反应溅射相关论文
分别采用射频溅射和射频反应溅射方式在AZ31镁合金表面制备了氧化铌涂层，并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、......
分别使用反应溅射Al+α-Al2O3(15％ α-Al2O3,质量分数)复合靶和在金箔基体表面预植α-Al2O3籽晶,促进α-Al2O3薄膜的低温沉积.使用......
采用Al-Ti镶嵌复合靶在Ar、N2和O2混合气体中反应溅射制备了一系列(Al,Ti)(O,N)涂层.并采用EDS、XRD、AFM、TEM和微力学探针研究了......
在做完底电极的玻璃上,在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽.用XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结......
分析了热解法镀膜中多种工艺参数对ＳｎＯ〈，２〉：Ｉ热镜膜性能的影响，并对其影响原因进行了讨论，得到了较佳的镀制工艺条件：基材温度Ｔ〈，Ｓ〉为４５０℃，ＮＨ〈，３〉......
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射......
以Zn/ZnO/ZnF2混合物为靶材,在衬底温度(Ts)为150℃和300℃、溅射气氛为Ar+O2和Ar+H2下反应溅射制备F掺杂ZnO(FZO)薄膜,研究气体流......
本文对直流磁控反应溅射制备氧化钒薄膜进行了研究.用转靶X射线衍射(XRS),X光电子能谱(XPS)对薄膜的结构,组分进行了测试.实验结果......
在做完底电极的玻璃上,在氩气和氧气的混合气氛中用钽靶直流磁控反应溅射沉积五氧化二钽.用XPS分析了膜的杂质、Ta和O的摩尔比和结......
低能电子能量损失谱是研究固体表面的一种重要实验方法。本文采用俄歇电子能谱仪的电子枪及能量分析系统,将一次电子束的能量
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采用等离子体辉光监控系统(PEM)反馈控制反应溅射过程,在石英基底上制备出单斜相VO_2薄膜,并研究了反馈控制下反应溅射的等离子体......
运用直流磁控反应溅射技术，在不同的氧气压强下，沉积ＮｉＯｘ薄膜。随后在１ＭＫＯＨ电解溶液中处理成ＮｉＯｘＨｙ。测量了ＮｉＯｘＨｙ薄膜的电化学性质。在０．３５－２．５μｍ波长范围内测定了......
研究了反应溅射ＡｌＮ和ＡｌＳｉＮ薄膜的制备工艺，讨论了它们的光学性能与溅射工艺参数的关系，实验结果表明，在优化制备工艺基础上能制备出具有优良光......
介绍了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜和碳化锗（Ｇｅ＿ｘＣ＿（１－ｘ））簿膜的沉积方法、特性和在红外光学镀膜中的应用进展。
The deposition methods, properties and app......
氮碳薄膜反应溅射沉积过程的ＯＥＳ诊断赵菁，王金国，康宁，王荣瑶，徐积仁（中国科学院物理研究所光物理实验室北京１０００８０）等离子体光发射谱（ＯＥＳ）作为一种实验......
在磁控反应溅射方法制备薄膜的过程中，等离子体发出较强的光，提出了用光谱控制溅射速率方法，并以该方法在ITO膜中的应用为例，说明该方......
基于氧化镍纳米颗粒薄膜电变色机理的研究,利用Li_xTaO_v薄膜作为Li~+离子无机固体电解质薄膜,没计和制造了一种NiO/WO_3互补型电......
利用WO3和NiO的互补显色可以大大提高电致变色玻璃的变色效率。有关WO3薄膜的制备方法及其性能已有许多文献作了报道。已报道的NiO......
在分析靶源粒子产生和输运过程基础上，建立了反应溅射TiN薄膜的生长速率方程，按此模型的计算与实验结果基本相符。
Based on the an......
从微观粒子的相互作用和输运出发，探讨靶溅射过程中的基元化学物理步骤，计算了溅射速率和离子能量分布，为深入研究溅射薄膜的生长速率......
报道了反应溅射沉积ＴｉＯ２薄膜，得到ＴｉＯ２薄膜的特性如沉积速率、透射率、导电性能、吸收系数等与反应气体的流量、溅射功率有关。通过控制氧气......
从靶动力学和粒子输运导出了靶中毒的判据．建立的靶中毒模型能体现工艺参数对靶中毒的影响，从而对解决薄膜高速生长与组份匹配的矛盾......
使用直流磁控反应溅射的工艺方法制备了Ta2O5薄膜MOS型湿敏元件，提出了元件的结构模型，并对其感湿机理进行了讨论．
The Ta2O5 film M......
利用射频磁控反应溅射法，以Ar、CH4为原料气体，在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1－x薄膜，研究了极板间距对沉积的影响。结果表明，随......
低温衬底使器件在制膜过程中避免热伤害． 研究得到强水冷衬底的射频反应溅射法制备ａ－ＳｉＯ２ 薄膜的最佳工艺条件． 所制得的薄膜具有好的致密......
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡｓ界......
用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5／TiO5混合薄膜。薄膜的透射光谱研究结果表明，在TiO2掺入浓度为0到17......
利用直流磁控反应溅射钢锡合金靶和锌铝合金靶，在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明导电薄膜．结果表明，ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变：柔性基片上低温沉......
磁控溅射法制备ＳｉＯ２ 膜传统上采用射频溅射工艺，但它成本较高，效率较低，无法充分满足大面积镀膜工业生产的需要。近年来，反应磁控溅射在解......
采用脉冲磁控反应溅射工艺进行氧化铝薄膜的沉积实验 ,对该工艺过程中溅射电压和沉积速率与氧流量的“迟滞回线”现象进行了研究。......
1993年8月初,上海市机械制造工艺研究所向台湾客商出售2台3FJ-40B三极反应溅射氮化钛设备。该设备具有抽速快,处理周期短,装炉量......
用两种靶材,采用磁控反应溅射沉积Ti-Al-V-N薄膜。XRD和XPS测定薄膜的结构主要为BI-NaCl型Ti(Al、V)N相。SEM观察确定微观结构比较......
采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了......
文中介绍了用真空溅射方法在工件表面上沉积碳化钛的设备和工艺,讨论了影响工艺的因素,并提出了存在的问题。这项工艺曾试用于模具......
氮化钛镀层在装饰性方面的应用,近几年来发展较快。本文叙述了用三极反应溅射工艺制作的氮化钛镀层,在形貌、成分、硬度和厚度等方......
本文介绍了三极磁控反应溅射的特点及其应用。与单纯三极反应溅射相比,阴极电流主要决定于阴极电压,且工件偏置电源的作用增强,溅......
自行设计制造了φ60mm钟罩式化学气相沉积炉、等离子体增强化学气相沉积TiN实验装置、TiN涂层磁控反应溅射装置和乙腈挥发装置等,......
本文叙述了真空磁控反应溅射沉积TiN涂层的基本原理和试验方法;对碳素工具钢刀具和硬质合金刀具进行了工艺试验;测定了涂层性能、......
采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的......
用直流磁控溅射在不同溅射功率下制备不同厚度的In2O3薄膜。通过XRD分析薄膜结构,用紫外可见光谱分析薄膜的光吸收能力,并推导薄膜......
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了氧化钒薄膜。研究了脉冲调制功率占空比对薄膜物相、表面形貌、组分和热......
