LDMOS相关论文
H桥智能功率驱动IC（Integrated Circuit,集成电路）内部集成有提供功率输出的DMOS（Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,双扩散......
在功率半导体器件领域中,LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）器件因为栅、源、漏极均在同一平面且为多子导......
随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管（Lateral D......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
栅驱动电路（Gate Driver）主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料......
0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
功率半导体器件是一类可用于电能处理的半导体器件,具有高灵活性和高效率的特点。随着电能在人类生产生活中的应用越来越广泛,对电......
目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......
基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高......
1200V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）可应用于高压电机驱动和高压......
设计一种基于功率合成方式的功率放大器,工作于400～800 MHz频段范围.模块内部采用4个功放管合成的方式,可实现宽频带800 W的功率输......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
作为应用于电力领域的新兴的电力电子技术,功率半导体器件的研究和发展对促进电力电子技术的发展起着至关重要的作用。由于横向功......
射频大功率LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)以其高工作频率和高性价比而得到广泛的应用.而跨导决定射频LDMOS性能的重要静......
本文提出一种新型横向绝缘栅双极晶体管／横向扩散ＭＯＳ混合晶体管（ＬＩＧＢＴ／ＬＤＭＯＳ），在有非平衡电子抽出下截止瞬态响应的电荷控制模型，由考虑非准静态效应的......
Philips Semiconductors的新系列LDMOS射频功率MOSFET与硅二极晶体管相比,其增益较高,偏置较简易,互调失真较低,带宽也宽了不少。......
给出了横向高压器件ＬＤＭＯＳ、ＬＩＧＢＴ以及具有阳极短路结构的ＬＩＧＢＴ的输出特性、开关特性及耐压特性等模拟曲线，并对这三种器件的结构和性能进行了较系统......
飞利浦公司日前宣布,在LDMOS技术上取得重大突破,可降低3G蜂窝基站的复杂性和运营成本,同时大大增强性能和可靠性。采用飞利浦新......
飞思卡尔日前推出了超高效的射频功率晶体管MRF6P3300H,这种晶体管能为数字和模拟电视广播应用降低发射器功耗,并降低运营成本。 M......
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOILDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的......
建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下 LDMOS 漂移区......
提出了一个实现全耗尽与部分耗尽自动转换的体接触SOI LDMOS连续解析表面势模型.采用PSP的精确表面势算法求解SOI器件的表面势方程......
针对衬底辅助耗尽效应降低常规super junction LDMOS(SJ-LDMOS)击穿电压的不足,提出了一种新的具有部分n埋层的高压SJ-LDMOS器件结......
建立了PDP驱动芯片用高压LDMOS的SPICE子电路模型,该模型集成了LDMOS固有特性:准饱和特性、电压控漂移区电阻、自热效应、密勒电容......
提出了具有n埋层pSOI三明治结构的射频功率LDMOS器件.漏至衬底寄生电容是影响射频功率LDMOS器件输出特性的重要因素之一,寄生电容......
恩智浦半导体NXP Semiconductors宣布推出广播发射机和工业用600WLDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市......
2010年9月28日,德州奥斯汀——飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管,提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大......
研究了高压LDMOS(lateral double-diffused MOS)晶体管中一种特殊的电流饱和现象——准饱和效应.借助于TCAD模拟工具,澄清了准饱和......
提出了一种SOILDMOS大信号等效电路模型,并给出了功率增益和输入阻抗表达式.基于制备的深亚微米SOI射频LDMOS,测试了功率增益和功......
本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SO......
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50......
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后......
双RESURF技术的LDMOS具有高耐压、大电流、导通电阻低的特点,通过开发与BICMOS工艺相兼容的相关工艺技术,可以使超高压开关电源电......
本文对耐压要求为700V的LDMOS进行了研究。通过分析影响LDMOS参数的各种因素,以BCD工艺为基础,借助模拟软件Tsuprem4及MEDICI对Dou......
飞思卡尔半导体日前推出了全新的宽带射频功率放大器-新款Airfast AF-IC901NLDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款......
2016年8月29日,每年一次循例来为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch在深圳接受了专访,他说:“4G、5G基站大功率射频(......
作为射频领域的研究热点,功率器件LDMOS具有高耐压、好的热稳性、以及便于和普通MOS工艺集成等方面的优点。在器件小型化趋势下,LD......
绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)具有的高速、高集成度、低功率消耗、抗辐射特性和便于隔离等众多优点,使其普遍应用于高性......
电力电子技术堪称是全球第二次电子革命,如今关系着人们的生产生活以及国家的经济、政治及国防。以功率半导体器件为核心部件的电......
为了缓解LDMOS中比导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,提出了一种具有2层堆叠结构的LDMOS器件。该结构由2个独立的LDMOS器件堆叠形......
随着功率半导体器件工艺技术不断进步,新型器件结构层出不穷。LDMOS(Laterally Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor)以其......
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
