掩膜相关论文
作为典型的宽禁带半导体材料,氮化镓（GaN）具有介电常数小、禁带宽度大、导电性能良好、化学性能稳定等优点,在很多领域都有广泛的应......
“PERC+SE”单晶硅太阳电池制备过程中，相较于传统的酸抛工艺，在碱抛光工艺之前（即氧化环节）先要制备氧化层SiO2膜作为掩膜，以保护硅片......
提出了一种基于掩埋金属掩膜的表面光栅分布反馈半导体激光器制备工艺，该工艺方案可以减小器件工艺对光栅结构的影响，无需额外增加光......
遥感图像目标检测在民用、军事以及其他领域有着举足轻重的作用,然而由于遥感图像具有尺寸大、目标小且密集、目标呈任意角度分布......
由于噪声、阴影、条纹断裂及欠采样等因素的影响,完成相位解包裹是一个困难的问题。最小二乘法能够提供平滑解,但无法限制噪声的传......
氮化铝(AlN)作为第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，介电常数小，电子漂移速率较高，导热率高，化学性质稳定等许多优良的特性，是深紫......
光刻胶作为离子束刻蚀的掩膜已得到了普遍采用，由于它在受到离子束轰击时会发热收缩、不利于刻蚀线条高宽比的提高，限制了它的进一步......
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前......
用计算机研究并给出了深蚀刻二元光学元件制作误差对衍射效率影响的规律；将深刻蚀二元光学元件与一般二元光学元件制作误差规律的不......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
报道了一种结构新颖的Ｈ型垂直腔面发射激光器。器件是由钨丝掩膜一次质子轰击和选择腐蚀相结合制备的，实验已实现在脉宽为２０μｓ，占空比为......
TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一。研究了剥离工艺(lift|off)用于TiNi薄膜图形化的可行性，并首次利用溅......
为了实现在大视场范围内任意激光方向的探测,同时保证结构稳定、响应快和成本低等优点,设计了基于二维交叠掩膜编码方法的激光方向......
最近开展的一项国际合作项目研究小组在蓝宝石衬底上制作了一种难以置信的超高质量GaN外延层。这项制备工艺仅需要单步外延生长就......
摘 要：光纤光栅的切趾是光栅制作中一种非常重要的技术。提出一种简单的切趾光纤光栅的制作方法：根据准分子激光器的光斑能量分布图，......
为使用大面积均匀分布的微球掩模制作纳米柱LED,对胶体微球单层薄膜的自组装技术进行了研究。采用旋涂法、滴定法和气液界面法,对2......
光纤激光掩膜微细电解复合加工是微细电解加工与激光表面改性技术复合的加工方法,采用光纤激光器在304不锈钢表面以直写方式进行表......
当今时代,随着电子设备和社交应用的快速发展,各种数据信息爆炸式增长。如何从含有大量视觉信息的海量图像数据中,快速且精准地检......
生物大分子的三维结构信息对了解生命活动过程、解决医学问题至关重要。冷冻电子显微镜简称冷冻电镜,是结构生物学解析生物大分子......
摩擦诱导选择性刻蚀具有加工成本低、流程简单、低加工损伤等优势,是实现单晶硅表面微纳米结构构筑的重要途径.为探究摩擦诱导机械......
提出采用特殊制作的色编码板，结合空间分离取样技术及彩色荧光屏发光混合原理和方法，仅用单束光，制造一般二维物体的真彩色全息图，文中......
本文介绍我们通过掩膜图形的设计，在（１００）单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作错综复杂的正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小......
据英国 New Scientist 1993年2月13日报道,根据美国电报电话公司贝尔实验室发展的一种技术,可以更为廉价且方便地制成最先进的硅......
提出了一种新的算法——Magnitude Cut算法,用于从信号的变换域的相位来恢复信号.首先将重建问题等价转换为一个凸优化问题,然后通......
为了在304不锈钢表面上加工微小结构型腔,一套光纤激光掩膜微细电解复合加工装置被研发,对光纤激光掩膜微细电解复合加工的机理及......
光掩膜的制造是集成电路制造的关键工艺,掩膜的质量是直接影响到集成电路的技术性能和产品的成品率。特别是由于集成电路向着高密......
对于晶圆级封装中硅基盖帽的制备工艺,采用NaOH腐蚀体系对Si衬底进行湿法深腐蚀,研究了腐蚀液质量分数、添加剂添加量及腐蚀温度对......
随着城市化进程的不断加速,不透水面成为一种十分关键的地表覆盖类型之一,如何快速获取高精度的不透水面信息成为目前遥感研究的重......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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JPEG2000采用多种技术来实现其特点,其中的关键技术之一就是ROI(感兴趣区域)处理,它能够在一幅图像内实现多种质量的压缩。论文介......
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日本印刷学会技术委员会于去年年底,以电子工程学和网版印刷研究为题,举行了“电子工程产业未来制模技术开发”研讨会,这里作一简......
当FPGA作为ASIC(专用集成电路)的廉价替代品首次面市时广受欢迎.FPGA不仅没有掩膜成本,而且易于修改设计.似乎FPGA只需要不断提高......
瑞萨半导体推出了集成QzROM的单片机,QzROM既有Flash ROM的易用性,又具有掩膜ROM的低成本.一般的掩膜ROM产品易导致期末库存,造成......
对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度......
本文报道了采用选择区域生长（Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ， ＳＡＧ）方法，在 ＳｉＯ２作掩膜的 ＩｎＰ衬底上选择生长出高质量的 ＩｎＧａＡｓＰ－ＭＱＷ，并成功地制作出波长调谐范围达 ６．５ ｎｍ的可调谐 ＤＢＲ激光器和性......
当今社会已进入信息技术时代,集成电路已经被广泛应用于各个领域,典型的集成电路制造过程可表示如下:在此,我们重点是讨论集成电路......
HNA溶液(又称乙酸、氢氟酸、硝酸的混合溶液)作为刻蚀液,一般用于硅的各向同性湿法刻蚀程序中,而耐刻蚀性很好的氮化硅常被用作顶......
