硅工艺相关论文
设计了一种谐振加速度计 .这种加速度计包括两个双端固定音叉、一个质量块、四套放大惯性力的杠杆系统以及激励和敏感梳 .利用梳状......
欧洲的新半导体协作研究开发项目MEDEA(Micro Electronics Development for Euro-pean Application)将在1997年1月1日开始运作。......
Philips Semiconductors自从1996年推出TrenchMOS技术以来已利用这一种先进的硅工艺研制出一系列令人刮目相看的N信道功率MOSFET......
当前,EDA厂商、系统公司和半导体生产厂正在研究用什么来构成完整的片上系统解决方案。片上系统设计特别复杂这是由于需要在系统......
目的是为实现高灵敏度、集成化的微麦克风和扬声器奠定基础。利用锆钛酸铅（ＰＺＴ）铁电体具有的优良的力电耦合特性，提出将ＰＺＴ铁电薄膜与硅工艺......
提出了一种用常规硅工艺实现的片上集成电感的螺线型新结构 .制造工艺使用标准双层金属布线的常规硅工艺 .测量了螺线型集成电感的......
期刊
目前的硅半板电容式探测器,由于工艺相当复杂,制作难度很大,另外由于目前硅材料的微机械技术只能形成200nm的平板电极距离,电容C......
通过理论分析计算、计算机模拟和工艺实验,对Si/SiGe异质结双极晶体管(HBT)的结构参数进行了精细的优化设计,特别是采用了本征间隔......
互联网的兴起,无线通信和存储业的发展促进了实时数据业务的快速增长,系统的高效性成为其关键的需求,每个下一代系统的延迟会直接......
2006年9月18日,来自英特尔公司和美国加州大学圣芭芭拉分校(UCSB)的研究人员成功研发出了世界上首个采用标准硅工艺制造的电力混合......
一、前言铌合金抗氧化保护涂层的最初工作,主要是集中在包渗工艺的研究方面。此工艺虽有不少缺点(如热传递性能差,不易加涂复杂工......
随着航空发动机推力不断提高,使涡轮进口温度上升,受热部件必须采用低铬含量的高强度镍基、钴基合金来保证高温强度。但由于铬含......
铸铁气缸套活塞环挤渗碳化硅,是在其工作表面层用机械的方法,挤渗一层不连续分布的碳化硅微粒层,以改善耐磨性能的一种表面强化工......
半导体有机封装材料的发展,依然聚焦于对性能和可靠性的提高,同时非常现实的目标是降低成本。随着先进硅工艺(65、45或32nm)的发展......
摩尔定律最终的失效是不可避免的――至少对于硅工艺如此。为了在一块微芯片上塞进更多硅晶体管而进一步缩小其尺寸将变得不可能,......
日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
我国经济呈现出良好的发展趋势,进一步促进科学技术得以不断加快发展步伐,继而带动微电子行业的快速发展,纳米集成电路是当前应用......
单片微波/毫米波集成电路(MMIC)技术是世界各国大力发展的无线通信系统技术,符合系统多功能混合集成的趋势,减小了系统的体积和重......
1985年4月5日至7日,由冶金工业部委托湖北省冶金总公司在鄂城钢铁厂召开了鄂钢65吨铁水罐喷粉增硅工艺与设备鉴定会。参加会议的......
为了提高定碳定硅的准确度,使热分析法快速定碳定硅工艺便于在鑄造生产中应用推广,北京工业大学研制了自动数字显示快速定碳定硅......
目前,得到商业应用的炉外脱硅法有多种,这些方法各有其优、缺点。在特定的条件下适用,这些炉外脱硅法可归纳为两种:高炉铁水沟脱......
David Sarnoff研究中心在发展专用的硅化铂热成象仪和高速(>500 fps)可见光CCD成象仪系统方面,已积累了20多年的经验。研究中心将......
专利号 ＵＳＡ4961784申请日 1980年8月11日发明人 ＨａｒｕｙｏｓｈｉＴａｎａｈｅ;ＭａｓａｈｉｒｏＫａｗａｋａｍｉ;ＫｅｎｊｉＴａｋａｈａｓｈｉ;ＫａｔｓｕｈｉｒｏＩｗａｓａｋｉ;ＳｈｉｇｅｒｕＩｎｏｕｅ(均为日本东京)发明名称 铬原料的熔融还方法与熔融还原炉
Patent No. USA49......
为提高低品位铝土矿的铝硅比（Ａ／Ｓ），采用了机械活化的方法处理．对山西普铝矿进行预脱硅的实验结果表明，８０℃，在１００ｇ／ＬＮａ２Ｏｋ碱液中，经１０ｍｉｎ，未活化矿的脱硅率仅为７％左......
用拜尔法处理高硅低品位铝土矿生产氧化铝经济效益极差．焙烧预脱硅工艺是处理这种矿石很有前途的方法之一．本文总结并评述了九十年代......
本文以柴油机铸铁气缸套、活塞环为例,介绍了一种新的表面强化方法——挤渗碳化硅工艺,并以多方案对比配磨试验证明,经这种方法处......
处理器AMD似乎很久没有提升自己处理器的实际运行频率了,人们甚至在怀疑,2.4GHz是不是已经到了风冷散热环境下AMD能够量产并保证稳......
本刊讯日前,中建工业设备安装有限公司完成的《多晶硅工艺设备清洗施工工法》和《超高塔类建筑主被式阻尼抗振系统直线电机底座吊......
本研究用膏剂法进行无孔渗硅研究,透射电镜、电子探针和M351腐蚀仪分析证实:获得了致密、无孔隙、具有良好耐磨性和耐腐蚀性的渗硅......
对水热处理后得到的USY沸石作进一步的酸处理以及采用改进的氟硅酸盐溶液骨架富硅工艺,分别得到了经XPS剖面分析证实为铝分布均匀......
采用硅工艺的反应离了刻蚀、各向异性化学腐蚀、热氧化和超低压化学气相淀积生长技术，成功地在硅单晶衬底上制作了ＳｉＯ２全封闭结构的硅量......
本文介绍采用钼—多晶硅工艺的256K动态RAM。发展了包括电子束直接描绘和干法腐蚀工艺的1微米工艺技术。此外,利用作在同一片子上......
大型和微型计算机的存贮系统和外围设备的进展已经加速了用双层多晶硅NMOS工艺制造的16K静态RAM的发展。但是大容量静态RAM还存在......
日本东芝公司的16位微处理机T-88000,在速度方面与美国数字设备公司的PDP11/70小型计算机不相上下,其性能在很大程度上归功于蓝宝......
一、引言MOS 工艺一直是发展 LSI(大规模集成电路)的主流。特别是n沟边 MOS 工艺,1976年从单层硅栅发展到存贮器技术中用的双层多......
目前,对铟锑—自身阳极氧化系统已作了较好的研究。但是,对于在InSb基底上具有习惯上供硅工艺用的介质(SiO_2,Si_3N_4,SiON)的MIS......
更小的几何图形在集成电路中的应用促进了硅工艺的发展。这些微小的几何图形使芯片集成密度得到提高。同时,使复杂的大规摸集成电......
引言绝缘衬底上外延硅工艺起始于1963年。这种工艺分别简写为SIS、ESFI(绝缘层上外延硅薄膜)、SOS、SOSL(尖晶石上外延硅)等。用......
位于联合王国剑桥市的日立—剑桥实验室的一个研究小组在ＨａｒｏｏｍＡｈｍｅｄ教授领导下正在研制开发一种相态低电子数驱动存储装置 (ＰＬＥＤＭ ) ,这种存储装置......
