金属栅相关论文
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）于20世纪60年代首次制造时,使用铝（Al）作为栅电极。但是,由于Al的熔点低,不适合工艺,所以被......
本文介绍了介质波导漏波天线的辐射原理、周期性金属栅结构对波导传播常数的影响,和其在改变漏波天线方向图中的运用.并且以以上理......
提出了一种具有极高热稳定性的新型金属栅/高K栅介质结构-HfN/HfO2栅结构。利用所提出的具有极高热稳是性的HfN/HfO2栅结构，结合Si......
提出了一种使用金属栅脊加载矩形波导慢波结构的非共振斜注管.研究了金属栅脊加载矩形波导慢波结构的高频特性,并将其与矩形波导栅......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
本文简要地介绍了量子线与量子点的概念，并说明可利用电容测量研究低维系统的性质。
This article briefly introduces the concep......
本文论述了双栅ＭＯＳＦＥＴ的特性和工作原理，简单介绍了Ｎ沟Ａｌ双栅ＭＯＳＦＥＴ的结构设计和制造工艺
This article discusses the characteristics and worki......
本文讨论了扫描俄歇微探针（SAM）的绝缘介质膜分析，重点研究了氯化硅介质膜的SAM分析。借鉴国内外绝缘介质膜的SAM研究成果，通过多种方......
本文将直线法与快速付里叶变换（ＦＦＴ）和网络分解技术相结合，首次提出了一种新的快速算法，这一方法首先对任意入射角平面波激励下无限周期结......
以美国利诺公司Durafet pH电极为例,介绍了工业在线用离子敏场效应晶体管（ISFET）固体pH电极的基本工作原理和结构;给出了温度、响应......
建立了具有多个分布式Ｂｒａｇｇ反射结构的无源器件的研究方法。该研究可用于分析光纤光栅、表面波（ＳＡＷ）编码器、具有分布式Ｂｒａｇｇ结构的微波谐振器和金......
东芝公司的研究人员认为，２ｍｍ以下的薄栅介质是开发高性能晶体管的最佳材料。这意味着栅材料从现在采用的重掺杂多晶硅栅和ＳｉＯ２栅氧化层向金......
体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断......
富士通计划在2006年制造同时采用高k介质和金属栅的低功耗器件,这大约比发展规划提前一年。富士通的先进LSI研发主管 Toshihiro Su......
瑞萨(Renesas)公司宣布开发出一种具有低成本制造能力的极高性能晶体管技术,该技术用于45nm及45nm以下的微处理器和系统级芯片(SoC......
据《Semiconductor FPD World》2007年第7期报道,IBM,Chartered Semi-conductor,Infineon Technologies,三星电子和Freescale Semi......
日本瑞萨科技为计划在2008年投入量产的45nm工艺SoC(系统级芯片)开发出了低成本CMOS技术。通过采用在pMOS中使用金属栅、在nMOS中......
去年12月发布的ITRS2006修正版,基本未对主要版本ITRS2005做过多的修改。不过有一个例外就是增加双重图形作为潜在的45nm光刻解决......
研究了Ni全硅化物金属栅功函数调整技术.研究表明,通过在多晶硅硅化前向多晶硅栅内注入杂质能够有效地调整Ni全硅化物金属栅的栅功......
在高性能晶体管领域,IBM Corp.的主要对手通常是Intel。然而,今年IBM的工程师们从在美国Honolulu召开的2008年VLSI技术论坛返回时,......
据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。根
Accordi......
根据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。来自AMD公......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
国际微电子学中心(IMEC)报导在采用铝(Hf)基高K介质和钽钛(TaC)金属栅来提高平面CMOS性能旨在用于32nm CMOS节点方面取得了显著的......
工艺诱导电荷所产生的缺陷正在成为造成下一代器件良率损失的问题,促使晶圆加工过程中需要更加严格的工艺控制。45nm器件生产过程......
通过制备栅内不同掺杂条件的Ni全硅化金属栅电容并分析其C-V和Vfb-EOT特性发现,Ga和Yb较常规的杂质而言具有更好的栅功函数调节能......
据EETimes网站报道,英特尔斥资30亿美元建造的一座12英寸芯片厂近日正式投产,这是英特尔首座采用45纳米工艺的大规模芯片制造厂。......
以先栅和替代栅二种集成方案制造了有代表性的高k/金属栅MOS电容堆叠。除了TiN金属栅外,基于铝和镧的覆盖层(二者均广泛在产业中用......
目前,AlGaN/GaN HEMT因为其具有非常优良的电性能而使得它在微波大功率应用方面极受关注。但其性能一直受到一些因素的限制,之中最......
研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样......
随着晶体管向10nm、7nm甚至更小尺寸的发展,半导体行业面临着真正的材料选择困扰。基板、沟道、栅和接触材料都迫切需要评估。“在......
金属纳米点可应用在催化、环境修复、DNA侦测与高密度数据存储等领域，其中某些应用需要周期性金属纳米点阵列。美国普林斯顿大学的......
在超大规模集成电路(VLSI)习惯设计中,很困难和消耗时间的工作是以逻辑设计转换成版面图的工作。有一种排列标准逻辑单元的方法,具......
自从1972年 IBM 公司采用自己设计的2 K 位MOS RAM 作为主存器件以来,其它半导体厂家已大量生产4K、16K 和64K 位的存储组件,但该......
MK4096P是容量4096×1单元N沟道金属栅MOS随机存储器。设计的主要目的是为了在一个芯片上能实现使用方便和经济的优点。为达到使......
本实验的目的是研究一种在2.3千兆赫下具有下述连续波性能的高可靠晶体管:20瓦的输出功率,6分贝的功率增益,40％的效率。本合同所研......
用液相外延法生长了高纯 In_(0·53)Ga_(0·47)As 外延层,其室温电子迁移率高至13,800cm~2/v·s,相应的净电子浓度在10~(15)cm~(-3......
随着芯片尺寸和集成电路密度的不断增加,多晶硅互连线的电阻限制了总的电路性能。本文将对用于增强或代替多晶硅的难熔栅的现状进......
MOS 材料和工艺的改进使 MOS 器件和双极器件之间速度的差距大大缩小。例如,多晶硅栅已把 MOS 的速度提高2～3倍。现在,采用耐熔的......
MIS器件是研究窄禁带半导体材料碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)体内及其界面特性的有效工具。我们主要对一种由双层介质组成的Hg_(1-x)Cd......
