共溅射相关论文
金属氧化物半导体为基础的薄膜晶体管具备迁移率高,均匀性好,工艺温度低等优点,因此在平板显示领域有广阔应用前景。IGZO等代表性......
日益严峻的能源短缺问题严重制约着全球经济的发展。基于此,一些可再生能源如风能,潮汐能,生物质能,太阳能等被陆续开发和利用。其......
氧化锌作为第三代半导体材料,以其优异的光电、压电等特性而备受研究人员的青睐。利用能带工程,在氧化锌基质晶格中掺入其它离子（Al......
采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27.5 nm的W/Si多层膜,使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力,采用W......
为研制真空紫外与极紫外波段Al基薄膜光学元件,详细研究了Al基薄膜的应力特性及其优化方法。利用应力实时测量装置对共溅射技术制......
随着微电子工业的发展,对器件低功耗、高性能化、尺寸微型化以及集成化等方面提出了更高的要求。近年来,一种新型介电材料,钛酸铜......
学位
以激光照射下 Ｔｂ Ｆｅ Ｃｏ 四层结构为例， 基于麦克斯韦（ Ｍａｘｗ ｅｌｌ） 方程和坡印廷（ Ｐｏｙｉｎｇｔｉｎｇ）矢量定理， 提出了一种磁光盘片膜层结构的热学优化新方法。与常规的......
本文采用共溅射的方法在玻璃基底上制备了一系列不同金属体积分数x(0.48≤x≤1.00)的Ni-SiO2颗粒膜；采用单靶射频溅射的方法制备了......
学位
在当今信息社会中，磁存储获得越来越广泛的应用。而且随着磁存储密度的不断提高，对于磁记录薄膜介质的结构和性能提出了越来越高的要......
Cu（In,Ga） Se2（CIGS）薄膜太阳能电池目前普遍采用具有In,Ga元素梯度的吸收层薄膜,这是由于吸收层中金属元素的梯度分布,使得吸收层形成......
期刊
详细描述一种等离子体高效溅射系统及应用工艺.此种崭新的溅射技术结合了蒸发镀的高效及溅射镀的高性能特点,特别在多元合金以及磁......
期刊
采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜，并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响，利......
采用磁控三靶共溅射的方法在玻璃衬底上沉积出了Cu-In-Al预制膜，后经硫硒化工艺得到了Cu （In,Al）（S,Se）2（CIASSe）薄膜吸收层，并利用XRD、ED......
为解决VO2薄膜相变温度过高,热滞回线温宽过大以及掺杂后红外透过率变低等问题,开展了低成本钨钒共溅热致变色薄膜制备工艺的探索......
以共溅射法制备的Cu-In预制膜为衬底材料,以硒粉为原料,尝试了几种特殊的硒化方案,包括单源硒化法、双源硒化法、表面喷粉硒化法、......
研究了一系列FeCoB-C02Z软磁薄膜在0.5～5.0 GHz频率范围内的噪声抑制特性,以及C02Z含量对FeCoB-C02Z软磁薄膜的反射系数S11、传输系......
采用直流磁控溅射技术制备了周期厚度为27．5 nm 的 W／Si 多层膜，使用实时应力测量装置对其应力特性进行了研究。为降低膜层应力，采用 W......
采用共溅射法，于不同温度下在玻璃基底上沉积Ag—Cu薄膜。X衍射（XRD）分析表明，当基片温度为100℃和200℃时，形成的是Ag-Cu亚稳态合金；而......
用共溅射方法和固态源硒化方法,分别合成了Cu-In合金膜和CuIn(CIS)多晶薄膜,并用XRD,SEM和霍尔效应测量技术,分别测量了两种薄膜的......
采用共溅射和多层膜溅射两种不同的溅射方式制备FePt:Ag颗粒膜.MFM和TEM微观结构观测的结果表明:与多层膜溅射制备的FePt:Ag颗粒膜......
采用磁控共溅射方法制备了非晶态的SmCo磁性薄膜，用振动样品磁强计（VSM）分析了薄膜的磁学性能，并通过原位后退火处理研究了其磁学性能......
采用共溅射法结合后硒化成功制备出CZTSSe薄膜,主要研究了不同的硒化温度对CZTSSe薄膜与电池性能的影响。分别采用X射线衍射仪、拉......
