电流增益相关论文
为了在高频下兼顾电流增益β和击穿电压VCBO、VCEO的同步改善,从而有效提升器件的高频功率性能,利用SILVACO TCAD建立了npn型绝缘......
PERC电池量产效率未来两年内有望提升到23％以上;隆基乐叶双面双玻PERC组件具有优异的户外衰减性能;带边框双面双玻组件在系统端更具......
会议
磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压(相对Si/SiGe而言),适合于太赫兹单片集成电路的研......
提出了一种3～5GHz低电压高增益差分电流模式超宽带低噪声放大器。采用带变压器的共栅输入获得低噪声宽带匹配，输出信号为电流，避......
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨......
探讨并分析具有光致负阻特性的双极型硅光电三极管阵列中各单元器件设置偏流隔离电阻的必要性。给出了２×８阵列整体设计的初步方案及......
本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管......
简述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结器件的基本原理，锗硅合金的基本性质，及发展现状。
The basic principle of SiGe / Si heterojunction device, the ba......
介绍了ｈｆｅ≥１２０００的两级功率达林顿器件的设计方法及关键技术。并对在１０Ａ比１ｍＡ的条件下实现低饱和压降的几项措施作了较详细的讨论。
The design......
这种直接耦合的绝对值电路具有低输入偏流、高输入阻抗和驱动2.5V(50Ω负载)的能力.晶体管Q1对输入进行缓冲来得到高输入阻抗,并通......
本文对双极器件及ECL电路在低温下的直流、瞬态特性及优化设计等作了较系统的分析,给出了其全温区工作的较为清晰的物理图象.
Thi......
[1]中第二章晶体管低频放大器,第七小节负反馈放大器中用方框图法计算电压并联负反馈放大电路中第(4)步计算电流放大倍数(第103页,......
美国科罗拉多大学的研究者们最近研制出了一种新型晶体管。它比现在常用的晶体管耐热程度高达好几倍。研究者说,他们对新研制出来......
低导通电压的收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管日本ＮＴＴ研究所最近报道了一种收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管，这种晶体管能满足高频低功耗工......
据《电子材料》1995年第2期报道，日本富士通公司研制成3．3V低压、高效工作的GaAsHBT，其性能为：输出功率1W，功率附加效率70％，功率增益15dB（......
本文对ECL电路的瞬态特性进行了较详尽的分析,给出了适于全温区的较精确的电路延迟时间表达式,并对影响t_(pd)的主要参数的温度特......
对双极模式静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅......
研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对......
双极型静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）以其高电流增益，低饱和压降以及高的开关速度等优异性能受到人们的广泛关注．但对其作用机制，特别是正栅压下的开......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的工作原理以及一种双台面结构的逆向制造方法
Describes the working principle of the SiGe / Si heter......
设计并研制出直流电流增益为842、交流电流增益为1080的高增益挂横向MIS隧道晶体管。测量了器件的电学特性和hFE的温度特性，发现孩......
对硅双极晶体管低频噪声的本征与非本征两种分量进行了系统的理论分析，并研究了各自的温度特性，在此基础上，设计并研制出一种多晶硅发......
低温ＥＣＬ电路直流特性测试与分析高梅芳，沈克强，魏同立，李垚（东南大学微电子中心，南京２１００１８）本文通过对低温ＥＣＬ电路和常温ＥＣＬ电路的比较和测试分析得知，晶......
在考虑了多晶／单晶之间界面氧化层的基础上，本文提出了一个新的多晶硅发射区双极晶体管发射区渡越时间的解析模型，用推导出的标志电荷......
本文对“λ”双极晶体管（ＬＢＴ）型光电负阻晶体管（或称为光电“λ”双极晶管体ＰＬＢＴ）［１］，首次给出了完整的等效电路。并以此等效电路为基础，用ＰＳＰＩＣＥ电路模拟......
高速、高增益ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ基ＨＢＴ双异质结结构和ＩｎＰ集电极使得双极晶体管具有高击穿电压和高漂移速度。瑞典和芬兰的科学家用ＩｎＰ作发射极和集电极，用ＩｎＧａＡｓ作高掺......
本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，......
从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低......
用 MOCVD 法制备了在高电阻率 GaN 层上生长沟道厚度为0.25μm的GaN MESFET,这些器件的跨导为20mS/mm,其中一个栅长为0.7μm的器件......
从半导体器件的基本方程出发，采用数值模拟方法，按照电流增益截止频率（ｆＴ）的定义，模拟计算了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ的ｆＴ，以及偏置电压和输入信号幅值对ｆＴ的影响，给出了......
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结......
设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构......
本文在已提出的综合解析模型基础上，引入各相关参数特别是多晶－单晶之间的界面态俘获截面与温度关系的实验结果，给出了分析ＰＥＴ电流增益与......
研究了ＯＰ－０７双极运算放大器在８ＭｅＶ、１２ＭｅＶ两种能量下的质子辐照效应及损伤特性，并通过对电路内部的损伤分析，探讨了各敏感参数的变化规律．结果表明，由......
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿......
应用＂掺杂工程＂和＂带隙工程＂各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ。其......
本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释
In this paper, the......
一种新型雪崩光电探测器（APD）在1．3和1．55μm波长处已显示高达35的电流增益和9GHz以上的3dB带宽。据加州大学圣巴巴拉分校的研究人员说......
给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
The experimental resul......
本文报道一种新开发的与Ｓｉ平面工艺兼容的准泡发射区基区工艺，以及由此工艺制备的适于大功率微波应用的ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）．ＳｉＧｅＨＢＴ的电流增益为......
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的基区穿通电压VPI以及GAT的雪崩击......
