等平面工艺相关论文
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用．通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小......
采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制......
前言为扩大 LN6800微处理机的应用领域,使其能与调制解调器,电传打印机,CRT 显示终端和盒式磁带机等外设进行数据传输,我们于79年......
今年以来,上海市半导体器件工业公司所属各厂已经通过鉴定的部分集成电路新品种有: 一、大规模集成电路 5G 8085A单片八位中央处......
一、概述LN6845是 LN6800系列产品之一。它是 CRT 控制器(CRTC),为专用的大规模集成电路接口器件,采用 N 沟硅栅 E/DMOS等平面工......
打倒了“四人帮”我国电子工业的发展进入了新时期,特别是电子计算技术的迅猛发展对新型的半导体存储器的研制提出了迫切的要求。......
我们研究了SiH_4-NH_3体系低压化学气相淀积氮化硅薄膜。由于高浓硅烷易燃易爆,从安全出发,我们不用文献介绍的20%和100%的硅烷,而......
美帝费尔查尔德公司所报导的“隔离平面工艺”——Isoplanar technique(又称“等平面工艺”)实际上是用平面氧化法代替常规的扩散......
一、前言 我所接受了DJS—062微型计算机的研制任务,外设接口适配器是其主要部件之一。我所于80年6月鉴定会上通过了对MJ30外设接......
本文报导了紫外光擦除,电可编程序唯读存储器8KEPROM 的研制概况。介绍了器件特点,写入模型和擦除模型。并对电路进行了初步分析;......
题示:Ⅰ、发展概况和主要趋势Ⅱ、可靠性1.集成电路的可靠性与质量控制2.大规模集成电路的可靠性3.采用冗余技术、自我诊断、自我......
LN6800MPU(简称MPU)为仿美“MOT-OROLA”公司,1975年产品E/E型MOSLSIMC6800MPU微处理器,芯片面积28(mm)~2,集度为5900元件的组合......
中国科学院半导体研究所研制的N沟MOS 4096位动态随机存贮器,采用了先进的N沟硅栅等平面工艺和单管单元电路。集成度为10875个元......
本文论述了器件在快速中子脉冲群的辐照以后,有关迅速退火的几种新工艺。已发现“劈出”(breakout)器件的退火响应和已有工艺模型......
一、工艺说明和光刻顺序 (1)光刻顺序 掩膜功用正反刻 1#有效区正刻 2#多晶硅反刻 3李接触孔正刻(铝对N+和多晶硅) 4#接触孔套刻正......
最近,国外发展了一种新的隔离工艺——等平面工艺。据美帝费尔查尔德公司宣称,这是十年来隔离工艺中的第一次重要进展。目前这种......
本文介绍了针对n沟硅栅MOS等平面工艺设计的测试图形。阐述了图形的设计考虑,基本测试结构的测试方法和初步实验结果。实验数据反......
CVD设备 欲使器件具有高可靠性,则须实现器件的高性能与高密度化,若干年来,这项技术研究已达到了白热化的程度,而且这种白热状态......
本文叙述了DMOS器件和DMOS E/D电路的结构和特点。提出了硅栅自对准等平面DMOS E/D电路的工艺方案,并给出了工艺参数。用这种方案......
本文将介绍紫外光擦除、电可编程序“唯读”存贮器—16KEPROM 的研制概况。重点介绍器件特点及制造工艺,提供存贮单元的写入机理、......
衬底型离子敏感场效应晶体管是一种化学敏感器件,它不同于普通的离子敏感场效应晶体管。这种器件的敏感膜是沉积在衬底的背面。敏......
一、总述我所承担的“六五”重点攻关项目——二十三种6800系列大规模集成电路,已先后开发并通过国家正式鉴定二十七种,超额完成......
本文介绍一种新颖的由八个PMOS高压器件组成的高压PMOSIC,描述了高压PMOS的器件设计和工艺设计,高压PMOS器件的物理模型,并给出了......
本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载......
本文主要报导了剥离光刻工艺及其在半导体集成电路CMOS刻铝中的应用方法,工艺实验是在生产线上进行的,本文还报导了实验结果、CV测......
以偏离〈100〉面25.24°的硅〈113〉晶面为基底,采用氧化、光刻等平面工艺,在其上制成光栅常数为36μm的二氧化硅光栅图形作掩模,......
<正> 一、引言随着微计算机的不断发展,EPROM器件也得到越来越广泛的应用。同时,由于EPROM 器件具有不挥发性的特点,在存贮器领域......
砷化镓集成电路(GaAsIC)是微电子发展的重人新领域。本文将介绍其特点、主要方向和用途。重点介绍砷化镓集成技术基础研究对发展......
LN601AC和LN602AC是通用接口适配器(PIA),用于MPU和外设之间。这二种电路与MC6820功能完全一样,原器件6820为单块电路。文中简单介......
挖土机的刀具 (苏联)SU1154—425—A 这种刀具有支承壳(1)和工作部(2)并配带切割边(刃)。前表面(4)具有凹入(6),它的基部(6)是属......
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题，研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制。通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07nm......
本文以 LN6845(其面积较大,功能较复杂)为例,对 E/D 工艺中的若干问题,如:工艺路线、材料选取、参数规范、工艺环境、工艺条件控制......
本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用，通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小......
