扩散阻挡层相关论文
薄膜晶体管（TFT）是广泛应用于平板显示领域的半导体器件。当前,大尺寸高分辨率高刷新率的面板拥有了愈发重要的市场地位,这就对TFT器......
电子器件的微型化对钎焊界面的可靠性提出更高的要求,深入研究钎焊界面金属间化合物(Intermetallic compound,IMC)的形貌演变和生......
钨钛合金因为具有抗腐蚀性和抗氧化性能好,导电导热性能好等优异性能,而经常被做成薄膜材料广泛用于半导体金属连接处的扩散阻挡层......
钨及其合金具有熔点高、密度大、高温强度好、弹性模量高、热膨胀系数小等优点,在航空航天、军事、核工业等领域有着广泛的应用,被......
随着集成电路半导体制造工艺水平的快速发展,器件的特征尺寸不断缩小,芯片的集成度不断提升。器件特征尺寸越逼近14纳米工艺节点,......
采用分子自组装技术,以Si为基底,在3-氨基丙基三甲氧基硅烷（APTMS）的浓度为3mmol/L,组装温度为70℃的条件下,通过调控反应时间制备AP......
飞机发动机涡轮叶片的热障涂层在服役时,遭受高温气流的长时间作用,会在叶片基体与粘结层界面处发生严重的元素扩散现象,使基体和......
本文研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄......
采用射频反应磁控溅射法在(111)单晶Si基体上沉积ZrN扩散阻挡层，随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS......
为研究氮气含量的变化对AlCrTaTiZrV高熵合金薄膜性能的影响,检验在最佳氮气含量下厚度为15 nm的(AlCrTaTiZrV)N扩散阻挡层的热稳......
用离子束辅助磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在TiN、CrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Cr合金膜.用滚动接触疲劳实验评价结合强......
用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(U......
本文综述了集成电路互连线的发展历史及研究现状.介绍了铜作为互连金属的优势及几种铜互连线的沉积工艺,分别讨论了它们的优缺......
研究了用氧化硼抑制碳/碳复合材料的氧化反应。用浸渍工艺将不同量的抑制剂沉积在碳表面,由于部份抑制剂封闭了活性部位,所以降低......
4．几何形状导线的几何形状一尺寸、转角数目、台阶覆盖以及同一条线上宽度的变化对电迁移特性也有重要的影响。其中尺寸的影响在前......
模拟自对准硅化物技术的两步退火工艺，对超高真空（UHV）下制备的Ti／Si样品依次进行低温退火、腐蚀和高温退火。利用俄歇微探针（AES）和X射......
据美国 Physics Today,1999,52:9报道,美国劳伦斯伯克利国家实验室的科学家蒙蒂罗(O.Monteiro),成功地在集成电路上沉积了铜导线,......
提出了金属-半导体欧姆接触退化的快速评估方法-温度斜坡快速评价法，并建立了自动评估系统，用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能......
采用电弧离子镀技术在NiCoCrAlY涂层与高温合金基材DSMll间沉积不同成分的Cr-O-N薄膜作为扩散阻挡 层,研究了900℃下氧化1400 h后D......
利用磁控溅射方法在表面有SiO2 层的Si基片上溅射Ta/NiFe薄膜 ,采用X射线光电子能谱 (XPS)研究了SiO2 /Ta界面以及Ta5Si3 标准样品......
镍铬—镍型热电偶的微分电势比铂铑—铂热电偶高4～5倍,而且温度与热电势的关系近似直线,是廉金属热电偶中综合性能较好的一种。本文......
一款带有堆叠存储器的IC可以将速度提高1000倍,而功耗则降低为原来的1/100。
An IC with stacked memory can speed up to 1000 t......
Enthone公司采用Enplate NI-427工艺,用化学方法将一半光亮、平整,不含铊的镍—硼涂层沉积在例如碳钢、合金钢、铜合金、铝合金、......
一、引言电子元器件引线的软钎焊性所受到的影响,常常来自于镀层表面的氧化和镀层与基材问扩散所形成的金属间化合物。而金属间化......
通过腐蚀失重和电化学试验,研究了不同铈含量的铸造高镍铬不锈钢在还原性酸中的耐蚀性能。测定了钝化膜的自活化时间,分析了钝化膜......
工业界正致力于寻找最具成本优势的堆叠、键合以及集成方法。在过去的20年间,3-D(三维)集成的概念在半导体工业界获得很大关注(图1......
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结......
用射频反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Nb-N扩散阻挡层,并通过EDS、XRD、TEM和电阻测试仪等,分析了偏压对Zr-Nb-N薄膜结构与......
亚16 nm以下的互连技术中需要采用电阻率低、阻挡性能好、与Cu粘附性好并同时具有较好抛光性能的新型扩散阻挡层。利用自制2英寸图......
氮化钛(TiN)薄膜具有较高的硬度、较低的摩擦系数和良好的化学稳定性,已广泛应用于机械、微电子、半导体的扩散阻挡层、装饰行业等......
软磁复合材料(Soft Magnetic Composite materials,SMCs)是一种用于电磁转换的基础功能材料,通过在金属或合金软磁粉末表面包覆绝......
集成电路制造行业已经进入7nm技术节点,互连中的RC延迟、动态功耗与串扰噪声是影响器件性能的重要因素,工业界采用Cu/low-κ的互连......
自1997年IBM公司发布了可用于集成电路生产的铜布线工艺后,铜互连逐渐占据了集成电路生产的主导地位。但随着集成电路设计水平和特......
法国凯恩大学的研究人员发现了一种把超导薄膜涂复到硅上的方法。以前进行的在硅上涂复超导薄膜的试验都没有取得成功,其原因是薄......
运用XPS和AES研究了Pt扩散阻挡层对PZT薄膜／Si界面化学结构和性能的影响：在PZT薄膜和Si基底间增加Pt扩散阻挡层，可以抑制TiCx物种和Ti......
研究了钛硅铝锡四元复合涂层作为扩散阻挡层对钛/瓷结合强度的影响.通过测量复合溶胶的粘度对溶胶的稳定性进行评价,并进一步优选......
期刊
日本原子能研究所利用Nb_3Sn超导线制成的大形线圈,实现了每秒7忒斯拉(70000高斯)的迅速的磁场变化。 此一迅速的磁场变化速度超......
用高温原位Ｘ射线衍射技术分析研究了Ｔｉ３Ａｌ基合金在７００℃和８００℃的氧化行为，测定了其１００ｈ的氧化增重曲线，并用电子探针分析了氧化层截面的元素分布。实......
采用直流磁控溅射方法在p型(100)Si衬底上制备了3类Ta基纳米阻挡层薄膜及其对应的Cu/barrier/Si复合膜,并对薄膜样品进行了卤钨灯......
本文研究了在900℃下采用稀土复合处理剂粉末包渗法对Ni_(80)Cr_(20)电热合金表面进行5h稀土-硅共渗后的抗氧化性能。结果表明,在......
用射频等离子增强化学气相沉积技术(RF-PECVD)制备非晶碳化硅(a-SiC:H)和不同掺氮量的碳化硅基(a-SiCNx:H)介质薄膜.采用傅里叶红......
