铬版相关论文
随着改革开放政策的逐步深入，我国的微电子工业有了飞快的发展，华晶电子集团公司MOS事业部和双极录像机电路、上海贝岭公司、菲利浦......
一、前言十多年前，我们从美国LFE公司引进了一台铬版等离子刻蚀机，它采用的主要刻蚀气体是三氯乙烯。作为设备的一个附件，三氯乙烯罐......
采用自行研制的ＬＢ自动提膜装置，制备出大面积（１０×８ｃｍ２）、高质量的ＰＭＭＡ超薄抗蚀剂膜，并将其用于高分辨率铬掩模版的研制。通过电子束曝光，湿法蚀刻，制......
根据ЭМ－５００９Б激光图形发生器的工件台运动方式， 介绍一种大幅度提高该设备曝光速率的方法
According to ЭМ-5009Б laser pattern ......
两种光声光谱仪研制成功中国科学院长春应用化学研究所已研制成功两种光声光谱仪。其中激光光声光谱仪已由长春第一光学仪器厂投......
铬版机制版过程中,一个至关重要的因素是照明条件。本文重点介绍采用了光学传光束的双弧光源照明器。它已用于铭版机,在10mm×10mm......
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了几种不同工艺制备的匀胶铬版表面、铬膜内部以及各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对......
近几年来,在毛主席的革命路线指引下,我国广大制版工人,技术人员遵照毛主席关于“独立自主,自力更生”的伟大教导,坚持以阶级斗争......
分步重复缩小投影曝光技术是一种采用现有的光学镜头,通过“分而治之”,达到以较细线条覆盖较大面积的手段.本文介绍采用这项技术......
一、引言 在电子工业飞跃发展的今天,半导体器件生产已进入了一个崭新的阶段。目前半导体器件生产正朝大规模集成电路、超高频大......
本文报道一种 LSI掩模制作方法.将剂量为 3 ×10~(15)离子/cm~2的~(31)P~+,用高于 120kV的能量,35-50μA/cm~2的束流密度,注入到涂......
术文通过实验论述了采用脉冲大功率激发物激光器的远紫外光刻。在这种光刻加工中采用20nsec的激光照射,在PMMA抗蚀剂层上制出了具......
一、前言 无产阶级文化大革命以来,我国电子器件发展十分迅速。这是毛主席亲自发动和领导的无产阶级文化大革命和批林批孔运动的......
随着半导体器件向高频、大功率、低噪声方面迅速发展,集成电路向高集成度、高可靠性和高速、低功耗方面发展,这对制版的要求就越......
采用微细的电子束通过化学腐蚀工艺而不是剥离工艺制得了亚微米线宽的铬掩模。在计算机控制的扫描电镜(SEM)中进行电子束曝光。用......
近几年来国内开展了电子束曝光技术的研究工作,国内各兄弟单位对于铬掩模在电子束曝光制版中的应用做了大量工作,取得良好成绩。本......
一、引言随着集成电路的集成度向更密集的方向发展,对光刻工艺提出了更高的要求。目前电子束曝光已发展成为实现大规模——超大规......
在北京市科委的领导和支持下,我校精密仪器系研制成功 ZLJS-75型自动调焦紫外曝光分步重复照像机(简称铬版精缩机),并于1982年11月......
目前制版工艺大多采用超微粒干版进行分步重复照相,然后复印成阴版,再利用阴版制成光刻版。如果能用光刻胶涂在金属版(氧化铁版或......
对光刻技术而言,除了某些特殊情况(例如电子束曝光等)以外,一般都需要印有原图的掩模。作掩膜的材料主要是用银盐感光材料(照象干......
六十年代初,人们开拓了一门崭新技术——微细加工技术。微细加工是以加工的分辨率达到微未级为其特征的。微细加工包罗了电工学、......
本文简述氧化铬半透明掩模的制备。利用高真空镀膜机,采用钼舟加热器以三氧化二铬为镀膜源。只要镀膜条件控制得当,就能够制备出符......
出于本厂生产技术需要,笔者由80年下半年开始对低反射铬版经过从理论探索、实际设想到反复试验的一系列努力,完成了对低反射铬版的......
随着生产的迅速发展,半导体器件平面工艺的发展也很快,对光刻版提出了更高的要求,目前,我厂生产用版有铬版、氧化铁版二种。氧化......
一九八○年十一月,我所邀请了有关单位的科技人员,对新研制出的几种半导体工艺设备进行了技术鉴定,现将这些新设备简要介绍于下。......
本文叙述了计算机辅助制版与制版技巧,指出计算机辅助设计和制版必将促使大规模集成电路的迅速发展。
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随着生产集成电路芯片的大型化,生产光刻用的大型化铬掩模显得尤为重要了.本文介绍了用硬接触法复印大型化格掩模的设备和工艺条件......
本文报导了用电镀X射线吸收层的方法制备软X射线光刻掩模的工艺过程及其基本结构与性能,成功地制备出可光刻面积达30mm×40mm、图......
本文简述了正性抗蚀剂(含正性电子束抗蚀剂)在微电子器件制造中的重要性.提出了我所电子束制版对抗蚀剂的性能要求.着重介绍了无锡......
本文简要地叙述了正性光刻胶的基本特性,详细地讨论了它的感光机理和工艺参数的选择。从理论和实践上解决了正性光刻胶在圆分划元......
本文描述了AZ1350先致抗蚀剂用于拷贝4″×4″光掩模的工艺优化设计,并利用计算机编程计算,求得的数学模式可以用来确定任何要求的......
本文研究了用常规光学制版设备制作微细线条光掩模的加工技术,分析了精缩机,初缩版(原版)、化学处理、工艺环境在1μm光掩模版制作......
ＸＨ－ＲＥＰ－２正性电子束抗蚀剂的工艺研究王国荃，罗腾蛟，王琴美，吴月莉（中国科学院上海冶金研究所）关键词：电子束曝光，等离子体去渣．０引言普通光学的曝光......
本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。......
研究了真空直流磁控溅射下分别充 N2 、Ar气体对铬版成膜性能的影响 ,对两种膜层光密度、厚度、表面微结构形貌以及成分进行测试分......
沉寂了一段时间之后，森海塞尔（Sennheiser）终于宣布了黑铬版入耳式Momentum耳机新品。作为柏林消费电子展（IFA 2015）系列公告的一部分，该......
用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究几种不同工艺制备的匀胶铬版表面，铬膜内部以主各层之间界面处的微观化学组成和化学状态，讨论了不同工艺对铬版......
本文简要阐述了１∶铬版复印图像反转的原理和主要装置。着重讨论了几个重点工艺参数的选择。最后给出１∶１复印图像反转铬版图形的ＣＤ精度......
介绍了激光直写技术制作二元光学元件铬版掩模的原理,分析了影响铬版上铬膜氧化程度的因素,研究了铬版上 刻写掩模图案时激光能量......
普通曝光黑片（银盐片）尺寸稳定性随存放环境温湿度的变化影响较大,而铬版玻璃底片作为图形转移载体,其尺寸稳定性基本不受温湿度变化......
