薄膜淀积相关论文
用ＩＣＢ外延技术在ＮａＣｌ（１００）和Ｓｉ（１１１）衬底上生长了ＣｄＴｅ单晶薄膜．Ｘ光衍射、电子背散射通道及ＲＨＥＥＤ都表明获得了良好的单晶结构及平滑膜面．外延取向关系为ＣｄＴｅ（１００）／ＮａＣｌ（１００）和ＣｄＴｅ（１１１）／Ｓｉ（１１１）．实验发现，生......
本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H......
通过过程分析导出了ＣＶＤ合成超细粒子过程的一般动力学方程，通过鉴别试验确立了ＣＶＤ合成超细粒子过程的两大特征，简化了过程动力学方程，并进而......
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氨化硅薄膜的成分和结构进行了研究．采用高频Ｃ－Ｖ测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氯化硅及其......
本文研究了先进的全离子注入自对准难熔金属氮化物复合栅ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ场效应晶体管的工艺技术．首次使用Ｍｏ／ＺｒＮ作为复合栅的材料，ＡＩＮ薄膜作为器件介质钝化层......
以二氧化硅、氮化硅薄膜为例论述了紫外光能量辅助化学汽相淀积的反应机制。二氧化硅薄膜的组成为纯ＳｉＯ２；氮化硅薄膜中含有氧元素，组成为......
本文研究ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构ＭＯＳ器件栅介质制备技术，采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）方法低温制备电学特性优良的薄栅介质薄膜，并应用于ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结构器件......
本文介绍了一种用满足一定条件的俄歇谱线的峰－峰幅度值来研究局域电子态密度的方法。并用此方法研究了成膜原子与衬底原子间的电荷......
利用ＺＹＧＯ光学干涉测量仪，散射积分测量法观测了光学元件表面均方根粗糙度．详细分析了薄Ｓｉ膜对基底均方根粗糙度的影响，由此认为薄膜并不总是......
介绍了测定a－Si：HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a－SiNx：H薄膜淀积时反应气体NH3／SiH4流速比以及a－SiNx:H膜厚对a－Si：HTFT阈值电压......
在今年4月举行的美国化学学会会议上报导，快速薄膜淀积法为制作非线性光学材料和目前难于产生的其它光学材料展示了希望。纽约州立......
目前，科技工作者采用各种技术、方法试图合成晶态氮化碳（β-C3N4）材料，并在不同工艺条件下对氮化碳材料生长及表征进行了大量的研究．但......
室温下，用直流磁控反应溅射方法在 Ｎ２ ／ Ａｒ 混合气体中淀积了 Ａｌ Ｎ 薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘 Ｇａ Ａｓ 单晶片．研究了反应条件，如反应气压、反应......
对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄......
利用提高硅粉薄层温度的方法，使冷等离子体对硅提纯达４Ｎ（９９．９９％）。本文用反应动力学的方法分析提纯机理，建立必要的方程以探讨影响提纯的因素。......
利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出了一层ＳｉＣ薄膜．这种ＳｉＣ薄膜可以用作场致发射的阴极，该文报道了其场致发射的Ｉ～Ｖ特性测试结果．结果表......
采用复合靶共溅射技术制备纳米ＧａＡｓ晶粒镶嵌在ａ－ＳｉＯ２中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度，调节靶面ＧａＡｓ的百分比，可制备出不同ＧａＡｓ晶粒尺度与体积百......
研究了用 Ｃ Ｆ４ 或乙醇作为反应气体， Ａｒ 作为气体添加剂对 Ｉ Ｔ Ｏ 膜进行反应离子刻蚀，讨论了射频放电功率，反应室气压， Ａｒ 的流量对刻蚀速率的......
提出一个用磁控溅射制备碳化硅薄膜的简化热力学模型。首先选出构成β－ C3N4,P－ C3N4 或 － (C2N2)n－的最可能表面反应 ,然后通过求解......
