器件工艺相关论文
目前ＧａＡｓ基低噪声ＨＥＭＴ，包括用于ＤＢＳ的ＩｎＧａＡｓ／Ｎ－ＡｌＧａＡｓＰＨＥＭＴ已经商品化，且ＧａＡｓ基功率ＨＢＴ也将很快进入市场。尽管ＩｎＰ基ＨＥＭＴ或ＨＢＴ仍处于研究与发展阶段，但由于它们特殊的电性能，它们将有希望......
采用ＬＰ－ＭＯＶＰＥ方法及常规器件工艺制成了ＩｎＰ：Ｆｅ肖特基势垒增强ＩｎＧａＡｓＭＳＭ光电探测器。用自建测试系统对其直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电......
采用热疲劳试验分析了表面封装焊点的可靠性。讨论了不同的元器件及基片镀层工艺对焊点可靠性的影响，初步探讨了热疲劳过程中位错亚......
一、引言半导体的轮廓显示常采用染色、腐蚀及镀膜技术。迄今为止，这项工作只有凭经验，人们对试样的研究越多，就变得越精通。随着半导......
研究了有源面积为９ｍｍ２的双面肖特基势垒ＧａＡｓ粒子探测器的电特性。器件工艺简单，结构新颖，反向耐压高于３００Ｖ，反向漏电流密度低（９１ｎＡ／ｍｍ２），该器件能经受能量为１．５ＭｅＶ、......
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺......
利用傅利叶变换喇曼散射技术研究了CdTe表面的Raman散射谱，观察到了CdTe表面光学声子（TO、LO）的一级、二级斯托克斯、反斯托克斯Raman......
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射......
不同抗弯强度硅片高温弯曲度变化的实验结果表明，众多因素对抗弯强度和高温弯曲度的影响规律是一致的．高温翘曲度或弯曲度与抗弯强度......
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测......
设计了一种新的ＩｎＰ／Ｉｎ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ／ＩｎＰ器件结构，其特点在于采用ＩｎＰ衬底，高ｘ值的ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ沟道，选用ＩｎＰ作为势垒层，从而避免了用含Ａｌ势垒层有可能引起的ＤＸ中心对器件性能的不利影响......
将KrF准分子激光无铬接触式移相光刻应用于深亚微米HEMT栅图形加工，自行设计、组装了一套实验系统，很好地解决了这一器件制作的关键......
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影......
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生......
介绍了在无线应用中的两种 Si Ge器件工艺 :低压 IC电路和高压分立功率器件工艺。给出了器件的关键参数 ,并且讨论了这些参数对于......
分析了 Si C材料的结构类型和基本特性 ,介绍了 Si C单晶材料的生长技术及器件工艺技术 ,简要讨论了 Si C器件的主要应用领域和优......
一、集成电路产业和微电子科学技术的战略地位集成电路是指通过一系列特定的加工工艺,将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等......
对多晶硅薄膜晶体管器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行研究 ,给出了Ta、p Si等多晶硅薄膜晶体管器件中常见薄膜的刻蚀速率 ,通过......
8月29日,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一......
美国Mimix Broadband公司开发出型号为20MPAO289的GaAs MMIC 4 级功率放大器,该功放起到一个饱和输出级的作用。这种GaAs MMIC 4级......
日本芯片制造商东芝公司研制出一种GaN基FET,在6GHz这样的宽带无线通信协议如Wi MAX的重要频段下,其发射功率达到创记录的174W。该......
为保证微波集成电路(以下简称MIC)的长期稳定可靠,根据我们的工艺实践和体会,对影响MIC稳定可靠的宏观、微观缺陷及化学污染隐患进......
设计并研制了由InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱有源层、SiO2/TiO2介质薄膜和GaAs/Al(Ga)As半导体分布布拉格反射镜(DBR)构成的垂直......
研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
1.贴片元器件贴装工艺表面贴装工艺集合了窄间距技术(FPT)、计算机集成制造系统(CIMS)、焊接技术等。贴片元器件贴装工艺不同,则SM......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7......
硅作为信息载体在当今世界的信息革命中起着重要作用。硅的质量和硅的成本对集成电路生产有极大影响。因此,有必要在提高硅质量的......
用粉末冶金工艺制造钨硅化物溅射靶已为人们所熟知,本文提及的以自传播高温合成技术制取较好的基材—高纯钨硅的包复粉末是值得注......
IC 的性能与成品率和离子注入浓度的精度及均匀性有十分密切关系。MOS 器件工艺要求多次离子注入,其中最主要的一步是IC 阀值电压......
一、前言磁泡常规器件的许多功能是通过Ni-Fe合金薄膜图案完成的。因此,制备性能合乎器件要求的Ni-Fe膜是器件工艺重要的一环。磁......
该文叙述了Bi_2Te_3二元合金半导体制冷材料的空间点阵、相图和能带结构,介绍了制冷材料目前的性能水平。探讨了制冷材料的各性能......
使用一个聚焦染料激光系统,设计的修改可以很迅速的反应到集成电路薄膜显示的扫描机构中去。用这种技术直接在片子表向常规的光刻......
前四代计算机通常是按照其器件工艺技术来划分的,即电子管、晶体管,集成电路和当前的超大规模集成电路(VLSI)。第五代计算机概念......
本文总结用于航天机载处理的容错计祘方面长期研究的结果。随着器件工艺的改变,研制方案已从容错单处理机的设计进展到容错分佈计......
本文评述了红外电荷传输器件应用到系统的可能性。文章表明,器件工艺将给系统带来很大的影响。计算了量子效率、量子增益、频率响......
LPCVD是用于固体器件工艺的新技术。在工艺试验的基础上设计、研制成一台ZLPCVD-01型低压化学汽相淀积设备。本文根据减压下薄膜生......
一、前言 一般地说,氧是半导体材料硅中含量最多的杂质,其含量可达10~(18)cm~(-3)数量级。硅中的氧兼有优缺点。优点为“吸除效应......
制作无缺陷的CCD摄象器时需要在改进摄象器件工艺中鉴别缺陷的起因。在视频显示中,下列几种缺陷是经常观察到的:垂直和水平线、局......
