半导体工艺相关论文
针对半导体工艺与制造装备的发展趋势进行了综述和展望。首先从支撑电子信息技术发展的角度，分析半导体工艺与制造装备的总体发展趋......
随着电力电子应用要求的不断提高和应用领域的不断拓展,诸如航空航天、石油勘探和开采、清洁能源和国防安全建设等领域对电力电子......
本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)......
随着半导体工艺的进步和SoC技术的不断完善,产生了借鉴并行计算和计算机网络设计思想的NoC概念.针对NoC的不规则2D Mesh拓扑结构,......
半导体工艺技术ＷＤ９４５１７制作２５．４ｐｓＥＣＬ的深亚微米超自对准硅双极工艺＝Ｄｅｅｐｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｌｅｒｓｕｐｅｒｓｅｌｆ－ａｌｉｇｎｅｄＳｉｂｉｐｏｌａｒｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｗｉｔｈ２５．４ｐｓＥＣＬ［刊，英］／Ｋｏｎａｋａ，Ｓ．…／／Ｉ.........
聚酰亚胺树脂作为一类化学品早在1926年就已制得。它们作为一种在250℃以上仍保持其电气和机械特性的塑料绝缘体而应用于电子工业......
现在,科学家正在用半导体工艺在玻璃、塑料或硅材料微型薄片的表面上刻蚀化学实验室。借助于这种化学芯片,科学家可以在很短的时间......
由美国先进的半导体生产厂家组成的非盈种性集团SEMATECH,最近与Synopsys公司签订了价值数百万美元的合同,用以开发设计更复杂、......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0......
一、引言半导体的轮廓显示常采用染色、腐蚀及镀膜技术。迄今为止，这项工作只有凭经验，人们对试样的研究越多，就变得越精通。随着半导......
集群组合设备将大有发展为了反映半导体工艺集成的发展，最近对１９９５～２０００年市场研究预测：柔性集群组合设备（ｆｌｅｘｉｂｌｅｃｌｕｓｔｅｒｔｏｏｌｓ）将增长四倍，即从３．５９亿美元增至１４．４亿美元。柔......
无感应磁场加热是无磁钎焊炉的突出优点。制作的三段双线并绕无交变磁场钎焊炉可以保证管壳与管芯焊接时不产生移位，且有良好的温控......
以高亮度发光二极管取代白炽灯发光二极管问世已超过了四分之一个世纪。那时，它们由于使用简易、超过白炽灯的可靠性以及无需花费占......
采用实验研究的方法，通过比较分析阱注剂量、掺杂杂质类型及调整注入剂量对ＰＭＯＳ管开启电压的影响，很好地解决了开启电压的工艺控制问题，同......
一概述工艺检测模块（PCM）或工艺评估器件（PED）是半导体工艺的检测图形，它能充分反映IC产品工程的关键参数和工艺制造线的加工水平，与自动......
以二氧化硅、氮化硅薄膜为例论述了紫外光能量辅助化学汽相淀积的反应机制。二氧化硅薄膜的组成为纯ＳｉＯ２；氮化硅薄膜中含有氧元素，组成为......
随着半导体工艺在真空微电子学中的广泛应用,场致发射平板显示技术得到迅速发展。利用场致发射冷阴极制备的平板显示器件及象素发......
为了讨论问题方便，定义了两种Ｐ－Ｎ结：“漏Ｐ－Ｎ结”和“单纯Ｐ－Ｎ结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别，认为“漏Ｐ－Ｎ结”的击穿电压与沟道区杂质浓度......
隧道小孔中超薄ＳＩＯ２的生长是ＥＥＰＲＯＭ电路制造的关键工艺之一。采用ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ艺模拟程序对超薄ＳＩＯ２的热生长进行了工艺模拟。经过大量的工艺实验及优化，确定......
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、......
采用金属有机物化学汽相淀积／液相外延生长工艺和多量子阱－分布反馈双沟平面隐埋异质结结构，实现了１３１０ｎｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱分布反馈激光器高功率输出......
半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻......
报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射......
一、CMOS数字集成电路概述集成电路,简称IC。它是一种采用半导体工艺,将具有某种功能的电子电路的有源元件、无源元件及其连线一......
文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成......
半导体工艺进入０．２５μｍ时代，对溅射设备的微细化技术要求逐步接近极限。同时，设备投资效率的提高也是一个十分关键的环节，不仅要提高产量。......
利用XRD、XPS、AES分析了As＋、B＋离子注入后的硅的表面成分、结构和化学状态，并通过AFM／FFM和SRV实验测量了As＋、B＋离子注入硅的微观摩擦......
介绍了一种可用于语声信号处理的高性能EllipticBireciprocal结构低通波数字滤波器实现的集成设计方法。充分利用先进半导体工艺的......
发光二极管(LED)是一种应用普遍的光电器件,因其工作电压低、耗电省、发光颜色种类多、寿命长及价格低,而受到电气工作者与科研人......
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长......
概述了二维电子倍增器ＲＬＳＧ-ＭＣＰ的发展概况和工艺的局限性，提出了用半导体工艺制作ＡＴ－ＭＣＰ的技术途径，阐述了ＡＴ－ＭＣＰ的优点；介绍了新型ＭＳＰ电子倍增器的原理和特......
半导体材料的表面精密加工技术是半导体工艺技术的一个组成部分。在大规模集成电路的设计和制造中，要求将半导体的表面粗糙度加工达......
使用硼铝二氧化硅乳胶源研制出反向快恢复整流二极管，其反向恢复时间ｔｒｒ≤５μｓ，反向耐压＞１０００Ｖ。介绍了该器件的结构特点及扩散工艺。
The use ......
M／A－COM公司是一家无线RF、微波及毫米波IC供应商，最近开发出了一种基于GaAs的新型增强l损耗（E／规模式半导体IC工艺，并在其位于ColoradoS......
据有关资料报道,Semiconductor Manufacturing International Conporation(SMIC:中芯国际电路制造)与比利时的半导体研究机关 IME......
日本 NEC公司利用“中空模块式封装技术”,开发了表面安装型 3频段 SAW滤波器。自 2 0 0 0年 2月商品化以来 ,在国内市场上受到好......
为满足低功耗市场的要求,许多类型的电子器件都采用了时钟管理技术。微处理器利用多种省电模式(如睡眠、打盹或休眠模式)来降低功......
半导体厂家现在可经采用的工艺种类,比以往任何时候都多了。因此,制造商们总想对其客户说,他们对制造工艺已作出最佳的选择,就一点......
1 前言所谓0.4～0.5μm 时代,就 DRAM 而言,恰处于从64M 到256M 的过渡阶段。长期以来,DRAM被誉为半导体技术的“技术驱动器”。事......
约瑟夫逊结在接近绝对另度时变成超导体,当有外界磁场作用时,超导效应随即消失,约瑟夫逊结两端便有电压降,撤去磁场时,超导效应又......
