中的几方面的应用。......
作者研究了众多的COG测试设备厂家,对其提供的设备及性能进行了比较,在众多方法中多是以探针式线路与引出端相对应,多不理想,本文......
用带电粒子活化法分析重掺杂硅中氧氮含量的工作在北京大学静电加速器上初步开展起来了,通过对实验设备的改进和完善以及对部分样......
现今的大规模太阳电池生产领域,P 型衬底占了绝大部分的市场份额,而N 型硅衬底由于其高少子寿命和无光致衰减越来越受关注.本论文......
聚合物刷是表面接枝的聚合物分子。由于化学功能多样、机械性能牢固和接枝密度高,聚合物刷在细胞生物学、组织工程、医学、传动装......
通过电化学沉积的方法在FTO 表面沉积铜薄膜，再通过刻蚀使其生长成Cu(OH)2纳米线，高温退火使其变成氧化铜纳米结构。通过SEM 表征分......
由于石墨烯的优异性能,具有非常广阔的应用前景,大尺寸、高质量的石墨烯的制备方法研究已迫在眉睫.而利用等离子体刻蚀SiC制备石墨......
在含氟的溶液中化学刻蚀硅表面是各种清洗硅表面过程中最为重要的步骤,本文在稀HF溶液中通过控制电位的方法,应用ATR-FTIR光谱现场......
会议
Numerical calculations based on the transfer matrix method are carried out, and the results of band gap with resonance p......
在二元光学衍射微透镜的制作工艺中, 光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重 要的作用。光刻和刻蚀两道工序都要求实际图......
报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果, 实验采用分子......
针对传统电路板集成方式的局限性,提出基于飞秒激光的覆铜板线路成形技术。采用飞秒激光对覆铜板进行单因素实验和正交实验,结果表......
利用深反应离子刻蚀技术或湿法腐蚀在硅上制作光栅结构,将与光栅浸润的液体作为载体携带铋纳米颗粒进入光栅结构内,形成致密排列,......
自2008年惠普实验室发现忆阻器以来,忆阻器已经在非易失性信息存储(NVMs)和神经计算(Neuromorphic computing)领域得到了越来越多......
分别利用中频磁控溅射(MFS)方法和微波电子回旋共振(ECR-MW)等离子体方法制备了Yb:Er共掺AlO薄膜,研究了氧气与氩气比例、样品荧光......
飞秒矢量激光直写技术可以极大地压缩激光作用区域，减少激光对材料的热影响，其作用时间以飞秒尺度计算，而离子体生成时间以皮秒尺度计......
自2004年首次亮相以来,石墨烯由于其优异的电学、光学、机械和化学性能引起了科学界极大的兴趣.目前,化学气相沉积(CVD)法是制备石......
