套刻相关论文
多层通道微流控芯片加工中套刻光刻的对准操作难度较大,结合使用两种对准方法并分步进行实验操作可以降低难度:使用圆套十字架对准......
期刊
由于ＹＢａＣｕＯ是一种怕水、酸和乙醇等有机溶剂的材料，且通过一次光刻工艺后ＴｃＯ要下降３～４Ｋ．因此，减少光刻工艺次数就成为制备多元器件的关键。本文介绍......
用ＳＥＭ改装成的电子束光刻线宽１０ｎｍ及套刻精度不足５０ｎｍ的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的Ｐ．Ｂ．Ｆｉｓｃｈｅｒ和Ｓ．Ｙ．Ｃｈｏｕ等人利用一台ＪＥ－ＯＩＬ－８４０Ａ型扫描电镜（ＳＥＭ）改装成一台电子束直接......
随着改革开放政策的逐步深入，我国的微电子工业有了飞快的发展，华晶电子集团公司MOS事业部和双极录像机电路、上海贝岭公司、菲利浦......
微米级生产线实用化电子束曝光机研制成功５月２３日中国科学院组织有关专家对电工研究所完成的微米级实用化电子束曝光机进行了技术鉴定......
ｉ线片子步进机正在逐渐成为主流的加工设备，用于实现亚半微米电路图形的转印。因此它就成为批量生产１６Ｍ位ＤＲＡＭ器件，且有可能成为在远紫外设备......
采用销相技术，对电子束曝光机工件台运动实现速度环的全数字控制。设计了数字差频积分回路和数字差频比例控制器，能有效消除速度的静......
ＭｉｃｒａｓｃａｎⅢ步进机增强了ＳＶＧＬ公司深紫外光刻市场竞争力据《ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＮｅｗｓ》１９９６年８月１２日报道，ＳＶＧＬ公司今秋推出ＭｉｃｒａｓｃａｎⅢ步进机同日本两大光刻设备公司竞争深紫外光刻．设备市场。......
本文通过数学机械模型，描述了图形曝光设备的光学系统和机械性能，探讨了应用模型改进光刻设备的结构特性。准确的实时设备控制，使得未......
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功，为ＫｒＦ（２４８ｎｍ）准分子激光光刻技术生产第二代６４ＭＤＲＡＭ器件增添了活力。用这种新方法制作０．３５μｍ的Ｘ、Ｙ向及斜......
０．８～１微米分步重复投影光刻机中国科学院光电技术研究所承担的国家“八·五”科技攻关项目“０．８～１微米分步重复投影光刻机”，于１９９６年１月通过了国家......
本文从对准系统与对准过程、提高型整片对准计算、激光步进对准测量系统、以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介......
本文就美国原ＧＣＡ公司生产的ＤＳＷ８５００ＳＥ光刻机套刻精度的误差分类，产生误差的原因以及校正方法进行了详细的讨论，通过这些叙述旨在对设备维修人员和......
本文简要介绍了微细加工光学技术的发展和“微细加工光学技术国家重点实验室”及其发展目标、研究方向和目前的主要研究领域。
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采用反应离子刻蚀技术，制作二元光学元件锗透镜阵列，对红外材料锗Ge的SF6加O2刻蚀机理和刻蚀特性进行了分析．并给出了研究结果。
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用计算机研究并给出了深蚀刻二元光学元件制作误差对衍射效率影响的规律；将深刻蚀二元光学元件与一般二元光学元件制作误差规律的不......
介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。
The principle and method of fabrication of binar......
对于０１３μｍ以下几何作图，离子投影光刻是一种适用的技术。该技术没有光学衍射局限性和电子光刻接近效应，并能使几何图形缩减，进行动态畸......
Ｘ－ｒａｙ光刻（ＸＲＬ）是微／纳米光刻技术中至关重要的批量复制技术，ＸＲＬ的发展在于不断对Ｘ－ｒａｙ源、新型的ｓｔｅｐｐｅｒ、Ｘ线掩模版以及相关处理工艺的研究进展。其中，Ｘ线掩模版......
