双极型相关论文
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
基于Bipolar工艺设计，结合激光修调技术，实现了一种四通道、低失调、低功耗、高增益的运算放大器。电路整体结构包含基准偏置电路、......
基于国内40 V双极型工艺设计了一种全差分运算放大器，应用于信号调理芯片的驱动模块，运放输出信号的幅值可通过外接电阻调节。整体电......
基于开关电容的倍压器又称为电荷泵,设计将电荷泵集成到一颗芯片中.该芯片能够在4 V至20 V的输入范围内工作,并提供7 V至38 V的输......
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨......
从ＣＭＯＳ到ＨＣＭＯＳ曾庆贵半导体成电路的发明是２０世纪重大的技术成就之一。半导体集成电路大都采用硅材料制作，因此有人称之为硅集成电路。现在也有......
噪声与信号源内阻关系的噪声曲线图能给选择低噪声运算放大器带来很大方便。现已有现成的从数据库参数中自动计算出所需放大器参数......
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及......
不同的负载对驱动它们所需求的电压、电流、功率等电参数是不相同的,必须正确选择放大器输出结构,以便与负载相匹配。
Different ......
在微型计算机、电子仪器、自动控制装置及家用电器中.数字集成电路的使用是非常普遍的。最常用的数字电路有74系列和4000(包括MC1......
双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开......
研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减......
本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发......
介绍一双极型芯片的热模拟系统。该系统通过对双极型芯片的分析、提取得到其电路信息及几何信息，经电学模拟检查其电学性能的好坏并......
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它......
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状；对BSIT（BipolarStaticInductionTransistor）器件模型进行了理论分析；对BSIT器件的......
本文提出了一种多分子模拟退火法（ＳＡＭＭ），该方法不仅具有模拟退火法（ＳＡ）的全局收敛性，而且还能有效避免ＳＡ后期既费时又不十分必要的迭代过程，因而具......
本文提出一种新的双极型压控晶体管模型，并说明其工作原理。这种器件有两种载流子参与导电，有较大的电流密度和功率，导电能力又受电压......
为了实现高性能运算放大器设计自动化的首要环节——“超级电路”的构造，讨论了适于宽带、高速、低功耗、低失真等高性能双极型运算......
硅片背损伤对雾缺陷吸除的影响的研究刘峥，翟富义，张椿，尤重远（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅片，背损伤，雾缺陷，吸除作用（一）引言双极型与ＮＭＯＳ集......
文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成......
读者可能注意到，本期答案为参考答案，读者反映自测题有一定难度，这也是我们当初计划中考虑到的，假如所出的题目过于简单，对于学习没有什......
Harris半导体公司(位于美国佛罗里达州的Melbourne)宣称它的一项针对2.4GHz工作条件优化了的BiCMOS工艺,可以使无线网的应用线路(......
2.三端器件功能测试 (1)三端器件测试原理。 “三端器件”指各种可控硅、MOS型和双极型三极管,以及可以等效为三端器件的光电耦合......
WINBIS是一个运行于中文WindowsPC环境中的双极型器件特性模拟软件，其源代码由面向对象程序设计语言borlandC＋＋4．5编制而成。WINBIS提......
在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区......
从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和......
剖析了ＳＱＤ５０ＡＢ１００型ＧＴＲ功率模块的失效情况，分析了其二次击穿失效机理及引起失效的器件内部和外部原因。设计了一种快速有效的ＧＴＲ过流保护电路。该电......
介绍了一种用于脉宽调制（ＰＷＭ）控制器中的理想控制元件ＴＣ３５Ｃ２５描述了该元件的构成，并就其在ＰＷＭ控制电路中的应用进行了较详细的阐述。
An ideal con......
本文采用数值计算和解析分析相结合的方法 ,建立了新型功率半导体器件——双极型压控晶体管 (BJMOSFET)电流 -电压特性的数值分析......
进入90年代,最先进的电力电子器件绝缘门极双晶体管IGBT,进入工业化实用阶段,它完善地结合了晶体管及场效应管各自的优点。绝缘门......
TA8258H是日本东芝公司生产的两通道音频功率放大器双极型线性单片IC,为家庭音响和TV专门设计。 TA8258H采用12脚HZIP12-P-1.78B......
Zetex 公司(位于纽约州的Hauppauge)推出了一种新的制造高速双极型模拟集成电路的新工艺技术,并且正用它来生产音响与视频信号处理......
为了说明它们，我们首先从产生背景和技术含义入手，然后再从中英文对应的字面含义考虑。常规双极型运算放大器的电源电压为±15Ｖ，其最大......
“双极型1.2微米多晶发射极晶体管工艺平台开发”是上海贝岭公司列入市一级科技研发项目。经过项目组成员和工程师们的不懈努力,......
提出一种应用于CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件HSPICE的多瞬......
1 工艺状况双极型硅二极管通常被用于变换器中。在硬开关电路中,它们的反向恢复会在二极管本身以及对应的晶体管中产生损耗。同样......
本文主要探讨计算机中存贮器的地址计算方法,其次是用程序设计语言PORTRAN(即公式翻译语言)来编制地址算式的程序。文中讨论的地址......
美国模拟器件公司(Analog Devices,ADI)近日发布了一种创新的半导体制造工艺 iCMOS(工业CMOS),它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(......
美国模拟器件公司近日发布了一种创新的半导体制造工艺ICMOS,它是将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,它使诸......
