关断损耗相关论文
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件，具有工作频率......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）凭借其高输入阻抗、低导通压降、低驱动功率等优势,广泛应用于轨道交......
随着电力电子技术的发展,人们要求不断提高电能的转换效率。绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）作为半导......
随着电力电子技术飞速发展,大功率直流变换技术越发起着至关重要的作用。全桥变换器具有拓扑结构简单、控制简单、高效率的优点,广......
为优化IGBT内部载流子分布,改善器件开通导通压降与关断损耗的制约,本文介绍了2005-2013年间ISPSD会议发表的具有代表性的IGBT表面......
介绍了用于铁路机车车辆驱动装置的 2 0 0 0VIGBT模块的开发经过与动向。由于2 0 0 0V、330 0V、4 50 0～ 650 0V的耐压系列化 ,几乎......
本文介绍了一种新型的非穿通型（ＮＰＴ）绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）。该器件直接基于体硅材料上而没有任何降低寿命的步骤。论证了此器件能兼具低通压......
在大功率晶体管变换器中 ,驱动电路是整个功率变换器的关键。驱动电路设计的如何 ,直接关系到整个功率变换器的工作状况。本文介绍......
仙童公司(Fairchild)面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET,与通常的500V电压等级的MOSFET相比,它可以降低全方......
在高频开关电源应用上寄生电感经常会导致开关装置产生过电压并增加半导体器件的关断损耗。通过引入智能功率模块的设计概念,可以......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HV IGBTs)的成功串联应用。穿通型HV IGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾......
介绍了5.2kV高压绝缘栅双极型晶体管(HVIGBTs)的成功串联应用。穿通型HVIGBT串联应用时要完全控制感应过电压,最大的障碍是拖尾电......
研发了3.3kV高速IGBT模块。优化寿命控制极大降低了关断损耗和恢复损耗。该高速特性适用于双向和中频应用,例如谐振DC/DC转换器。......
针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应......
2014年7月8日,意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,In-sulated-GateBipolarTransistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技......
阻容二极管吸收电路是防止功率晶体管(BJT)、可关断晶闸管(GTO)等功率电子器件关断损坏的有效保护电路。本文通过分析,介绍正确选......
本文主要阐述了MOSFET在模块电源中的应用,分析了MOSFET损耗特点,提出了优化方法;并且阐述了优化方法与EMI之间的关系。
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提出一种利用浅槽隔离(STI)技术的超薄顶硅层绝缘体上硅(SOI)基新颖阳极快速横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT),简称STI-SOI-LIGBT。......
发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......
感应加热电器通常采用谐振拓扑结构,需要单管IGBT在18 k Hz~40 k Hz的开关频率范围内表现出最佳性能。英飞凌推出能够满足这些需求......
继高压软穿通(Soft-Punch-Through,SPT)IGBT的成功推出,本论文将介绍采用新研发的SPT+技术的下一代HV-IGBT。新型IGBT,除了与成熟......
根据电力电子技术及电磁学原理 ,分析了用于电子镇流器的双极晶体管零电压开关半桥电路的工作机理 ,从有关元件功能和正确选择方面......
大功率绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)混合式高压直流断路器是适应多端柔性直流输电工程发展的关键......
基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片.该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降......
金星C491型彩电开机屡烧开关管,多发生在R715开路而且V720的β值太大的情况下。事故往往发生在输出电压接近正常值之前的一瞬间,......
专家点评:鉴于以上缺点,并联式开关电源除了由启动电路、振荡电路、误差取样放大电路和脉宽调节电路组成的常规电路外,为了保证开......
文章对射极开路关断电路及原理作了详细地介绍。通过实验证明：这种关断方案既大大缩短了功率管的存贮时间和电流下降时间，加快了关断......
采用新型阳极短路环的发射极结构，在国内首次开发成功了１０００Ａ／２５００Ｖ和２０００Ａ／２５００Ｖ的大功率阳极短路型ＧＴＯ晶闸管。该文给出该ＧＴＯ的基本设计原则和制造工艺，并获得了......
介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT).一方面,覆盖在硅表面的高介电常数......
电力电子技术就是对电能进行变换和控制的技术,广泛应用于电力系统、电气传统装置及各种电源设备中。电力电子变换的本质就是利用......
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一......
分析了单声光器件、超声场相互平行和正交两声光Q开关器件衍射损耗 ,根据声光互作用理论 ,给出拉曼 奈斯衍射的超声场相互正交和......
提出一种由二极管、箝位电容、单管直流变换器及其控制电路构成的低损耗馈能式箝位电路。根据箝位电容电压幅值来控制单管直流变换......
介绍了一种具有新型耐压层结构的IGBT--低功耗IGBT.新结构用三重扩散的方法在n-单晶片上引入了n+缓冲层.保留了NPT-IGBT中薄而轻掺......
随着电力电子器件的发展,开关电源朝着小型化、轻量化和高效率方向发展,致使开关器件大部分都工作在高频开关状态。功率器件在开通......
根据声光互作用理论,给出拉曼-奈斯衍射的超声场相互正交和平行的两声光Q开关器件衍射损耗的表达式,分析了单声光器件、超声场相互......
研究移相控制全桥零电压开关脉宽调制变换器(FB-ZVS-PWM)的换流过程.针对其滞后桥臂负载电感偏小给零电压导通造成困难的特点,文中......
功率双极晶体管的损耗是开关电源总损耗中的最多的器件之一,采用10 M eV电子辐照来降低功率双极晶体管的下降延时,以此来降低功率......
传统的Boost ZVT PWM变换器的主开关管实现了软开关，但是辅助开关管是在硬开关下关断。因此，变换器的效率低。提出了一种新型的Boost......
传统沟槽型4H-SiC IGBT中关断损耗较大,导通压降和关断损耗难以折中。针对此问题,文中提出了发射极区域含有低寿命区,同时集电区引......
飞兆半导体公司目前推出两种新型1200V IGBT模块——FMG2G50US120和FMG2G75US120，电流额定值分别为50A和75A，具有良好的导通损耗(VCE......
探讨了一种适合MHz级高频逆变器的无损谐振极电容缓冲器。详细分析了逆变器的换流过程．研究了不同谐振极电容值对器件关断损耗和总......
分析了影响电力静电感应晶闸管阻断电压BVAK的因素,提出了提高BVAK的方法,并构造了几种阳极结构.在实验了3种结构的基础上,给出一......
