表面态相关论文
光电化学分解水技术利用太阳的能量分解水制备氢气,是一种将可再生的清洁能源转变成化学能的形式存储起来的新型制氢方法,是目前解......
得益于GaN材料的宽带隙、高饱和速度和高击穿电压等特性,GaN基高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor,HEMT）在高温......
通过圆偏振光致电流及反常圆偏振光致电流的光学实验方法,研究磁性掺杂对三维拓扑绝缘体的影响.在圆偏振光激发下,相对于未掺杂三......
在凝聚态物理中,近藤效应由于其电子关联现象而被广泛研究。它描述了磁性杂质在非磁宿主中与周围传导电子发生自旋相关的相互作用......
碳点,因其优异的光学性能和强的电子传递能力、低毒性、高灵敏度、良好的生物相容性、稳定性而受到人们的广泛关注,并在电致发光器......
纳米材料科学是一门涉及多学科领域的科学，纳米颗粒由于尺寸小能产生量子尺寸效应，表面效应，介电限域效应和宏观量子隧道效应等。它们......
本论文旨在利用第一性原理计算和Wannier紧束缚模型分析,从理论上研究了一种新发现的碳的同素异构体mC24的各种结构相关性质和体态......
侧向光伏效应和电阻开关效应是纳米半导体材料中非常有应用前景的两种效应。侧向光伏效应能够精密地测量微小位移,所以应用于高能......
拓扑学源于欧洲的七桥理论,后来被数学界发展为研究空间和维度的科学。近些年拓扑理论扩展到了凝聚态领域,并在此发现了一种全新的......
PbS量子点由于其简单、低成本的生产工艺、独特的带隙可调性和潜在的多激子产生效应,在光伏器件中具有广阔的应用前景。由于量子点......
和频光谱（sum frequency generation,SFG）是二阶非线性光谱,具有表界面选择性和较好的时间分辨能力,被广泛用于研究表界面物种吸附、......
拓扑近藤绝缘体是一种本征的强关联拓扑电子体系,其体能隙来源于近藤关联效应.自2010年拓扑近藤绝缘体的理论概念被提出后,六硼化......
采用硬脂酸凝胶法制备了TiO纳米材料,用差热—热重分析、红外光谱分析、X光衍射分析、透射电镜、表面光电压谱和X光光电子能谱等手......
我们通过化学气相沉积法合成了各种Bi2Se3 纳米结构.在低温强磁场条件下系统研究了单个 Bi2Se3 纳米片的拓扑绝缘体输运性质,发现......
本文设计和生长了一种新型的双沟道(D-C)AlInN/GaN异质结,该结构具有高电子迁移率、低面电阻和高面电阻均匀性等优异电学性能。采......
基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源。基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEG)的大量数据。例如,2DEG密......
本文叙述了BaTiO基PTCR陶瓷材料理论研究的发展历程和目前的最新进展情况,对目前研究的三大热点问题:1、晶界缺陷结构2、微量3d受......
在典型的拓扑绝缘体Bi2Se3 中通过插入Sr,我们获得了高质量的SrxBi2Se3 超导拓扑绝缘体,其具有很高的超导体积分数,并且在空气中非......
拓扑晶体绝缘体是被晶体对称性保护的新一类拓扑材料。最近基于理论预测,拓扑晶体绝缘体在四六族半导体SnTe及其合金Pb1-xSnx(Te,S......
磁化率随磁场变化出现振荡的现象最早在半金属Bi单晶材料中被观察到[1],人们也利用不同物理性质随磁场大小振荡的现象,测量了Bi单......
拓扑绝缘体是一种具有体能隙和受拓扑保护的无能隙的边缘或表面态的量子物质状态，它的新奇性质来源于时间反演对称性和自旋轨道耦合......
Bi(111)表面具有很强的自旋—轨道耦合作用和各向异性,使得其表面电子态出现多能谷(multi valleys)的能带结构并具有涡旋状的自旋......
我们以聚噻吩为碳源，在碱性水溶液中水热法制备了一系列的荧光碳纳米颗粒。其荧光发射波长和荧光量子产率可以通过调控反应过程中Na......
采用基于第一性原理的密度泛函方法对H在NbC(111)面上的解离过程进行了研究,结果表明,H在该表面上的解离易于发生,通过考察各中间......
本文采用光还原沉积法制备了Pt/TiO薄膜,使用粉末电导法对其表面态进行了研究,并对不同气氛(空气、氢气、氮气)下Pt/TiO表面态的变......
利用Ar 等离子体处理ZnO纳米线, 通过对不同处理时间后的样品进行变温光谱测试, 分析了处理前后ZnO发光性质的变化。结果表明：随着......
空间电荷效应是导致电气设备绝缘老化和失效的重要因素,而介质热老化过程会对空间电荷特性产生显著影响,因此,深入而系统地研究电......
本论文采用溶剂热法,以钛酸正丁酯为前驱体,丙酮为溶剂,通过改变溶剂热温度成功地制备了一系列无定形和锐钛矿TiO;研究这类TiO高可......
自三维拓扑绝缘体被实验发现之后，拓扑半金属材料备受科研领域的青睐。拓扑半金属是费米能级附近受晶格对称性保护由体态电子形成能......
本文首先阐述了Ag-TiO纳米粉及相应的粒子膜电极的化学特性,并对利用交流阻抗技术对所制备的Ag-TiO电极界面载流子传递的影响进行......
本文采用光还原沉积法制备了Pt/TiO薄膜,使用粉末电导法对其表面态进行了研究,并对不同气氛(空气、氢气、氮气)下Pt/TiO表面态的变......
本文采用溶胶-凝胶法,分别以聚乙二醇(PEG)、十八胺(ODA)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为模板剂制备掺镧介孔纳米晶二氧化钛。选择......
通过测量频光波长为１．０６４μｍ时几个不同掺杂类型和掺杂浓度的Ｓｉ（１００）（２×１）样品表面反射二次谐波强度随温度的变化关系，说明在此波长上二次谐波不......
本文用 Mssbauer 谱学方法,对半导体陶瓷 Zn_2SnO_4的湿敏机理做了分析,得出结论:Sn 原子对Zn_2SnO_4的湿敏机理是有贡献的,Zn_2......
纳米粒子由于有量子尺寸效应,因此它的物理、化学特性既有别于单个分子、几个分子组成的多聚体,又有别于体相材料。在溶液中利用......
Quantum computation requires coherently controlling the evolutions of qubits.Usually,these manipulations are implemented......
本文主要研究Zn2SnO4粉末的颗粒尺寸效应对其拉曼和表面光电压谱的影响.Zn2SnO4粉末在空气中被光照射,因丰富的表面态和弱的自建电......
本文提出了镍-硼酸(Ni-B_i)助催化剂负载于α型三氧化二铁(Fe_2O_3)具有提升表面动力学和钝化表面态的双重作用。Ni-B_i助剂的负载......
介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电......
测试了几种不同条件下制备的多孔硅样品的深能级谱（DLTS）。结果发现，其深能级都处于禁带深处，其位置和相对浓度随样品不同而不同。对测......
半导体超微粒因其在光作用下产生局域浓度很高的载流子而导致显著的光发射和非线性光学响应,并且表面修饰能极大地改变半导体超微......
金属－半导体金刚石薄膜的接触性质研究刘兴钊，杨邦朝，李言荣，贾宇明（电子科技大学．成都６１００５４）一、引言金刚石薄膜由于具有载流子饱和速率大、击......
