薄膜质量相关论文
自2009年来,有机-无机卤化铅钙钛矿太阳电池（PSCs）在光伏领域取得了显著的进展,引起了全世界研究人员的广泛关注。目前,经过认证的单......
采用热丝化学气相沉积法（HPCVD），以甲烷和氢气为反应气体，在Mo-Re合金箔片（d=6μm）上沉积金刚石薄膜。采用X射线衍射仪（XRD），扫描电子显微镜......
近年来,GaN材料的纳米异质外延(NHE)技术引起了广泛关注.相比于微米级选区生长技术,NHE技术可以通过限制核心尺寸在GaN的初始生长......
本文研究了采用直流磁控顺序溅射制备的Cu-In-(Ga)预制层的材料特性.预制层制备过程中的溅射顺序、每层的厚度等因素直接影响了预......
以硫酸锌、(NH4)2S2O3混合溶液为前驱体溶液,加入少量的柠檬酸钠和丙三醇为络合剂为分散剂,采用化学浴沉积法在玻璃村底上成功制备......
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,成功制备出硼掺杂金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射......
钙钛矿太阳电池因其具有强吸收、高迁移率、载流子寿命长、可调控带隙以及可采用多种方式加工等优势备受研究者关注,目前钙钛矿太......
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以氧化硼-乙醇溶液作为硼源,成功制备出硼掺杂金刚石膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射......
稀土过渡族金属合金采用溅射方法容易制得非晶态材料,经晶化处理后得到的矫顽力要比一般制造的晶体永磁材料为高,例如等离子喷镀......
近年来有机非线性光学材料的合成研究有了很大的发展。另一方面,为了适应非线性光学应用的特殊需要,即对分子有序取向和对材料具......
通过电沉积方法分别在镀铂石英晶片和铂基底上制备了电活性铁氰化镍膜,并考察了膜电极在含钇离子溶液中的电控离子交换性能.在0.1 ......
立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
随着ＶＬＳＩ设计尺寸的细微化，关于布线层的形成，有许多难题迫切需要解决。本文就该公司在用于２５６ＭＤＲＡＭ的溅射设备ＰＲＩＭＵＳ──２５００上解决这些问题的情况加以叙述......
在硬质合金衬底上直接沉积金刚石薄膜．总是伴随着石墨化过程．钴是促进石墨生长的积极因素。由于衬底温度决定氢原子的活性和钴的扩散......
研究了氯掺合（Ｃｌｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）对非晶硅薄膜晶体管（ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ）性能的影响。在光照明下，ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比ａ＿Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的小得多，这是因为ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）的光电导率比常规ａ＿Ｓｉ∶Ｈ的小得......
本文采用质量分析的低能离子束外延法（以下简称IBE法）在Si（111）衬底上外延生长了β-FeSi2薄膜，并进行了X射线衍射测量分析；与扫描电镜配......
本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表......
以丙酮和氢气为反应气体，用大偏流热丝ＣＶＤ法在硅衬底上沉积５０～１００μｍ金刚石薄膜制成新的导热绝缘层（热沉）来替代氧化铍陶瓷，测定了金刚石薄膜的热......
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度......
Z99-51304-1 9914832纳米硅薄膜与纳米技术进展[会]/林鸿溢//第六届全国固体薄膜学术会议论文集.—1～3(D)开展纳米科学技术研究,是......
利用Sol Gel法制备了优质KTN陶瓷靶材 ,用PLD技术成功地在P Si(10 0 )衬底上沉积出了较纯净钙钛矿相 (>98% )的KTN薄膜 ,并对所制......
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长......
用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术，对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析，获得薄膜表面及粉料的构态......
对不同氧流量下用直流磁控溅射法制备的ITO薄膜进行退火处理，并对退火后ITO薄膜的光电特性进行分析．结果表明，N2气氛下退火可以改善IT......
利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温......
利用等离子体MOCVD设备在 (0 0 1)蓝宝石上生长了ZnO薄膜。通过对在不同条件下生长的薄膜样品X射线衍射的测量和分析 ,优化了薄膜......
从Y1铁电薄膜材料、外延铁电薄膜、介电超晶格、铁电薄膜的制备工艺及原位检测几个方面介绍了铁电薄膜研究的一些新动向。
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由于具有低成本、无毒、铜源丰富等优点,以及在气敏传感器、太阳能电池、光催化等领域的潜在应用前景,Cu_2O薄膜引起了人们的广泛......
以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶......
系统研究了射频和甚高频下沉积微晶硅薄膜时沉积参数对薄膜质量的影响,并优化了沉积参数.在相同的沉积条件下,甚高频沉积速度明显......
本文介绍了中空阴极放电物理气相沉积法(简称HCD法)用于高速钢刀具表面镀氮化钛薄膜的工艺过程及主要参数,以及镀氮化钛薄膜刀具的......
利用直流磁控溅射法在有ZnO∶Zr缓冲层的水冷玻璃衬底上成功制备出了ZnO∶Zr透明导电薄膜,缓冲层的厚度介于35～208nm。利用XRD、SEM......
在立式冷壁CVD反应器中,用TiCl_4-H_2N_2和TiCl_4-H_2N_2-Ar为反应物源,在YT15硬质合金刀片上淀积TiN涂层。研究了淀积参数对淀积......
采用热丝ＣＶＤ法，以Ｈ２和ＣＨ４混合气体为气体源，在涂有巴基管的单晶硅基底上，对金刚石薄膜生长进行了优化工艺参数实验。对所得薄膜进行了Ｘ射线衍射......
松下宣布开发出在Graphite(石墨)底板上生长高质量GaN结晶薄膜的技术,并大致探明了其生长原理。这是松下在长崎大学举办的第71届应......
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的......
我们在ＳＴＯ台阶基片上，采用脉冲激光沉积（ＰＬＤ）和直流磁控溅射法制备出ＹＢＣＯ外延超导薄膜，采用普通的光刻技术得到ＤＣＳＱＵＩＤ图形．器件的ＩＶ曲线具有ＲＳＪ模型描述的......
通过对比蓝宝石(Al2O3),SiC,Si,ZnO衬底与三种非常规氧化物衬底即LiGaO2,MgAl2O4和LaAlO3衬底上外延生长GaN薄膜的优缺点,指出了在......
利用有限元分析软件ANSYS对蓝宝石基GaN薄膜的应力进行了模拟分析,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了蓝宝石基GaN薄膜应力的......
