SOI器件相关论文
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧......
使用半导体器件数值分析工具 DESSISE- ISE,对侧向的 P+ P- N+栅控二极管的正向 R- G电流对 SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行......
本文较为详细地分析了SOI器件的边缘寄生效应,在这一基础上研究了能够较好地抑制此效应的反应离子刻蚀工艺。应用这种新工艺,已成......
随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(SO......
提出了一种可用于高压SOILDMOS器件的SOI材料的工艺制备技术。通过该工艺技术，获得了第一埋氧层图形化的Si/SiO2/Poly/SiO2/Si5......
针对当前微加速度计系统机电联合仿真模型不够精确，参数提取过程复杂等特点，根据运动学理论，结合SOI器件层应力梯度分析，提出了基......
为利用SOI技术的优点，尝试用热导率更高的材料代替SiO2做为绝缘埋层，并在此基础上探索新型SOI器件结构，正是基于这种思想提出了相......
该论文主要围绕膜全耗尽SOIMOSFET的电容模型,进行了理论以及实验两方面的研究 工作.首次对不同器件物理参数及工艺参数对栅电容的......
SOI(Silicon-On-Insulator)CMOS技术在RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuits)中应用和体硅CMOS技术相比有着低功耗,高速度,良好......
SOI器件较体硅器件更适合高速低功耗的设计需求，同时表现出更好的尺寸缩小特性，因此作为体硅工艺的替代技术得到了相当的发展，其中SOI......
本论文提出了一种新型的部分耗尽SOI器件-T形体区(T-ShapedBody)部分耗尽SOIMOSFET‘(简称TSBSOI器件)。TSBSOI器件的显著特征为：器......
SOI CMOS器件可实现完全的介质隔离,具有寄生电容小、集成密度高、低功耗、可以避免闩锁效应以及良好的电学特性等优点,正逐渐成为......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟......
本文介绍了Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器、超高速ＳＯＩ器件及电路、超高速双极电路、ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结器件和电路、智能功率等模拟集成电路的发展概况。......
本文在分析薄膜全耗尽ＳＯＩ器件特殊物理效应的基础上，建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移......
本文介绍了适合于薄膜亚微米、深亚微米ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的二维数值模拟软件。该模拟软件同时考虑了两种载流子的产生－复合作用，采用了独特的动态二步......
利用薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ工艺成功地研制了沟道长度为１．０μｍ的薄膜抗辐照ＳＩＭＯＸＭＯＳＦＥＴ，ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ反相器和环振电路，Ｎ和ＰＭＯＳＦＥＴ在辐照剂量分别 为３×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）和７×１０＾５ｒａｄ（Ｓｉ）时的阈值电压漂移......
本论文着重论述未来ＣＭＯＳ进入纳米尺寸的关键挑战，如电源电压和阈值电压减小、短沟效应、量子效应、杂质数起伏以及互边线延迟等影响。分......
文内提出了一种正确的直流稳态二维短沟道SOI-MOSFET器件的数值模型。所选用的基本方程是:泊松方程、两种载流子的电流连续性方程......
本文较为详细地描述了凹陷沟道ＳＯＩ器件的结构和工艺制造技术，采用凹陷沟道技术制备的ＳＯＩ器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全......
针对SOI器件中的态浮体效应进行了一系列的数值模拟，通过改变器件参数，比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应，同时也研究和分析了瞬......
使用半导体器件数值分析工具DESSISE－ISE，对侧向的P^+P^-N^+栅控二极管的正向R－G电流对SOI体陷阱特征和硅膜结构的依赖性进行了详尽的......
分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响，给出了器件各结构参数的优化方向，找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区．......
提出了一个新的物理解析模型分析薄膜ＳＯＩ ＭＯＳＦＥＴ强反型上的浮体效应，该模型考虑了器件的各种寄生电流成分，着重研究了浮体电位肛春对其他器件......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
本文利用薄膜双栅ＳＯＩ器件在阈值电压附近硅膜中的常电位近似，得到一个通用的薄膜双栅ＳＯＩ器件电流模型，数值模拟结果与实验值吻合较好，文中特......
本文介绍了基于总线集成控制技术设计的SOI器件高温环境实验装置的智能控制系统。该系统集信号检测、实时全程监控、自动记录及故......
随着我国军事工业与航空航天技术的飞速发展,越来越多的电子设备要在各种辐射环境中应用,但是在宇宙空间、核试验的环境下,存在着......
从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏......
本文在仔细分析薄膜SOI器件特点及其特殊物理效应的基础上,发展了电路模拟所需要的N沟道薄全耗尽SOI膜MOSFET强反型电流模型.模拟......
为适应SOI技术的发展,探索相关材料参数受辐射影响程度及器件的抗辐射性能,研究了不同硅膜厚度SOI器件的总剂量辐射效应。采用^60C......
随着微电子技术的高速发展，尤其是微细加工技术的突破，器件按比例缩小至涤亚微米（0.25μm）以下时，传统体硅工艺已不适用了，而薄膜SOI器件......
SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
本文介绍了一种基于SOI器件的高温DC/DC电源的设计。本文重点讨论了电路拓扑结构的设计、高温元器件研究、结构设计和高温工艺设计......
硅纳米线围栅器件结构凭借其理想的短沟道抑制能力和高驱动电流,是适合于纳米尺度领域应用的最理想器件结构。北京大学已经提出了......
近年来,随着便携式系统和无线通讯系统的迅速发展,电子产品的消费已经转移到射频领域。这为SOI技术的应用开辟了广阔的前景：一方面,......
