缺陷密度相关论文
研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池（LPC）性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明，三......
在wxAMPS太阳能电池数值模拟软件微平台上,对ITO/ZnO/界面层(IFL)/MAPbI3/Sprio-OMeTAD/Au结构的钙钛矿太阳能电池(PSCs)的电子传......
期刊
金属卤化物钙钛矿材料在太阳电池等光电器件应用方面取得巨大成功，短短十年便获得光电转化效率达25.2％的钙钛矿太阳电池.然而钙钛矿......
湿度辅助退火法是获得高效钙钛矿太阳电池(PSCs)的有效策略，已广泛应用于多种组分和结构的PSCs 制备过程中，然而，水分所起到的确切作......
本文主要研究CO2激光器辐照对室温条件下通过磁控反应溅射沉积的氧化锌薄膜结构及性质上的影响.分别采用X射线衍射仪、分光光度计......
薄膜缺陷是影响红外激光薄膜元件抗激光损伤的重要因素之一,长期以来一直是人们关注和研究的问题.本文介绍了红外激光薄膜缺陷的种......
核材料的发展始终伴随着核电站反应堆的发展，核工程材料是建设反应堆的材料，是核材料的一种。反应堆工程材料除了应具有一般工程材料......
碳纳米材料因其表现出优异的电学、热学、力学和化学等性能，受到广泛关注。本文采用磁分散电弧热等离子体裂解气相烃类小分子(CH4、......
通过对相同硅片不同时间低温退火和相同的高温退火后氧沉淀诱生缺陷密度的测量,判明氧沉淀核密度随低温退火时间的加长呈线性增加......
四年前,高温超导体首次发现以后,大量的高温超导材料相继问世。然而,其中仅有一种特殊类型的材料即薄膜超导体接近于现实应用。因......
共轭聚合物是由大量重复基元通过化学键连接的一维体系,具有独特的光、电、电化学等性质,已经引起学术界的广泛关注.由于共轭聚合......
用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范......
报道了硅片直接键合ＳＯＩ单模梯形大截面脊形波导的研制．对于波长为１．３μｍ的光，这种脊形波导的传输损耗小于０．８５ｄＢ／ｃｍ．
Reported the direct bonding si......
介绍了一种提高高功率激光反射镜镀膜损伤阈值的激光后处理技术，并着重就提高激光损伤阈值机理的实验和理论研究作了归纳和探讨。
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随着改革开放政策的逐步深入，我国的微电子工业有了飞快的发展，华晶电子集团公司MOS事业部和双极录像机电路、上海贝岭公司、菲利浦......
(一)实验 1.620℃低温退火对单晶缺陷的影响 620℃下1h,用OS法对比退火与非退火单晶。 2.停炉条件的影响 单晶收尾后以38.1cm/h的......
高浓度离子注入砷隐埋层技术与扩散锑埋层技术相比，具有表面浓度高，硅表面无合金点等优点。应用该技术成功地研制了具有国际先进水平......
利用电化学扫描隧道显微镜（ＥＣ－ＳＴＭ）初步研究了重掺锑硅（１１１）抛光片表面的微结构．多数硅晶片表面不同部位的ＳＴＭ形貌相表明，表面处理过程产生的微缺陷远......
研究了连续ＣＯ２激光对几种红外窗口材料的表面损伤特性，研究表明，损伤机制在于杂质缺陷吸收造成的热冲击应力破坏。深入研究了杂质缺陷密......
1996年6月在瑞士阿尔卑斯山胜地举行的第一届GaN会议（EGW－1）吸引了140余名访问者。技术节目共有64篇自投论文、3篇特邀报告，还有一个有......
S．Nakamura于1997年9月宣布，日本日亚化学工业公司的蓝光二极管激光器寿命已达1000小时以上，预计到1998年，用于数字视盘（DVD）的蓝光二极......
通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验、少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％～１５％，硅......
在宣布第一个连续输出氧化镓（GaN）蓝光半导体激光器（室温运转）之后的不到一年时间里，日本日亚化学工业公司的Nakamura等人又报导了演示......
本文为了适应21世纪初期超大规模集成电路发展的需要,提出了预测空气含尘浓度的方法。建立了空气含尘浓度C和空气粒子最大允许值E......
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻......
采用高压电子显微镜（ＨＶＥＭ）的原位观察技术，在１ＭＶ加速电压和室温至６５０℃加热条件下，观察了氢离子注入硅片中缺陷层的变化。在５００℃以下，氢离子注入缺陷......
硅技术的极限＠ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ硅技术的极限ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ晶体管的发明已有５０年的历史。这种技术发展到今天，能在几个平方厘米的单个硅芯片上装有多达１０亿个晶体管，该技......
极紫外光刻最有可能成为下世纪初批量生产线宽小于 0 1μm集成电路的技术 ,倍受世界各国 ,尤其是美国和日本两个集成电路生产大国......
在建立的理论模型基础之上 ,定量地分析了EL2能级对GaAsMESFET夹断电压的影响 ,指出位于本征费米能级以下的EL2能级是影响GaAsMESF......
1 前言对于 MOS 晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm 工艺技术的64MDRAM 中,要求薄膜减薄到1......
富士通研究所日前宣布,通过在晶体管沟道部位采用SiGe(硅锗)材料,并将沟道方向设定成特定方向(方向),从而成功地开发出了低耗电量......
美国Technologies and Devices International(TDI)公司在开发SiC功率电子新产品方面迈出了一大步,实验演示了一种1cm~2SiC二极管......
目前,鋼的热形变处理已引起了广泛的注意。这种处理就是将钢加热至奥氏体孕育期并进行变形,然后立即淬火以改善材料强度和延性的......
Intrinsic Semiconductor公司开发出无微管缺陷的SiC衬底。由于微管缺陷(即空洞)是伴随SiC生长的,它贯穿SiC材料,因而使得材料的成......
Cree公司近日获得美国海军实验室1210万美元SiC项目的合同。开发基于SiC的高电压开关和二极管,该公司将从现在到2006年11月期间开......
日立电线公司称,他们研发了间隙形成剥离法(void as sisted separation,VAS)技术推后了现有GaN生长的边界,现已成功制作了3英寸GaN......
非极性GaN基器件正在受到很大的关注,因为它们不受极化相关的电场伤害,但目前其性能受制于高缺陷密度。不过,现在这种情况可以完全......
本文在对现行本征吸收工艺的研究与分析的基础上提出了既能缩短退火时间又能产生高密度体内缺陷的连续升温本征吸收新工艺,经对比......
据《Semiconductor FPD world》2007年第10期报道,日本新日铁公司在计算机模拟技术的基础上,开发了坩锅晶体生产时可控温度分布和......
通孔消失是困扰半导体生产的难点之一.它与产品的生产合格率息息相关,正因为如此这一问题一直摆在业界工程师面前.由于这一问题的......
利用连续多模输出的圆形CO_2 激光束对钢进行连续、大面积辐照表面强化处理,得到了厚度均匀的表面层硬化带。它与未经激光处理的钢......
