短沟效应相关论文
合作制备了体硅0.6μm工艺直栅和环栅不同设计结构的MOS器件，开展了稳态高剂量率电离辐射总剂量效应试验。通过对实验数据进行分析，......
ＳＯＩ－ＭＯＳＦＥＴ主要模型参数得到一致的提取，因而该模型嵌入ＳＰＩＣＥ后能保证ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的正确模拟工作，从ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和环振电路的模拟结果和实验结果看，两者符合得较好，说......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
本文报道了薄膜ＳＩＭＯＸ／ＳＯＩ材料上全耗尽ＭＯＳＦＥＴ的制备情况，并对不同硅膜厚度和不同背面栅压下的器件特性进行了分析和比较．实验结果表明，全耗尽器件完全......
本文针对衬底正偏的ＭＯＳＦＥＴ的解析模型进行了讨论．在已有ＭＯＳＦＥＴ理论基础上，仅引入一个参数ξ，便得到了全偏压范围的ＭＯＳＦＥＴ的解析表达式的通式．当ξ＝１时，该表达......
利用能量输运模型（ＥＴＭ）系统研究了沟道δ掺杂分布对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响；发现δ掺杂结构不仅能够有效地抑制短沟道效应，而且可以获得较......
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反......
本文在分析ＦＤＳＯＩＭＯＳＦＥＴ特殊物理结构的基础上提出了一个新的适用于深亚微米器件的强反型电流物理模型．模型包括了大部分的小尺寸器件效应如迁移......
通过求解经修正的二维泊松方程，并考虑了主要的短沟效应和高场效应，得到一个描述短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件Ｉ－Ｖ特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚......
体硅CMOS技术已经发展了25年以上,成为VLSI的主流技术,通过不断缩小器件尺寸CMOS VLSI的集成度已增长了6个数量级,电路性能也不断......
1 前言所谓0.4～0.5μm 时代,就 DRAM 而言,恰处于从64M 到256M 的过渡阶段。长期以来,DRAM被誉为半导体技术的“技术驱动器”。事......
在高性能晶体管领域,IBM Corp.的主要对手通常是Intel。然而,今年IBM的工程师们从在美国Honolulu召开的2008年VLSI技术论坛返回时,......
在IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,IMEC报告了一项重大进展,即在32nm节点上,利用铪基高k介质和TaC金属栅极可显著提高平面CMOS的性......
亚阈值数字电路技术是特殊的超低功耗技术,适用于对低功耗要求苛刻,但速度要求不高的应用领域。该文提出了亚阈值数字标准单元设计......
在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射......
源／漏离子注入诱生的点缺陷横向扩散所引起的逆短沟效应＝Ｒｅｖｅｒｓｅｓｈｏｒｔ－ｃｈａｎｎｅｌｅｆｆｅｃｔｄｕｅｔｏｌａｔｅｒａｌｄｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆｐｏｉｎｔ－ｄｅｆｅｃｔｉｎｄｕｃｅｄｂｙｓｏｕｒｃｅ／ｄｒａｉｎｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ［...
Reverseshort-channeleffectduetolateraldiffusionofpoint-defectindu......
研制了适于毫米波频段工作的GaAsMESFET。这些器件的特点是电子束确定亚半微米栅长,用MBE生长材料。有源层掺杂浓度为6×10~(17)/c......
一、引言 在VLSI时代,传统的设计方法已无法满足众多品种电路的需要和设计时间短促的要求。因此,出现了一些新的设计方法:(1)可编......
半导体存贮器集成度的提高是惊人的,随着每位单价的下降,市场对集成度提高的要求愈来愈强烈。作为1981年开始大量生产的64k位动态......
由于SIMOX SOI(氧离子注入隔离绝缘体上硅膜材料)能很好地满足当今的集成电路要求,并能同传统的集成电路制造兼容,它越来越广泛地......
本文设计和研制了具有稳定共模反馈电路的高频片内CMOS平衡运算放大器。电路用3μmN-WELL CMOS硅栅工艺实现,提高了增益、带宽、电......
为研制 ＶＬＳＩ１６Ｋ－ＳＲＡＭ，开发了一种 ３μＮＭＯＳ双层多晶工艺。对整个工艺流程以及主要的工艺问题进行了广泛的研究。某些技术难点，例如窄沟效应，浅结欧姆接触......
本文描述2μm外延N阱CMOS工艺的研究,在工艺模拟和实验的基础上制定了合理的、可行的工艺流程.在工艺中成功地应用了全离子注入和......
前言内含高速分频电路的频率合成器用的PLL IC,对以高速为目标的IC技术人员来说是最好的研制对象。在这个领域中,它并不象最近报......
随着半导体器件尺寸的不断缩小和结构的日趋复杂,常用的解析分析模型往往不能满意地描述器件特性.因此,七十年代以来,二维及三维......
利用设计在芯片上的晶体管电容测试电路比较方便和直接地测量了小至10~(-15)～10~(-16)F 的短沟道MOSFET 的棚—源、栅—漏电容。测......
一、引言 随着MOS集成电路向短沟道、高速化发展,MOS晶体管电容对电路性能的影响更为突出。对电路性能影响较大的栅—漏,栅—源本......
本文中,我们介绍了一般的按比例缩小理论,该理论在电场分布形状始终保持一定时,允许独立地按比例缩小场效应晶体管的物理尺寸和电......
在物理设计过程中,进行精细布线前,希望对基于网线上接点界盒的互连延迟、每一长度的电容-电阻之水平垂直估算值限界,还希望根据限......
最近日本富士通公司开发了一种LNA用的新材料系统P-HEMT,它与常规P-HEMT不同,其电子供给层是n-InGaP,而不是n-AlGaAs。因为InGaP......
本文从纵向结构设计的角度,回顾和评述了高电子迁移率晶体管(HEMT)十年来的研究与进展,并展望了未来的发展趋势。
In this paper,......
亚微米近本征薄膜互补ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＝Ｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒｎｅａｒ－ｉｎｔｒｉｎｓｉｃｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩｃｏｍ－ｐｌｅｍｅｎｔａｒｙＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｌｅｅ，Ｃｈｕｎ－Ｔｅｈ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｌｒｏｎＤｅｖ，－１...
Submicron near intrinsic thin film complementary SOIMOSFET = Submicrometernear-intrinsi......
本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流......
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...
Two-dimensional analytical model of the very thin SOIMOSFET = Two-dimensionalanalyticodelin......
本文介绍了我们开发的２μｍｐ阱ＣＭＯＳ工艺，包括不同工艺方案的设计，主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比，最......
在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的......
基于电荷分享原理，推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应造成的阈值电压下降，分析了栅氧经层厚度、衬底掺杂浓度及硅膜厚度等因素对短沟效......
该文利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达式。均匀掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ、该征掺杂沟道体硅ＭＯＳＦＥＴ和ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ短沟效应数......
该文通过分离变量法求解全耗尽ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ的沟道区所满足的二维泊松方程建立了适用于深亚微米器件的阈电压的解析模型。在此基础上，根据该模......
多晶硅薄膜晶体管(Poly-Si TFT)因其在有源矩阵液晶显示器(AMLCD)、固体图像传感器、打印机、扫描仪以及三维(3-D)集成电路等方面......