以Ar为工作气体,O2为反应气体,利用射频磁控溅射技术成功地在载玻片上沉积了透明TiO2催化剂薄膜.同时利用共溅射技术制备了掺杂CeO......
我们采用与现有工业生产相兼容的磁控溅射工艺,利用三靶磁控共溅射的方式制得了非晶AZTO（Al-Zn-SnO）薄膜,薄膜在波长550 nm处的透过......
利用双离子束溅射沉积共溅射方法制备了富Si-SiO2薄膜,研究了沉积参数、时间、工作气压PAr.基片温度等对沉积速率的影响,用TEM和XR......
摘要：采用Cu、In双靶，直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜，然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe2（CIS）薄膜。采用SEM和EDX观察和分析了样......
目前所应用的SERS检测技术中,绝大部分都是贵金属材料,虽然贵金属材料都具有很强的拉曼增强效果,但是对激发光源却有很强的依赖,具......
该文采用多靶共溅射方法先预沉积了Al-Sb复合薄膜,然后在N2气氛下进行退火得到Al Sb多晶薄膜。用XRD分析了Al Sb多晶薄膜的结构,用......
本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上制备了Cr：ZnO薄膜,利用XRD、XPS、PPMS测试手段对制备的样品进行表征,结果表明：Cr以Cr3＋离子形式掺......
用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法，分别以TiN,TaN,ZrN为扩散阻挡层，在单晶硅片上制备了Cu-Zr合金膜，膜在400℃氮气中退火1h，研究表......
利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形......
近年来,Cu（In,Ga）Se2（CIGS）电池组件发展稳定,最高效率可达22.3%,但原材料（In和Ga）的稀缺导致其成本居高不下,成为其继续发展的最大阻碍......
以Al金属和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射的方法在玻璃衬底上制备Al掺杂ZnO（AZO）透明导电薄膜,采用X线光电子能......
近年来,科技水平的不断进步,带动着智能可穿戴电子器件行业蓬勃发展,电子显示器件逐渐受到人们的日益关注。薄膜晶体管作为电子显......
以Cr层为底层和保护层,采用直流共溅射的方法在Si基片上制备了Cr（80 nm）/SmCo5（300nm）/Cr（8 nm）薄膜,并对样品进行550℃保温30 min的退火......
采用两靶共溅射的方法,分别采用GZO靶材及Al靶材,在不同的Al靶材溅射时间下制备AGZO薄膜。测试分析了不同Al靶溅射时间下,AGZO薄膜......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
由于PtMn反铁磁材料具有大的交换偏置，比较高的Blocking温度和较好的热稳定性，在自旋阀结构中PtMn已经在实际应用上用来钉扎铁磁层。......
为提高在高温条件下选择性吸收涂层的性能，采用金属粒子注入介质基体中形成的金属陶瓷作吸收材料，制成金属陶瓷复合薄膜，它具有优良的......
硒化锌是红外宽波段（0．7-14μm）优秀的红外窗口透过材料，但是由于其折射率相对偏高，耐磨抗蚀性能差，并且有32％的反射损失，因此必须在它的表......
研究了衬底温度对采用Cu_2ZnSnS_4靶和Cu靶共溅射制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描......
利用直流-射频共溅射法在玻璃基底上低温制备了系列掺铝氧化锌（ZAO）透明导电薄膜。研究了低温溅射过程中倾斜溅射靶偏角对样品电学性......
多晶硅在光电子器件领域具有较为重要的用途。利用磁控溅射镀膜系统,通过共溅射技术在玻璃衬底上制备了非晶硅铝(α-Si/Al)复合膜,......
Al-Cu-Fe薄膜由于其性能优良，来源容易，成本低等因素，已经引起有关应用研究如耐磨减摩、不粘性、耐热和耐蚀性能等方面的关注。尽管目......
采用共溅射及分步溅射方法在涂钼的钠钙玻璃衬底上分别形成金属预制层,先后在低温及高温下对金属预制层进行合金后硫化,制备了铜锌......
随着电子设备的小型化、高度集成化的不断发展,需要磁性器件向小型化和高频化方向发展,具有高饱和磁化强度MS、高电阻率ρ、高磁导......
以金属Ti和ZnO陶瓷作为溅射靶材,采用直流和射频双靶磁控共溅射方法在玻璃衬底上制备Ti掺杂ZnO（TZO）透明导电薄膜,探究了衬底温度对......
