硅薄膜相关论文
能源储存是现代生活的关键推动力。锂离子电池已经投入商业生产30年。锂离子电池（LIB）被认为是便携式电子设备和移动电话最重要的电......
硅薄膜电池具有原材料丰富、低能耗、工艺简单等优势，然而其较低的转换效率和较差的稳定性使其在发电成本上并不具备优势。为此，国内......
对于薄膜太阳电池,在保证材料电特性前提下,通过合适的光学设计,达到“电薄”而“光厚”的效果,是提高电池效率、最大限度地扩大其......
固相晶化(SPC)技术制备太阳电池是值得研究的方向.我们用电化学电解的方法在硅片上制备了多孔硅,在多孔硅上用PECVD设备沉积了非晶......
相变域非晶硅薄膜由于兼具稳定性和高光敏性成为光伏领域的研究热点。迁移率寿命乘积（μτ）反映材料的输运特性,是硅薄膜材料的重要......
The introduction of spin polarization of electrons in materials consisting of d0 lightelements like carbon and silicon i......
本文提出了一种基于硅压阻效应的新型气体传感器,其结构主要是由制作在硅薄膜表面的惠斯通电桥和在硅薄膜表面积淀的一层聚合物气......
本文简单综述目前国内外对薄膜硅/单晶硅异质结电池的进展.着重介绍纳米晶硅/晶体硅异质结电池的界面钝化.本征缓冲层结构对太阳能......
在制备硅薄膜材料的PECVD 系统中，分别采用普通平行板电极和shower 电极，于相同的工艺条件下考察了电极结构对硅薄膜材料均匀性、光......
采用等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在一定功率和气压下,在玻璃衬底上制备了不同硅烷浓度的Si薄膜材料.使用拉曼光谱对......
目前有源平板显示领域主要采用PECVD法制备TFT用硅薄膜,但是由于PECVD中等离子对Si薄膜的损伤以及淀积薄膜的温度很高的缺点,其在......
本文研究了硅薄膜不同P型掺杂剂对材料特性的影响,实验发现,BH作为掺杂剂时,掺硼量对材料的生长速率和微结构有重要影响.随掺硼量......
本实验选用P型硅作为蒸发膜料，用电子束蒸发的方法在导电玻璃上制备了一定厚度且均匀的硅薄膜，利用扫描电子显微镜观察了其微观表面......
系统研究了退火温度对硅薄膜结构和光学性能的影响。通过电子束蒸发工艺制备硅薄膜，然后在氮气保护下对薄膜样品在200～500°C范围内......
锰掺杂硅与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。所以,了解这类材料的微结构......
作者用自己改装的椭圆偏振光谱仪在可见光范围内研究了射频溅射非晶态硅薄膜的光学性质;提出能同时确定薄膜折射率实数部分n和消......
用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范......
在绝缘衬底上生长单晶硅薄膜,即SOI技术,是近年发展起来研制三维集成电路的一项新技术。本文讨论了利用扫描电子束对淀积在SiO_2上......
布基球在半导体中的应用由碳原子组成的足球状的布基球自从１９８５年发现后仅得到为数不多的应用。现在，加利福尼亚的两位研究人员发现了它......
准分子激光退火是一种可以将非晶体硅（a－silicon）转变为多晶硅（resilicon）的处理方法．由于它允许对玻璃基底上的硅薄膜低温处理，代替了需......
详述了采用微机对等离子体化学气相沉积系统气路进行控制改造中的一些关键性技术。改进后的设备多路气源气体在沉积过程中可自动控......
机械部“八五”攻关项目—厚度可控单晶硅膜制造技术研究,由上海冶金所历经4年时间,于1995年10月通过了机械部和中科院鉴定,专家......
纳米固体材料由于具有高浓度界面的结构特性以及相伴随着的新颖物性,1984年以后在材料各个领域得以迅速发展。近年来,随着纳米材......
用热丝助化学汽相反应法沉积了nc－Si：H薄膜，测量了它的喇曼散射谱，由透射电子显微镜直接测量了晶粒的大小和分布．应用声子强限制模型和......
使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构......
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为２～１０ｎｍ的纳米微晶相结构的硅薄膜，使用高分辨电子......
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表......
使用除氢、高温成核和低温生长的三段式快速热处理方法，将常规方法制备的氢化非晶硅（ａ－ＳｉＨ）薄膜晶化成纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ）薄膜．该薄膜在波长为４５７．９ｎｍ的Ａｒ＋激光的激......
本文研究了富硅氧化硅薄膜掺入铒的发光特性．富硅氧化硅薄膜（氧含量为６０％）采用ＰＥＣＶＤ方法生长，室温下离子注入铒，经过８００℃，５ｍｉｎ的退火，在１０～３００Ｋ温度下得到较强的......
利用正交实验设计，研究了碳化硅薄膜的防水汽扩散性质。通过测试水汽在碳化硅薄膜中的扩散速率，初步确定了四种沉积参数影响碳化硅薄......
选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬......
阐述利用离子注入、离子束增强沉积、反应离子束溅射及反应离子束辅助沉积等方法制备碳化硅薄膜的实验结果，并报道利用等离子体增强......
通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的......
用激光激发超声兰姆波是近年提出的一种新的微传感器构成方法。本文从光－热－声波转换的基本原理出发，推导出激光在硅薄膜中激发兰姆波......
采用MEVVA源离子注入机将Si,Er先后掺杂到不同厚度的热氧化硅薄膜中 ,利用卢瑟福背散射 (RBS)能谱分析了掺杂层中Er原子的深度分布......
硅是自然界最普通的元素,但却是一种神奇的、用途十分广泛的元素。从我们脚下的沙子到电脑芯片,从项链上的宝石到女士隆胸用的硅酮......
用小电流、特殊配比溶液的电化学阳极腐蚀法在p型、〈10 0〉晶向、0 0 1Ω·cm电阻率的硅片制备了大面积纳米硅薄膜 .通过SEM ,TE......
一、前言用作太阳能光电转换的非晶态硅薄膜半导体材料必须是含有适量氢的低缺陷态密度的材料。材料的性能,如电学性能、光学性能......
精工爱普生公司(Seiko Epson)与JSR公司共同开发了一种采用液态涂布和喷墨成形工艺的硅薄膜。这种硅薄膜是一种低温多晶硅TFT (薄......
精工爱普生和JSR日前使用液体材料成功地形成了硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅TFT的电子迁移率高达108cm2/V·s,实现了和过去......