一、从芯片光刻说起 本世纪八、九十年代以来,计算机的迅速发展带动了科技、工业、通讯和陆海空交通、航天、医疗卫生、能源环保、......
该文叙述了对准装置的三维计算机模拟技术和一些范例的计算。这项技术的开发为未来ＶＬＳＩ技术的发展，找到了对准和套刻精度问题的答案。分......
ＤＷＬ—４００直写光刻系统由德国ＨｅｉｄｅｌｂｅｒｙＩｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓＭｉｋｒｏｔｅ－ｃｈｎｉｋＧｍｂＨ公司生产的ＤＷＬ—４００型高精度激光直写光刻系统，专用于高分辨掩模的制作和直写应用。该系统作图面积可达４００ｍｍ×４００ｍｍ，且具有亚微......
介绍亚半微米分步重复投影光刻机同轴对准系统的成像机理和工作过程。该系统在掩模和硅片上均刻有时准光栅标记。经光栅衍射后形成......
介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具......
套刻精度是衡量分步重复投影光刻机的一项重要指标。套刻精度不仅取决于对准系统的对准精度，还受环境、工艺等因素的影响。提出了提......
介绍了目前用于提高亚半微米投影光刻机成像分辨力、增大焦深的新技术及主要研究方向．对大数值孔径和短波长技术、倾斜（离轴）照明技术......
基于衍射光学原理，获得了微透镜的衍射效率与蚀刻深度之间的关系式。研究表明，离子束蚀刻中目前采用的时间控制法可满足Ｌ＝１时的微透镜微......
介绍了一种用于准分子激光深层光刻实验装置的设计，并将该装置成功地应用于ＬＩＧＡ工艺的深层光刻中，光刻实验表明准分子激光层光刻具有很大......
采用Ｇｅｒｃｈｂｅｒｇ－Ｓａｘｔｏｎ（Ｇ－Ｓ）的迭代算法，在物域和频域之间进行多次迭代，使频谱的振幅大致为常数，并对频谱的位相进行量化，用二元光学技术制成了８台阶反射式相息......
本文研究了衍射微透镜列阵的设计与制作工艺方法，在此基础上研制出一系列衍射微透镜列阵，衍射效率均大于８５％，在深紫外、可见及红外波前传......
文章指出了电路版图设计规则检查中经常遗漏的项目，并给出了编写检查这些项目的语句及技巧。就如何编写一个好的设计规则检查指令文......
中国科学院光电技术研究所最新研制的 i线接近接触式光刻机 ,主要用于中小规模集成电路生产 ,微光学微机电系统、红外器件及声表面......
武侠话剧《英雄》时间:2002年12月27日-2003年1月10日地点:北京七色光儿童剧场早年,萧寒阳为习武而忽略了恋人婉婷,等他练成武林......
JEOL JBX- 5 0 0 0 L S是矢量扫描的电子束曝光机 .系统采用 L a B6 灯丝 ,可以工作在 2 5 k V和 5 0 k V的加速电压下 .对该系统......
国际半导体技术发展路线工作组确定了把套刻控制作为65nm及其以下的技术节点未知解决方法的技术障碍。最严重的问题是总的测量方法......
运用约束刻蚀剂层技术(CELT)在金属镍(Ni)表面实现三维微图形加工,以规整的三维齿状微结构作模板,获得可有效CELT加工的化学刻蚀......
随着科学技术特别是电子技术的飞跃发展,过去的那些系统与器件的概念已不完全适用,它们之间的界限变得模糊不清,今天的器件可以说......
按计划,2006年只推出ITRS修正版而非全新版本,因此其中的重大修改不可能太多。不过ITRS2006修正版的光刻篇则不然,几乎每一页都被......
近来,关于浸没式光刻的讨论很多,不过它们大多集中在缺陷率和套刻精度上,而很少涉及到浸没式技术怎样使光刻机供应商具备设计与制......
通过比较干法和浸没光刻技术在超越焦深(DOF)提高方面的一些主要特点,举例说明了采用浸没式光刻技术的许多优势。浸没式光刻技术同......
