基片温度相关论文
采用脉冲直流磁控溅射法,在不同的基片温度下制备金属钨薄膜,并对薄膜的反射光谱、电学性能、晶体结构、表面形貌等进行了分析.结......
我们研究了厚度、基片温度、真空退火温度对磁控射频溅射制备的NiFe薄膜各向异性磁电阻(AMR)的影响.当膜厚小于100nm时,膜厚对AMR......
用三靶直流反应磁控溅射仪,通过改变玻璃基片温度(350～500℃),在浮法玻璃上镀膜,制备了玻璃/TiO/TiN/TiO阳光控制镀膜玻璃.用Beckma......
近年来TiO功能薄膜以其奇异的性能优异的光催化性能引起研究人员的广泛关注.本文结合TiO的结构和性质,探讨基片温度对薄膜结构和光......
离子束溅射技术以其在制备薄膜中的独特优点，成为获得高性能薄膜材料的重要手段。对于薄膜的制备，基片的温度是一个重要参数。本文主......
利用射频溅射的方法制备了NiFe薄膜,研究了不同厚度、不同基片温度、不同真空退火温度对AMR的影响.当膜厚小于300A时,膜厚对AMR的......
利用脉冲激光法制备了ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及ＳＥＭ、ＸＲＤ测试分析，详细研究了沉积时基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻......
本文介绍了硝酸盐水溶液的化学液相喷涂法制备超导薄膜的工艺过程,对工艺参数的选择进行了研究。得到了T_c=84.8K的超导薄膜,X-射......
介绍了在研制微型红外滤光片中将半导体器件制作工艺与基本ＰＶＤ方法结合而成的掩模分离方法，及其制备微型滤光片和将几种滤光片集成在一......
本文采用等离子体激活化学气相沉积制备了ＳｎＯ_２掺杂透明导电膜，并研究了薄膜的光学和电学性能．制得的薄膜电阻最低约为１７Ω／口，其可见光透射......
Ｂ－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料。详细介绍了Ｂ－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作......
研究了用铟锡合金靶直流磁控反应溅射制备ITO透明号电膜。介绍了膜的制备工艺和膜的特性。讨论了成膜过程和热处理对膜的电阻率和......
提出了一种新的激光光化学三元反应体系，用于制备硫化铅薄膜。应用吸收光谱、扫描电镜和Ｘ射线光电子能谱等测试手段研究了膜的性质和......
电子束辅助热丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）衬底上织构生长金刚石薄膜傅广生，王晓辉，于威，韩理（河北大学物理系保定０７１００２）织构生长的金刚石薄膜以其优异的光学、半导......
以扫描电镜（SEM）和X射线光电子能谱（XPS）等多种测试手段研究分析了用反应脉冲激光淀积技术制备的PbS薄膜。分析结果表明，利用该淀积方法......
波导隔离球用Ce：YIG磁光薄膜可由溅射外延或溅射波积后热处理结晶化两种方法制各．探讨了制备过程中不同工艺条件对薄膜结晶性能及磁......
采用高温烧结和真空蒸发制备了ＣｄＴｅ光敏薄膜，探讨了制备工艺对ＣｄＴｅ薄膜性能和结构的影响，说明了在基片温度为１３０℃左右下制备的ＣｄＴｅ薄膜具有明显的光......
激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常......
利用原子力显微镜研究了不同淀积温度条件下低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）多晶硅薄膜的表面形貌．发现淀积时间一定时，随着淀积温度的升高，多晶硅薄......
用ＰＥＣＶＤ方法制备出二氧化锡薄膜，利用双探针技术诊断出等离子体反应器内电子密度的分布，并分析了它对薄膜电阻的影响．透射电镜分析表明随沉......
以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，对保护膜制备参数，例如基板温度、沉积速率等对保护膜表面结晶结构、形貌及成分等基本特性的影响进......
提供了一种用等离子体聚合制备金属－ 有机化合物ＣｕＡＡ 薄膜的实验研究。指出ＣｕＡＡ薄膜随工艺条件的不同可呈现出不同的颜色和电性能，尤其是其电......
在Al2O3陶瓷基片上以Mo（CO）6为源采用低压冷壁式设备和金属有机气相沉积（MOCVD）方法制备Mo2C薄膜，探讨了该薄膜结构受温度、压力和沉积......
对直流电弧等离子体ＣＶＤ制备的金刚石薄膜的介电性能进行了研究，结果表明，金刚石薄膜的介电性能主要取决于样品的多晶性质以及表面和晶界......
脉冲激光沉积是一种新型沉积工艺，跟其它沉积工艺相比它具有许多的优点，这是因为在沉积过程中其靶材料的相对原子浓度可保持不变，从而......
与玻璃基透明导电膜相比，聚合物基透明导电膜耐折，耐摩擦，成本也较低，可广泛使用。本文概述了聚合物基透明导电膜的种类，特点，制备，及其在......
研究直流电弧等离子体喷射化学气相沉积金刚石膜系统中，基片温度对金刚石膜生长速率和质量的影响．实验发现，金刚石膜的生长速率和结晶......
介绍了国产ＩＴＯ靶材磁控溅射制备ＩＴＯ膜的工艺实验。实验结果表明，国产ＩＴＯ靶材具有良好的工艺稳定性和重现性，在优选镀膜工艺参数条件下，获得了性......
利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强......
１引言 以硅化铁为中心的金属硅化物薄膜可以采用溅射、真空蒸镀、分子束外延技术、离子注入等诸多方法制作，并对其单晶性能和电子结......
有机硅化合物HMDSN用高频辉光放电方法进行等离子体聚合,使用频率为5.4 M.C.;输入最大功率为100W;基片温度为150℃。在不同性质的......
七、HCD铬厚膜的性质 1.铬膜表面的观察 在改变基片电压的情况下,用HCD法将铬沉积在纯的多晶铁基片上。该膜的表面形貌采用扫描电......
研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态膜层......
实验研究了玻璃基片在电场辅助离子扩散过程中的电导变化规律。结果发现,由于直流电场在玻璃基片中产生的焦耳热效应,离子扩散过程......
本文介绍了一种薄膜基底与镁源蒸发放置在不同温区的混合物理化学气相法(HPCVD)制备MgB2超导薄膜的技术.以B2H6为硼源,在(0001)取......
用常压气相沉积法镀膜制得的二氧化钛薄膜为催化剂，以紫外灯为光源，研究了亚甲基蓝的光催化降解。实验表明：镀膜时基片温度为２００℃；用铜线......
光学薄膜的光学特性是薄膜设计与制备的基础.本文通过试验分别研究了基底温度、工作真空度沉和沉积速率对a-Si薄膜的光学常数......
可见区10半宽的双半波滤光片是一种性能优良的窄带滤光器件。本文描述其制造技术中若干关键环节:峰值波长准确定位,元件的稳定性......
中国科学院半导体研究所与北京仪器厂共同研制的LSK-500型离子束刻蚀机,经过近一年的工艺试验,最近通过了部级鉴定。该机参照美国......
本文依据等效折射率概念,通过膜系匹配,设计并制备出优良的截止滤光片和负源光片。本文所讨论的硬膜三色分光膜,是一种光学性能、......