采用射频磁控溅射法在有机薄膜衬底和 70 5 9玻璃衬底上在室温下制备出了因淀积时间变化而厚度不同的ZnO :Al透明导电膜 ,并对不同......
以三甲基铝(TMA)和氨气(NH3)为源,在原子层淀积设备上实现了氮化铝薄膜的制备.通过扫描电子显微镜、X射线能谱仪和原子力显微镜对......
分析了薄膜淀积工艺、光刻工艺和刻蚀工艺过程中引入的颗粒对光刻图形完整性的影响。采用三相三次多晶硅工艺,光刻制备沟阻或多晶......
研究了一种氢化非晶硅(a:H-Si)薄膜微晶化的激光控制工艺方法。在保持脉宽、激光功率和激光光斑大小一致的情况下,分别应用4、8、1......
非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)沟道薄膜晶体管存储器在先进系统面板领域具有重要的应用前景。首先阐明了a-IGZO材料在系统面板和柔性器......
在2003年11月28～31日于日本YoKohama举办的FPD展览会上展示了最大尺寸的aSi淀积基板,这种基板可满足在一块基板上生产40英寸电视的......
最近几年,在生产光学和微电子学薄膜系统中,真空淀积金属氧化物的应用有了迅速的增长。其结果是,淀积过程控制设备的发展也有了进......
A15 Nb_3Ge化合物,仍是目前已发现的超导转变温度最高的超导体,但其Tc的高低与制各方法密切相关;用电弧熔炼的大块材料,Tc在6K附......
本文在推导出LPCVD多晶硅计算机模拟算式的基础上,进一步又推导了LPCVD的计算机模拟通式,用于LPCVD二氧化硅、氮化硅的模拟计算中,......
作为光伏器件或集成电路电极引线的金属化薄膜,应有较好的抗电迁移性能,以保持较低的接触电阻和较好的接触稳定性。提高抗电迁移......
真空镀膜技术真空镀膜就是在真空环境下,采用各种物理、化学的方法使待镀材料呈原子、分子、离子或粒子团等状态沉积到某一固体(......
原子团的形成和状态是研究离化原子团淀积（ＩＣＢＤ）机理的首要问题。作者采用一种新的测量方法研究了Ｔｅ在不同蒸发温度下形成的原子团的平均尺......
本文给出了一台８通道宽带薄膜监控装置的研制结果．该装置有３２个检测波长可供选择，能同时检测８个波长处的实时信号，可用于光学薄膜的宽带监......
由于铁电薄膜具有一系列的特殊性质,如铁电开关特性、压电效应、热释电效应、电光和声光效应、非线性光学效应等,因而在微电子学及......
介绍了用于能效窗口的直流溅射氢氧化镍电致变色薄膜的电变色性能。讨论了不同偏置条件下的光透过谱线和循环伏安特性，薄膜厚度与光......
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获......
用红外光谱、质子核磁共振谱对以ＳｉＨ４／ＮＨ３／Ｎ２混合气体为源、用等离子体增强化学气相淀积法淀积的非晶氢化氮化硅（ａＳｉＮｘ∶Ｈ）薄膜进行了分析，结果表明膜......
利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速......
利用化学气相淀积(CVD)技术,在700～1000℃下合成了AlN超细粒子,研究了操作参数对粒子特性和AlN薄膜生长规律的影响。AlN超细粒子表......
本文综述了ＰＣＶＤ过程中等离子体各种粒子和基团的诊断技术和方法。结合我们的研究工作，着重分析诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解......
本实验通过水解酞酸四丁酯的方法得到ＴｉＯ２超微粒胶体溶液，并在室温下将其淀积在表面磺酸基化的有机自组装单层上，制成透明的ＴｉＯ２薄膜．俄歇电子......
VTP100是一种高速光电二极管,为阻止可见光,该管做在一透红外塑料上。计划将它用于VTE121系列红外发光极管的红外远距离控制,如TV......
