共溅射相关论文
金属氧化物半导体为基础的薄膜晶体管具备迁移率高,均匀性好,工艺温度低等优点,因此在平板显示领域有广阔应用前景。IGZO等代表性......
在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V2O5靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物......
日益严峻的能源短缺问题严重制约着全球经济的发展。基于此,一些可再生能源如风能,潮汐能,生物质能,太阳能等被陆续开发和利用。其......
氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......
采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27.5 nm的W/Si多层膜,使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用W......
为研制真空紫外与极紫外波段Al基薄膜光学元件,详细研究了Al基薄膜的应力特性及其优化方法。利用应力实时测量装置对共溅射技术制......
本文从材料选择、膜层结构以及生产应用等方面介绍了中高温太阳选择性吸性表面的研究状况,并对今后发展作了简要分析.......
用射频（RF）共溅射和热退火处理的方法制备了纳米锗颗粒镶嵌SiO2复合薄膜（nc－Ge／SiO2），观察到了多峰的光致发光现象，发现随着激发光波长的增......
采用复合靶共溅射技术制备纳米ＧａＡｓ晶粒镶嵌在ａ－ＳｉＯ２中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度，调节靶面ＧａＡｓ的百分比，可制备出不同ＧａＡｓ晶粒尺度与体积百......
用射频（ＲＦ）共溅射复合靶技术和Ｎ２ 气保护下高温退火的后处理方法，在Ｓｉ 衬底上制备出了碳化硅（ＳｉＣ） 薄膜，通过傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ） 、室温光致发光谱......
采用射频共溅射技术在石英玻璃和硅片衬底上制备出Ge SiO2 复合薄膜 ,然后在真空气氛中进行热处理。利拉曼散射、X射线衍射、UV/VI......
采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2 方法得到SiO2 (Eu)薄膜 ,Eu离子的浓度为 4%和 0 .5 % .对样品X射线吸收近边结构 (XANES......
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒镶嵌于SiO2中的复合薄膜(Ge-SiO2),结合样品结构对光吸收特性进行深入的研究。研究发现该......
建立了一种制备负载型模型催化剂的共溅射薄膜法。用TEM和HEED考察了用此法制备的Pt-TiO_2,Pt-Ti_2O_3和Pt-TiO薄膜模型催化剂经不......
用XPS与AES(包括深度剖面分析,简称Profile)等电子能谱技术,考察了共溅射方法制备的Pt-TiO_2,Pt-Ti_2O_3和Pt-TiO薄膜模型催化剂在......
采用磁控共溅射方法制备了Co2MnAl哈斯勒合金薄膜。系统研究了衬底加热温度对Co2MnAl薄膜的晶体结构、磁学性质（饱和磁化强度和矫顽......
本文研究了金、聚四氟乙烯以及石墨等添加物对二硫化钼共溅射膜摩擦学性能的影响。与MoS_2溅射膜相比,MoS_2-Au共溅射膜具有非常优......
采用双离子束共溅射沉积方法制备了两种复合硅基薄膜SiOxCy和SiOxNy薄膜,对两种薄膜进行后退火处理,并分别对样品进行PL、FTIR、XP......
以超纯靶材为原料,采用超高真空双靶共溅射系统制备出粒径分布为8.3−12.5 nm,Pt负载量为0.1 mg/cm2的PtTi作为催化剂。利用X射线......
随着微电子工业的发展,对器件低功耗、高性能化、尺寸微型化以及集成化等方面提出了更高的要求。近年来,一种新型介电材料,钛酸铜......
学位
TiO2材料作为氧传感器具有广泛的应用．本文介绍了TiO2氧传感器的工作原理和制作过程中采用的三种工艺，即陶瓷烧结体、厚膜和薄膜技术......
采用Al和TiC靶通过磁控共溅射方法制备了Ti:C≈1的不同Ti和C含量的铝基复合薄膜,研究了Ti和C含量对薄膜微观结构和力学性能的影响.......
采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜。通过XRD、SEM、......
为研究高分散陶瓷对金属薄膜的强化作用,通过Al和Ti B2靶磁控共溅射方法制备了不同Ti B2含量的铝基复合薄膜,采用X射线能量分散谱......
MoS_2-Au共溅射膜具有非常优异的摩擦学性能,在相对湿度小于13％、等于50％、大于98％以及高真空1.33×10~(-5)Pa的条件下,其耐磨寿命分......
Inp热不稳定性是导致真空热淀积成膜失败的重要原因。虽然射频溅射法已成功制备了大量诸如GaAs,GaP和InAs等Ⅲ—V族化合物薄膜,但......
由于离子源参数可独立控制、工作室内无等离子体以及能够精确控制膜的生长过程等优点,离子束成膜技术受到广泛重视。它已被用于超......
本文利用多离子束反应共溅射装置，分别在Ｓｉ和ＭｇＯ衬底上原位制备了ＰｂＴｉ氧化物薄膜。研究表明，利用多离子束反应共溅射技术，可以显著降低薄膜后......
针对作者发明的多离子束反应共溅射技术,基于气体动力学原理,在稳恒溅射情况下,建立了多离子束多靶反应共溅射的基本模型,获得了薄......
用射频共溅射方法和退火工艺制备厂埋入 SiO_2中碳的复合薄膜,并在室温下得到了强的可见光致发光谱(峰值在2.136eV)。用拉曼散射谱......
采用射频磁控共溅射法制备了纳米GaAs－SiO2镶嵌复合薄膜．通过X射线衍射、透射电镜和X射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉......
采用复合靶共溅射技术，在单晶 Ｓｉ基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Ａｕ Ｌｉ Ｎｂ Ｏ３ 和 Ａｕ Ｎａ Ｎｂ Ｏ３ 纳米复合颗粒膜．利用 Ｘ 射......
采用磁过滤真空溅射离子沉积技术 ,用氩气和氮气共溅射石墨靶 ,在不同氮气分压下 ,制备了一组不同氮含量的四配位非晶碳薄膜 (ta C......
用射频共溅射的方法制备了不同金属含量φ的 Fe- Si O2 金属 -绝缘体颗粒膜 ,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻 ( TMR)......
采用共溅射和多层膜溅射两种不同的溅射方式制备FePt：Ag颗粒膜。MFM和TEM微观结构观测的结果表明：与多层膜溅射制备的FePt：Ag颗粒膜相......
采用磁控共溅射法在Al2O3(0001)基片上沉积了Zn1-xCoxO(x=0.08~0.31%)薄膜,研究了基片温度对Co掺杂ZnO薄膜结构和磁性的影响。结果......
ＭＯＳ２溅射薄膜是空间机械应用最广的润滑薄膜材料之一，但其在潮湿空气中却存在着润滑性能退化甚至失效的问题．作者依据基础研究及使用要求......
采用Cu靶和Al靶直流共溅射法制备了p型透明导电Cu-Al-O薄膜。用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)仪、四探针测量仪、紫外-可见分......
用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2......
采用双靶直流磁控共溅射法制备了掺铜TiO2薄膜,通过控制Cu靶的溅射功率改变Cu的掺杂量,研究了掺铜对TiO2薄膜的结构、光吸收及光催......
