集成电路工艺相关论文
针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋......
光子晶体通常由不同介电常数的材料周期性排列组成,电磁波通过这种周期性的特殊结构会受到布拉格散射的作用,其传输特性会在特定频......
MEMS器件在商业和许多重要领域中的广泛应用使提高它的可靠性成为当务之急.了解器件的失效模式和机理是研究器件可靠性的基础.MEMS......
本文对硅单晶材料到抛光片的关键加工工艺:切割、磨片、化学机械抛光、清洗等工序进行了分析,并对相应的工艺化学品进行研究和应用......
目前与互补金属氧化物半导体工艺兼容且具有高发光效率的硅基光源的制作技术尚不成熟,针对这一问题,研究了一种新型多晶硅发光器件......
英特尔、台积电和三星是全球逻辑集成电路工艺制程最先进的三家厂商。从28nm时代开始,这三家厂商就在集成电路的工艺制程上你追我......
集成电路产业已高速发展了数十年,芯片制程已由最初的微米级发展到目前的5 nm量产水平,正在向3 nm推进。集成电路工艺逐步逼近物理......
根据国际半导体技术蓝图(ITRS)发布的未来半导体工艺技术预测,2016年世界集成电路主流工艺线宽为22纳米,2022年达到10纳米.这时,以......
本文介绍并讨论了一种ｎ阱ＣＭＯＳ与ｎ沟ＳＣＣＤ兼容的集成电路工艺。采用这种工艺研制的模拟延迟积分器，工作电压为１５～１８Ｖ，采样频率达１．３ＭＨｚ。
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本文利用ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ接触试制成一种新的肖特基势垒二极管，其反向击穿电压一般在１５Ｖ以上，最高达到３５Ｖ。测试了它的Ｉ－Ｖ特性，并与理论计算结果进行了比较和分......
在同一介质上，应用集成电路微细加工技术制作出尺寸在微米范畴的微机械部件，微传感器，微传动装置并将它们与微电子线路在一起形成高性......
本文研究了在25%的四甲基氢氧化铵水溶液(TMAHW)中加入异丙醇(IPA)构成的腐蚀系统对硅的各向异性腐蚀特性.研究发现:在异丙醇含量......
介绍了多晶硅压力传感器的温度特性．重点研究了ＬＰＣＶＤ·Ｐｏｌｙ－Ｓｉ膜的掺杂浓度对传感器温度特性的影响．通过理论分析和实验研究，找到了实现传感器温度......
本文较全面地讨论了近几年来国外有关利用扫描探针显微镜进行纳米尺度表面改性和微细加工工作的现状和发展，重点讨论纳米尺寸光刻制......
时延驱动的Ｓｔｅｉｎｅｒ树构造算法是时延驱动总体布线的基础．本文首先简介了求解最佳Ｓｔｅｉｎｅｒ树的Ｄｒｅｙｆｕｓ－Ｗａｇｎｅｒ算法．随后通过引入Ｓａｋｕｒａｉ时延模型，提出了直接基于Ｓａｋｕｒａｉ模型的提高线......
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅......
山东工业大学孟尧微电子研究发展中心于去年底正式成立。中心具有近300m2的高档网络机房及多功能机讯培训场所，配有SUN－Ultra50工作......
对新的宽带通信应用和设备有着很多期望。要达到这些预期,制造商必须开发新的集成电路工艺,继续将电路性能推向更高,并使每千兆位......
抗蚀剂曝光的模拟与光刻系统空间像模拟紧密相连 ,一般是用标量衍射方法在特殊几何形状的光源分布和特殊掩摸结构的条件下计算的 ,......
一、引言在社会信息产业迅猛发展和高新技术不断出现的今天,通信系统与集成电路已经成为相互依赖、密不可分的整体。我国集成电路......
应用的需求和集成电路工艺的发展促进了复杂的片上系统(SoC)的实现,同时也要求新的设计方法以支持复杂SoC的设计。高效率的软硬件......
据《Semiconductor International》2005年第4期报道,比利时IMEN微电子研发中心05年3月授予上海集成电路研发中心0.13μm工艺技术......
2005年3月30日,西北惟一的大规模集成电路制造企业——西安西岳电子科技有限公司的6英寸集成电路芯片生产线在西安高新技术产业开......
从前,美国的企业界总是抱怨政府对他们的管理太多,而现在,面对日趋激烈的市场竞争,尤其是亚洲新兴工业国家的挑战,美国许多高技术......
ADI公司在慕尼黑近期举办的Elec-tronica展览会上宣布的iCMOS模块化工艺,引起了人们的重视。它标志着模拟技术在整个微电子技术中......
KW9135P是六位互锁式和双三位互锁式轻触电子开关集成电路。它采用先进的CMOS集成电路工艺和标准16引脚双列直插式封装,具有高输......
报道了128×128 Al GaAs/GaAs量子阱红外焦平面探测器阵列的设计和制作.采用金属有机化学气相淀积外延技术生长外延材料,并在GaAs......
脉冲数字电路是电子技术的一个组成部分,是近代电子技术的重要基础。在现代电子工程中,信号的产生、传送及处理愈来愈多地以数字信......
TSMC推出模组化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压的整合LED驱动集成电路产品。
TSMC has introduced a BCD (Bip......
TSMC近日推出模组化BCD(Bipolar,CMOS DMOS)工艺,将可为客户生产高电压的整合LED驱动集成电路产品。此一新的BCD工艺特色在于提供1......
非平行传输线之间的耦合(串扰)是非常复杂且难以预测的,但是在高速电路中,这种串扰影响又必须考虑在内。文中针对非平行传输线问题......
利用多媒体教学手段和学院微电子器件实验室为教学实习基地,克服了微电子专业在材料、设备、超净环境等方面需要很大投入这一特点......
固态压阻传感器是一种新型的现代传感器。它是利用半导体材料压阻效应特别显著的特点,在半导体基片上用集成电路工艺制成的四只扩......
华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司(“华润上华”)自主研发的“跑道形NLDMOS晶体管及其制作方法”专利技术,近日荣获2......
随着半导体制造步入1xnm技术节点时代,调焦调平系统的测量精度达到几十纳米。在纳米尺度范围内,集成电路(IC)工艺对调焦调平测量精......
随着集成电路工艺的进步,逐次逼近型模数转换器的功耗和速率等性能不断提升,且电路复杂度较低,在高速、高精度ADC设计中被广泛应用......
随着集成电路工艺特征尺寸不断缩小，芯片内部速度不断增加，时延缺陷(即影响电路定时行为但不改变电路在静态条件下的逻辑操作的缺陷)......
2013年12月3日Cymbet公司宣布：其EnerChip?可充电固态电池已在中国全面上市，Cymbet EnerChip电池使用标准半导体集成电路工艺以及获......
第169届国际电化学学术论文报告会于1986年5月4日至5月9日在美国波土顿 Sheraton Boston Hotel and Towers召开。这是国际上规模......
清华华环电子股份公司系原北京华环电子有限公司,创立于1992年10月,是由清华大学企业集团控股创立的股份制企业。 华环公司以清华......
