耗尽层相关论文
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
相变存储器在读写速度、功耗、成本、抗辐射性和多级存储方面相较于其他类型存储器具有明显优势,最有可能成为下一代主流半导体存......
本文采用了一种新型结构器件—SEBISIT（Serial Bipolar Static Induction Transistot）,成功地改善了高压晶体管的抗核辐射能力。常规......
本文系统地研究电场辅助阳极连接的机理。在温度513K-713K区间，电压500V条件下，阳极连接了可阀（Kovar）合金/铝膜与玻璃片。对该试验提......
玻璃材料中二阶光学非线性的获得,可以将玻璃光波导器件由无源器件向有源器件扩充,使其在光通讯领域具有更为广阔的应用前景.但是,......
一种由光电阴极和多元雪崩二极管构成的混成光电探测器在几年前已研制出来.先前的研究表明,通过减少多元雪崩二极管入口处耗尽层中......
本文基于场致线性电光效应设计硅基电光调制器的电学结构,并应用ATLAS软件对这种结构的电学性能进行了仿真.综合评价MIS结构的适合......
利用准分子激光原位淀积法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁电薄膜,建立了一条修正的经验幂定律I＝A(ξV)α和一个层状铁电薄膜......
提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大......
从金属-半导体-绝缘体-金属（MSIM）层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因．对于这种结构，......
假设电场辅助阳极连接中玻璃的碱金属离子耗尽层内负电荷为均匀分布, 建立了耗尽层生长模型, 同时计算了耗尽层内电场强度分布以及......
研究有受主态扩散层的Schottky势垒型半导体陶瓷的晶界势垒.通过建立简化模型,引入参数K(扩散层内与耗尽层内的正空间电荷浓度之比......
设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型，描述硅光电二极管的工作原理。在^187Cs-661 keV的均匀高能γ场中，对AXUV-100......
利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT/PZT/BIT,PZT/BIT和BIT层状铁结构电薄膜,借助HP4192A低频率阻抗分析仪对样品的C-V特性进行......
在假设玻璃中只有一种正离子(Na+离子)可移动,Na耗尽层中负离子仅出现在耗尽层边的情况下,根据电学方程得出玻璃-Kovar合金阳极连......
文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法,讨论了一种基于RST结构原理实现"或非"逻辑功能的器件结构.......
在假设玻璃中仅有两种可动碱金属离子的情况下,提出了一个金属-玻璃电场辅助阳极连接模型.根据该模型,玻璃中的Na和K耗尽层厚度在......
采用修正的逾渗模型,通过简单的三维Monte Carlo计算,模拟了多孔硅中孔形成的动力学过程.计算结果表明:长成的孔的形貌主要与衬底......
假设阳极连接中玻璃的碱金属离子耗尽层内负电荷为均匀分布,建立了耗尽层生长模型,同时计算了耗尽层内电场强度分布以及金属阳极与......
利用脉冲激光沉积的方法,在Nb-1wt%：SrTiO3基片上分别生长了5nm和50nm的La0.67Ca0.33MnO3薄膜得到异质结.对该异质结电流-电压特性......
设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型,描述硅光电二极管的工作原理。在137Cs-661keV的均匀高能γ场中,对AXUV—10......
伴随人类工业化进程及社会现代化建设,丙酮、甲烷、乙烷等有毒有害气体正悄无声息地危害着人们的身体健康,成为潜在的安全隐患。因......
在研究影响绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管通态电阻物理机制的基础上,将通态电阻分解为沟道电阻、漂移区电阻和缓冲层电阻.计算沟......
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的.主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作......
分析了SITH沟道及外延层反向耐压承受能力,并通过对不同芯片的栅-阴击穿电压特性的测试结果的分析研究,论述了台面腐蚀是直接影响V......
近些年来随着自动化控制电路和半导体技术的发展,人们对压敏材料的要求趋向于多功能化和低压化,TiO2压敏电阻作为一种电容—压敏多......
制备了仿金属钝化膜的双极性环氧基有机涂层。测试了双极性环氧基涂层／16Mn体系在5％KCl溶液中的电化学阻抗谱，以研究该体系的性能及失......
现代的GaAs MESFET在输入功率增大时,都有输出功率饱和的现象。实验表明:这种功率饱和是由正向栅电导和反向栅-漏击穿等因素共同造......
采用双载流子模型的二维(2D)数字计算模拟了GaAsMESFET的雪崩击穿。模拟中包括了由碰撞电离而产生的电子-空穴对,而且还采用了GaAs......
本文对实验结果进行定性分析,用同一工作原理解释场效应管的三极管特性和五极管特性。五极管特性电流饱和的工作机理是漏压对源端......
微波晶体管可以作为6千兆赫下的小信号放大器和4千兆赫下的功率放大器。所有微波晶体管几乎都是硅平面型的。功率晶体管采用三种典......
关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应......
几十年以来，电子系统一直朝着高性能、小型化、低成本、低功耗和多功能的趋势发展。为满足这一发展需求，三维集成逐渐成为满足应用需......
