溅射淀积相关论文
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖面透射电镜(XTEM)对样品的NiSi/Si界面进行了研究.在未掺杂和掺杂(包括As和B)的硅衬底上通......
4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前......
MCM－D是近年来发展起来的高密度多芯片组装技术，其制做工艺同IC工艺相兼容，因此在IC生产厂家发展得很快。本文主要介绍用IC加工工艺和......
在室温下用直流磁控反应溅射的方法制备了ＡｌＮ薄膜．用ＡＥＳ方法和ＸＰＳ方法分析了ＡｌＮ膜和ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面．在ＡｌＮ／ＧａＡｓ界面发现了Ｏ—Ａｌ键，没有发现Ｏ—Ｇａ键或Ｏ—Ａｓ键．本文通过实验证明，ＡｌＮ／ＧａＡｓ界......
光纤薄膜厚度监测仪ＮＲＹＣａｒａｎｔｏ等１．前言在溅射淀积涂膜过程中，当使用石英晶体微量天平之类的常规仪器进行膜的）丰度监测时，会出现几个实际的问题。......
基片温度低于溅射外延条件 ,采用低溅射功率密度磁控溅射沉积 ,进行后期热处理结晶化 ,制备出膜厚为 30 0 nm的掺铈钇铁石榴石 Ce......
氮化钛薄膜由于具有许多有用的特性而受到人们日益广泛的注意。许多不同方法都曾用来生长氮化钛薄膜,其中包括化学气相淀积、活化......
Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但......
采用汞蒸汽等离子体阴极溅射技术,已同时在几种CdTe衬底上(总面积为20cm~2)外延生长了Cd_xHg_(1-x)Te薄膜。薄膜在加热到310℃的衬......
一、概述 在以往的集成电路的生产中,尤其是在中、大规模集成电路的试制中,深深感到高质量光刻掩模的需要。举例说:在多层布线工......
本文研究了用于 LSI 的栅电极、互连材料及掺杂扩散源的掺磷硅化钼的性质。掺磷的硅化钼膜是利用专门设计的 Mo、Si 复合靶,在 PH_......
本文详细地介绍了制备X波段的GaAs雪崩二极管的肖特基势形成方法。通过严格清洗n型GaAs外延片,合理地溅射淀积多层金属Pt-W-Pt-Au......
本文研究了利用光刻图形转移过程中,湿法化学刻蚀存在的侧向钻蚀,通过对钻蚀程度的控制获得小于0.5μm的线条间隔.
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介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区......
本文用Monte Carlo方法计算了溅射成膜过程中,溅射粒子从靶面到衬底的输运过程。用靶面水平磁场分布作为溅射粒子发射频度函数研究......
本文评述了 GaAsLSI 的性能和加工工艺。最近,应用无位错 LEC 单晶和步进重复的精细光刻,在 2in 晶片内将 FET 闽值电压标准偏差降......
难熔金属及其硅化物在MOS电路中作为栅极材料获得了重要的应用。它与自对准新工艺相容,并且具有比多晶硅低得多的电阻率。我们采......
我们在室温和600℃下用复合的二硅化钛靶在〈111〉向的裸硅片上溅射淀积了二硅化铁膜。室温下淀积的二硅化钛膜需要在900℃下进行......
自对准工艺可以降低GaAs FET的源漏电阻,提高跨导和截止频率.难熔金属硅化物WSi_x可用于自对准工艺.为得到较好的与GaAs接触的肖特......
本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面......
在电子材料中,最主要的要算微电子技术中所用的集成电路材料,因为这是电子计算机和通信的基础。集成电路发展十分迅速,要求制造工......
美国KLA公司研制的SEMSPEC圆片外观检测装置使用电子束,把检测灵敏度提高到0.1μm,去年公布了成果,受到了良好的评价。这次已应用......
总结了在５０ｍｍＧａＡｓ圆片上实现自对准介质膜隔离等平面工艺技术的研究，着重描述了离子注入、自对准亚微米难熔栅制备、钝化介质膜生长、干法刻......
由Solie和Kino等人提出的薄膜SAW器件,实际上是一种包括覆盖在非压电基片上的压电薄膜在内的层状结构。适当选择压电薄膜和基片材......
本文介绍了直流磁控溅射淀积Si薄膜的镀膜工艺,研究了Si薄膜的光学特性(包括透射率光谱曲线、光学吸收、光学常数)和电阻率,通过对......
本文报道了我们用射频溅射法淀积CuInSe2薄膜的一些结果更多还原...
在离子束溅射石墨靶淀积DLC膜的同时用离子束轰击,对于拓宽和改善DLC膜的性质有重要意义。本文报导了离子束轰击对DLC膜的成膜速率......
从粒子的产生、输运及表面反应出发,建立总的输运模型并得到靶的溅射速率和化合物的复盖度.模型中都是以宏观工艺参数及反应室结构......
面对4MbDRAM工艺对氮化钛阻挡层的展望
Prospect of Titanium Nitride Barrier in 4MbDRAM Process...
