寄生电容相关论文
FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
本文研究了P型保护环对双向可控硅（DDSCR）静电防护器件寄生电容的影响。在低压工艺下制备了不带保护环的低压双向可控硅（LVDDSCR）和带......
功率半导体器件作为电子设备系统的核心部件,已广泛渗透到消费、医疗、工业、运输、航天等领域,在人类日常生活及经济发展中扮演着......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
三相LLC谐振变换器在轻载工况运行时,会出现输出侧电压漂高失控的现象,这是由于变压器匝间电容与副边整流管的结电容的存在共同形......
针对LLC谐振变换器工作在高频条件下对平面变压器寄生电容较为敏感的问题,采用磁集成技术对变压器的二次绕组进行优化设计,使得变......
针对功率PMOS管驱动电路缺乏，从而引起其开关速度慢的问题，本文提出了可快速开关功率PMOS管的有源泄放驱动电路；由PWM脉冲控制有源泄......
本文分析了变压器寄生电容对LLC空载时的影响，并对副边采用铜带绕制的变压器，对进行寄生电容建模。通过测量变压器的阻抗特性，验证建......
生产单位检测合格的三相三线智能表到电力公司检测时计量误差会发生偏差,严重的会引起误差检定不合格,称这种现象为台差.为了解决......
本文分析了直接边界元素法计算VLSI中两类特殊结构互连电容器出现较大误差的原因,指出了均匀划分对这类特殊结构互连电容器存在不......
本文首先分析了一种集成EMI 滤波器中寄生电容的分布及其对差、共模等效电路的影响；接着详细描述了绕组中电势的分布，并从电容储能角......
本文提出一种基于Colpitts结构的新颖微波混沌信号电路结构。该电路采用共集电极组态，相比经典Colpitts混沌电路和现有改进型Colpit......
为了提高中子产额, 法兰克福强中子源采用Mobley型束团压缩器来增强打靶时质子流的密度, 其入口处由射频踢波器实现微脉冲的偏转,......
现阶段家用空调内外机间的通讯一般采用强电电流环通讯电路实现,但受到连接线寄生电容的影响,传统电流环通讯距离较短,通常只有30~......
电容式触摸屏测量系统主要实现电容到数字信号的转换,但芯片IO及PCB板上存在的寄生电容会严重影响电容测量电路中微小感应电容的测......
SiC MOSFET并联使用是提高系统功率密度的有效手段。在高频高压环境中并联使用的SiC MOSFET,由于寄生电感,寄生电容等因素的差异,......
本文分析了开关电源共模EMI产生原因及传播方式，介绍了传统共模EMI抑制方法的特点，并且针对正激式变换器分析了共模EMI传播模型，提出......
本文详细分析并讨论了以微波晶体管串联反馈振荡器的工程优化设计方法,推得了有关该论题简易计算公式,克服一般文献中对该论题分析......
Al栅可明显降低AM－LCD中a－SiTFT矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细介绍了Al栅的......
混成光电探测器的性能和灵敏度填补了简单PIN光电二极管与高增益光电倍增管之间的空白。
The performance and sensitivity of a ......
很多测试和设计功能要求采用频率精度优异的正弦波信号源.虽然信号发生器可在初始设计阶段用于精确的正弦波信号源,但是,它们的价......
3、带通滤波器(Band-passing Filter) 带通滤波器(BPF)在BL20106中采用标准二阶形式的有源滤波器,即其传输函数为如下标准形式: (......
本文通过大量实验,采用键合及背腐蚀方法研制成功 SOI 光波导,传输损耗仅0.85dB/cm.
In this paper, a large number of experime......
图1所表示的电路是一种直接采用一只低通滤波器,并通过其输入信号与滤波总输出信号相减的方法来构成一种稳定的高通滤波器的一种......
据《NEC技报》1996年第5期报道，NEC最近开发了栅长为0．07μm的CMOS。在1．5V电源电压下，其迟延时间为19．7ps。这种0．07μmCMOS器件采用如......
本文借鉴低频电路中用电流传送器综合低频有源电感的思路提出一种设计微波有源电感的新方法.根据这种方法.获得了八种微波有源电感......
本文报道了一种超高速ＥＣＬ静态二分频器；介绍了该分频器的核心器件─—ＮＰＮ晶体管的结构和实现该结构的有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发......
报道了６００门和８００门两种ＥＣＬ超高速移位寄存器；介绍了多晶硅发射极双极晶体管的结构和有关先进工艺，包括深槽隔离、多晶硅发射极、钴硅化物接触......
研究了氯掺合（Ｃｌｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）对非晶硅薄膜晶体管（ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ）性能的影响。在光照明下，ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比ａ＿Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的小得多，这是因为ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）的光电导率比常规ａ＿Ｓｉ∶Ｈ的小得......
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电......
阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端......
由于集成电路技术高速发展，精确提取任意形状寄生电阻电容变得十分重要。本文以直接边界元素法为基础，利用圆弧样条插值近似任意曲线......
分析了Ｄｉｃｋｓｏｎ电压倍增器模型的局限性，提出了适用于Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺的电压倍增器模型．用该模型研究了升压值与升压级数、升压时钟、升压管尺寸等......
ＳＯＩ材料技术的成熟，为功耗低、抗干扰能力强、集成度高、速度快的ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件的研制提供了条件。分析比较了ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件与体硅器件的差异，介绍了国外薄......
提出一种高频大功率选择性质子轰击掩埋新月型InGaAsP／InP激光器结构（SPB－BC）．用P－InP做衬底．500μm腔长，最大输出功率为80mW，调制带宽6．0GHz......
据日本《应用物理》1997年第2期报道，松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法（PEL），开发出了0．15μmT型栅的GaAsMODFET......
在ＭＯＳ结构的窄沟器件、倒比器件中，鸟咀区下的势垒层所构成的非本征电容Ｃｇｂ０对集成电路的高频特性有较大影响，但由于它与本征电容并联，且有杂......
第六章抗干扰问题1．与配线的耦合辐射电磁场与配线的耦合，因电磁波的传播方向和配线回路面之间的角度以及电磁场的电磁波和配线方向......
本文在传统的掩埋新月型激光器的基础上，提出了一种１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ大功率激光器结构－选择性质子轰击掩埋新月型激光器（ＳＰＢ－ＢＣ）．文中对其制作过程及特性进行......
在普通掩埋新月型激光器的基础上,提出了一种高频大功率的InGaAsP/InP激光器结构——选择性质子轰击掩埋新月型(SPB-BC),并对激光......
提出了一种自激式零电压ＤＣ－ＤＣ变换 器。分析了工作原理及实现全范围软开关的参数设 计。该变换器不同于依靠变压器磁化曲线形成状态转 ......
