功函数相关论文
半导体光催化作为一种环境友好、可持续发展的技术,在水分解、二氧化碳还原和污染物降解等领域受到了广泛关注。然而,由于电子空穴......
低温、大电流、高稳定性、长寿命的阴极一直是新型阴极研究追求的目标,也是未来高功率、高频率真空器件发展的必然要求。为了进一......
石墨烯的发现引起了研究人员对于范德华层状材料的研究兴趣。半导体过渡金属硫族化合物（TMDC）属于范德华层状材料,因其具有很多优异......
过渡金属硫化物（TMDC）以其优异的性能和二维层状结构得到了广泛的关注。其超薄,没有悬挂键和可调带隙等不寻常的特性,使其在电子科学......
能源问题一直是全球关注的焦点,当前的能源转换主要基于热力循环的原理,转换效率十分有限。热电子发射能量转换技术是一种将热能直......
利用密度泛函理论和非平衡态格林函数相结合的方法,系统地研究了边修饰Net-Y纳米带的电子结构和器件特性的应变调控效应.计算表明:......
自从2004年石墨烯研制成功以来,越来越多的科研人员对二维材料产生兴趣。在过去的十年里,二维材料已经在电池、催化、电子学和光子......
稀土硼化物具有高熔点、高硬度、低功函数、低蒸发率、耐离子轰击能力强与物理化学性质稳定等特点,是一类优良的电子发射材料,在电......
电子化合物是一种新型功能材料,其中电子处于具有周期性的间隙位置,作为阴离子电子与阳离子成键构成化合物,这种特殊的晶体结构和......
电子化合物是一种间隙电子作为阴离子的离子化合物。阴离子电子使电子化合物具有高迁移率、低功函数等特性,在催化、金属离子电池......
界面能级调控是目前研究优化材料性能的关键步骤之一,界面问题也是目前研究热点.以Si/MoO3界面为例,通过利用多功能光电子能谱仪在......
基于密度泛函理论研究有毒气体(SO2、NO2、NO、CO、H2S、NH3和HCN)在二维碳化铝(AlC)纳米片上的吸附性能,并进一步计算各种吸附体......
科研人员近年来提出了石墨烯热电子能量转换器件(graphene thermionic energy converter,GTEC)的模型,对其物理机理与参数优化展开......
本文基于经典金半势垒模型构建了石墨烯/硅肖特基太阳能电池的二维工艺仿真模型,实现异质结特性参数(如结深、理想因子、串联电阻......
利用密度泛函理论中的广义梯度近似方法研究了不同配比、不同构型的PdAg(211)阶梯表面合金的表面能、功函数、d轨道中心以及态密度......
氧分子对钙钛矿的影响在实验中已被广泛研究，但是理论上的机理研究仍比较欠缺。本文尝试通过第一性原理的计算揭示氧分子和钙钛矿作......
FeO/Pt(111)是一个重要的氧化物/金属模型体系1,其结构与性质的理解对催化、光电器件等的研究十分重要2.尽管对单层氧化亚铁的研究......
近年来,硅/PEDOT∶PSS杂化太阳电池因其材料成本低廉、制备工艺简单和效率极限高等优点引起了人们的关注和研究。作为空穴选择接触......
为探究纯铁腐蚀产物对其腐蚀行为的影响机理,采用扫描振动电极技术(SVET)考察了Fe3O4、β-FeOOH和γ-FeOOH对纯铁腐蚀行为的影响,......
对晶体硅(c-Si)太阳能电池而言,氧化铝(AlOx)是一种广泛使用的钝化材料,因为它具有优异的沉积保形性和良好的钝化质量.为了确保AlO......
用计算机模式识别方法预测未知的合金中间相,是一种很有效的方法。用元素的价电子数Z、金属半径R、功函数φ等的函数张成多维空间......
通过第一性原理计算研究电场强度和方向对于g-C3N4/germanene双层的结合能、态密度以及电荷的影响.计算结果显示,电场对于双层的物......
从理论和实验上研究了材料功函数对场致发射稳定性的影响。研究发现，功函数是决定材料发射稳定性的主要因素。所得数据表明：（1）尖端功......
为了寻找适合真空微电子器件的场发射阵列（FEA）覆盖材料，我们采用了一系列功能材料作为覆盖膜，薄膜淀积采用离子束辅助淀积（IBAD）以及其......
本文报导了一种新型金刚石场发射阵列冷阴极的制造方法和电子发射性能，通过数据分析得到了这种金刚石场发射体的有效表面功函数和总......
聚合物材料由于成本低廉,器件制备工艺简单,高量子效率,因此近年来越来越受到人们的重视。用聚合物材料作为有源层制作的发光二极......
Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一......
介绍了有机ＥＬ在稳定性及寿命方面的最新研究动态，着重描述了器件功能层组合的相互接触、阴极、空穴传输层玻璃化温度和驱动条件等对有......
有机薄膜电致发光是双极注入的发光器件，电极及注入界面是影响器件性能的重要因素，采用高功函数透明电极及低功函数金属电极是普遍使......
光发射电子显微镜是 90年代初发展起来的一种新的表面原位技术 ,它能够在多相催化反应过程中原位、动态观察样品表面局域功函数的......
Cl在Ag(111)上的吸附过程可分为三个变化阶段,即(a)—(c).本文运用AES,UPS,ISS以及功函数等表面科学手段研究了Cl的吸附行为,并着......
在超高真空条件下,采用功函数连续测量、程序升温热脱附(TDS)、程序升温反应谱(TPRS)等方法,研究了D_2O在电解银表面的吸附和反应......
在超高真空条件下,用功函数测量、俄歇电子能谱(AES)、程序升温热脱附(TDS)等方法,分别研究了CO在富银和富钯合金表面上的吸附与脱......
在超高真空条件下,采用电子束阻挡势技术测量固体表面功函数连续变化,并与AES,TDS等手段相配合,研究了氧在Ag和Ag-Pd合金表面的吸......
研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功......
利用同步辐射光电子能谱研究了Fe/ZnO生长模式、界面化学反应和电子结构.结果表明,Fe在ZnO(000■)表面以类SK模式生长(单层加岛状......
随着金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistors,MOSFETs)等比缩小迈向45nm技术节点,金属栅......
通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现,Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能......
中国科学院微电子研究所(IMECAS)宣布在22 nm CMOS制程上取得进展,成功制造出高K金属闸MOSFET。中科院指出,中国本土设计与制造的2......
结合了“栅极工程”和“应变工程”二者的优点,异质多晶SiGe栅应变Si MOSFET,通过沿沟道方向使用不同功函数的多晶SiGe材料,在应变......
以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用......
基于表面势理论和电荷平衡方程,建立了一种单材料双功函数栅(single materialdouble workfunction gate,SMDWG)MOSFET的电容模型,......
