激光再结晶相关论文
以CW Ar 激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40 μm2,杂质分布均匀,电学性能大大改善......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为......
能在高温下测量的ＳＯＩ型压力传感器长谷裕二等１．开发过程当前半导体压力传感器大多用于油压、气压等的压力测量，它的特点是灵敏度高、精度......
利用激光再结晶多条结构多晶硅膜作为半导体,研制出电子回旋共振(ECR)等离子氢钝化的高性能薄膜晶体管(TFT)。这些多晶硅TFT具有n......
发展在绝缘衬底上得到电子学级硅薄膜的技术有很重要的技术意义。这种薄膜在介质隔离的集成电路、大面积平面显示电路和“高层”......
日本三菱电机公司采用激光再结晶化(SOI)技术研制成延迟时间为280微微秒的高速CMOS元件.SOI技术是使电路元件多层化,提高集成度,......
对具有侧向籽晶的绝缘衬底上的多晶硅薄膜的连续氩离子激光再结晶进行了研究.实验结果显示出明显的籽晶外延效果,外延的最大晶粒已......
绝缘衬底上以低压化学汽相淀积得到的多晶硅膜,经连续Ar~+激光再结晶后,电学性质显著改善,晶粒尺寸从原来的200～500埃增大到10μm左......
自从1977年以来,半导体的激光表面处理是国际上很活跃的研究领域。据不完全统计,截止1981年7月,发表的论文数在800篇以上,近几年......
近年来在硅单晶上热生长厚度约为1微米的二氧化硅绝缘层,然后在其上低压化学汽相沉积厚度为0.5微米的多晶硅膜,经连续Ar~+激光再......
本文着重分析了一些正在发展中的激光微加工技术的现状和前景。并对今后微加工技术研究方向提出了一些看法。
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本文介绍了新型SOI(硅绝缘膜)结构,用来解决电荷耦合器件(CCD)结构无法解决的拖尾问题(局部强光照射时,在画面的上下部位出现白带......
激光再结晶的SOI材料有着重要的应用前景.本文研究了调Q红宝石脉冲激光、调Q Nd:YAG激光和连续Ar~+激光辐照多晶硅—二氧化硅—单......
SOI(Silicon on Insulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementary matal-oxide-semiconductor-large scale integrated circuits......
用MOCVD法在绝缘衬底上生长了多晶GaAs膜。这种膜表面平坦光亮,结构细密,晶粒均匀,具有GaAs化学计量。用连续氩离子激光扫描,多晶G......
在电阻率为6～8Ω·cm的N型硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W......
CW Ar~+激光再结晶的 SOI薄膜中注入能量为100keV,剂量为1×10~(13)-1×10~(16)cm~(-2)_的As~+,然后以高频感应的石墨加热器进行快......
用Mo-CVD技术已研制了几种特种半导体材料,(1)注氧GaAs衬底上生长GaAs:根据注氧剂量的不同,已获得各种结晶的GaAs外延层。这种材料......
激光在半导体电子工业生产中已得到日益广泛的应用,这是激光微加工最集中、最重要的应用领域.所谓激光微加工,系指激光与被加工材......
用CW Ar~+激光对B~+注入(60keV,5×10~(15)cm~(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后......
产生器件适配的绝缘体上的硅薄膜有不同的方法。但是大多数不适用于三维(3D)集成结构的制造。激光再结晶技术目前是生产3DIC用的单......
绝缘层上的硅单晶生长(SOI)技术,是可能实现高性能、高可靠性CMOS—LSI或高性能薄膜晶体管固体显示等器件的新的半导体工艺技术。......
绝缘层上多晶硅的激光再结晶所制备的SOI(sil con on insulator)材料,可用于制造高速、抗辐照器仲,复合功能电路及三维结构的集......
本文讨论了珀耳帖效应对无序绝缘衬底上多晶硅激光再结晶的影响.在激光扫描的同时给样品通以电流,在固液界面处珀耳帖致冷和致热效......
在Ar~+激光再结晶多晶硅岛上制备出的CMOS/SOI器件,性能良好。N沟和P沟MOSFE7在沟道长度为4μm时,低场电子和空穴表面迁移串分别为......
在绝缘层上生长硅材料的 SOI(Silicon on Insulator)技术对于制作高密度的 MOS 电路与新型的三维集成电路有重要的应用前景,近几......
连续Ar~+激光再结晶能使多晶硅的电阻率下降,迁移率显著增高,对离子注入剂量为5×10~(11)—5×10~(15)cm~(-2)的多晶硅经激光再结......
本文报道了一种三维(简写为3D)CMOS集成电路制造工艺及其性能.在P型单晶硅片上制作NMOS晶体管,在连续氩离子激光再结晶的N型多晶硅......
一、三维集成电路随着大规模集成电路集成度的提高,通常的二维集成电路逐渐受到微细加工精度的限制,研制新型的真正立体结构的三维......
本文研究的温差电堆的单元对为多晶硅-金属(Au或Al)结构,其中多晶硅经连续波A_r~+激光再结晶处理后,电阻值降低,温差电堆器件的塞......
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激......
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ的微结构和微缺陷。实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分......
本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作......
介绍了大面积低温多晶Si薄膜晶体管液晶显示技术的发展水平.最近,低温多晶Si薄膜晶体管业已取得很大进展,比如高质量多晶Si薄膜的......
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激......
