阻挡层相关论文
芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比， 化学镀因具有均镀保......
锂硫电池由于其高的比容量和能量密度成为二次电池中最具有潜力的下一代。然而,其放电过程较为复杂,且放电产物多硫化物易溶解于电......
硅通孔（TSV）阻挡层化学机械抛光（CMP）是实现TSV晶圆全局平坦化的关键技术之一，配置多功能、高效率的抛光液是提升CMP效果的重要环节。总......
近二十年,半赫斯勒材料是热电材料领域研究的热点之一。该类材料具有高使用温度、高热电性能、低廉的成本、优异的机械性能、良好......
随着大数据、物联网等平台的兴起,人们对于信息存储分析的需求井喷式增长,研发低功耗、低成本、高密度、高速的存储器迫在眉睫。阻......
随着极大规模集成电路（GLSI）的技术节点降低到7 nm以下,金属钌（Ru）凭借其优异的特性成为替代传统铜互连阻挡层材料钽/氮化钽（Ta/Ta N）的......
Bi0.4Sb1.6Te3热电材料和金属电极之间的阻挡层是热电器件稳定服役的控制性因素,本文以不同温度下退火后的高致密Ni箔和Bi0.4Sb1.6......
期刊
当技术节点降低至32 nm及以下时,为了缓解电阻-电容(RC)延迟导致的铜(Cu)互连器件可靠性差的问题,急需寻找新的阻挡层材料.与钽(Ta......
为了找到合适的掺杂元素来制备半导体Cu互连结构,本文研究了Cu(V)/SiO2/Si体系以及Cu(V-N)/SiO2/Si体系.采用磁控溅射的方法,制备C......
采用辉光放电光谱仪(GDOES)及扫描电镜(SEM)对比研究了镀层结合力正常及脱锌的热镀锌钢板镀层/基板界面状态。研究表明,脱锌试样和......
采用阶梯降压法和点蚀法对多孔阳极氧化铝的阻挡层进行研究,并用场发射扫描电镜观察阻挡层的形貌.研究结果表明:阶梯降压法能有效......
报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展.使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,分析HgCdTe材料大缺陷形成原因并......
会议
本文通过在Si衬底上直接沉积AI膜，然后采用两步阳极氧化法自组织形成柱状纳米多孔结构，并进一步利用原位反向偏压和湿法刻蚀相结合，去......
本文通过不同浓度的TiCl4溶液水解，在光阳极导电玻璃基底FTO上制备了阻挡层薄膜，以此采抑制FTO表面的光生电子与I-3之间的复合反应。......
柔性不锈钢衬底CIGS薄膜电池由于其特有的优点受到了广泛关注。由于Fe会在CIGS中形成深能级缺陷，影响栽流子的输运特性，在制备柔性不......
研究了HF和CrO3电解液体系中Ti6Al4V阳极氧化膜生长规律.采用场发射扫描电镜(FESEM)对氧化膜表面形貌进行观察:采用电化学工作站测......
在传统pn结红外探测器中,宽带隙阻挡层的引入可以有效降低器件暗电流。采用COMSOL软件对探测器的能带图进行仿真,结果表明,InAsSbP......
集成电路的特征尺寸随着摩尔定律的不断缩小是半导体技术进步的一个主要动力。目前已经发展到了14nm的工艺节点，继续缩小将面临物理......
用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni基带.采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ(钇稳定二氧化锆)阻......
为在东北南方 ChinaSea (SCS ) 的障碍层(BL ) 的柔韧的证据(16 deg -25 deg N， 112 deg-124 deg E ) 被介绍。BL 的出现率 sequent......
Photoluminescence (PL) polarization of a spin ensemble was examined over a wide excitation wavelength range from 520 nm ......
采用突出煤和阻挡层组成的延期突出模型,对延期突出事故的认定进行了探讨。结果表明,打钻、手镐、清煤(或矸石)、维修巷道、支护等......
在光电子器件中使用砷化镓(GaAs)比使用硅优越,因为GaAs的电荷载流子迁移率较高,导带间隔也较宽,因而能在高温下使用。虽然GaAs材......
随着金属导线线宽的不断缩小,在90nm 技术以下,刻蚀残留物的存在会在应力迁移测试中形成高通孔电阻和空洞成核现象。物理氩离子预......
铜化学机械平面化不同阻挡层浆料的应用引起了铜CMP后清洗的问题。阻挡层浆料的差异包含但不限于pH、研磨剂粒子材料和尺寸及铜腐......
集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/......
来自IBM、Infineon和AMD的工程师们的最新研究结果证实,在45nm节点,非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠性,特别是当
Recent r......
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。随着摩尔定律的推进,对铜互连......
制备了结构为ITO/CuPc(25nm)/NPB(40nm)/Alq3(xnm)/C60(ynm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机发光二极管(OLEDs),研究了C60插入层对器件......
采用可溶液加工的小分子红光材料2为发光层(EML),制备了不同阴极结构的系列电致发光器件.结果表明,空穴阻挡层(HBL)TPBI的引入能有......
设计了具有高量子效率的发光二极管(LED)芯片。通过采用Mg掺杂的AlInN-InGaN-AlInN作为LED的电子阻挡层,减小由极化引起的静电场,......
为了达到Ta的高去除速率,通过实验改变碱性阻挡层抛光液中各组分的体积分数,研究各组分变化对阻挡层材料Cu和Ta抛光速率的影响。碱......
由于钴(Co)具有优良的化学物理特性成为下一代极大规模集成电路阻挡层材料之一。Co在碱性抛光液中易被氧化进而钝化其表面,导致Co......
高温下仍能保持低电阻率、高可靠性的金属引线电极是抗恶劣环境的MEMS压力传感器芯体的重要组成部分.高温环境金属电极层与层之间......
集成电路技术节点已经发展到14nm及以下,传统阻挡层材料(Ta/Ta N)出现与铜(Cu)的粘附性变差、可靠性降低等一系列问题已经无法满足......
集成电路(IC)是信息产业和高新技术的核心,是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。化学机械平坦(CMP)是IC制造的核心工艺......
在大规模集成电路制造过程中,化学机械平坦化（CMP）是关键工艺技术之一。钽（Ta）由于具有高稳定性、高导电性以及对铜的惰性等优势,被广......
碲化铋材料是最早被发现的半导体热电材料之一,在室温附近具有优异的热电性能。碲化铋基热电器件在热电应用化过程中具有重要意义......
热电材料是一种能实现热能和电能相互转换的新能源材料,由热电材料制备的热电发生器（TEG）可用于温差发电和热电制冷,而热电材料与电......
有机光电探测器(Organic photodetectors,OPDs)具有诸多优点,如成本低、吸收系数大、可大面积制备、活性层材料来源广泛等,因此在......
