表面态密度相关论文
采用传统的陶瓷烧结工艺制备了B2O3、In2O3、Al2O3多元施主掺杂的直流ZnO压敏陶瓷样品，考察了不同掺杂比（0.1%～0.4%，摩尔分数，下同）的B2O......
本文叙述了BaTiO基PTCR陶瓷材料理论研究的发展历程和目前的最新进展情况,对目前研究的三大热点问题:1、晶界缺陷结构2、微量3d受......
本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的......
应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新......
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的......
前已发现，将ＧａＡｓ（１００）晶片浸入Ｓ２Ｃｌ２或Ｓ２Ｃｌ２＋ＣＣｌ４溶液是实现ＧａＡｓ表面钝化的一种有效途径．用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量Ｓ２ｐ芯能级谱，从而揭示，在浸泡后的......
在长波光导碲镉汞器件研制过程中，表面钝化是不可缺少的一个重要环节。在早期，表面钝化只进行阳极氧化处理。通过阳极氧化加ＺｎＳ复合钝化......
比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公......
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长......
论述了通过优化难熔金属栅电极的溅射工艺及采用适当的退火温度修复损伤来提高 3nm栅氧 W/ Ti N叠层栅 MOS电容的性能 .实验选取了......
采用ＮＨ３和Ｎ２Ｏ的等离子体分别对ｐ－Ｓｉ（多晶硅）薄膜表面进行了钝化处理，处理后的 ｐ－Ｓｉ ＴＦＴ（薄膜晶体管）具有比未处理 ＴＦＴ更优越的性能，通电试验与热应力试验后，处......
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究.AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得.文章综合考......
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2O3薄膜进行二次钝化处理。通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对......
对不同条件下制备的锑化镓抛光晶片表面进行了TOF-SIMS测试比较。结果表明使用体积比为5∶1的HCl与CH_3COOH的混合溶液清洗腐蚀(10......
GaN纳米材料因具有优异的晶体质量和突出的光学性能及发射性能,日益受到关注。研究了一种利用氢化物气相外延(HVPE)系统生长高质量......
本文应用循环伏安法研究了n型碲化镉单晶电极的光致腐蚀行为;并运用PAR M368电化学阻抗系统测得了此电极在不同电位下的交流复阻抗......
为了改善GaAs(110)与自身氧化物界面由于高表面态密度而引起的费米能级钉扎(pinning)问题,提出采用射频磁控溅射技术在GaAs(110)衬......
人们发现,在高温下氨气中进行SiO_2的热氮化,可以形成有用的薄栅绝缘物,具有热氮化SiO_2膜的MOS二极管的界面特性明显地受氮化条件......
纳米级自开关二极管是一种通过破坏器件表面对称性来实现整流特性的纳米级新型晶体管。首先通过建立In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48A......
研究了用于锗雪崩光电二极管(Ge-APD)纯化的密封热氧化,这种氧化包括SiO_2淀积和接着在氧气气氛里的退火。在SiO_2/Ge界面,氧化锗......
线阵CCD摄象传感器的栅氧化,是制作整个器件的一个关键工艺,采用了三氯乙烯(以下简称TCE)参与氧化,已能获得高质量的二氧化硅层,其......
本文详细地介绍了制备X波段的GaAs雪崩二极管的肖特基势形成方法。通过严格清洗n型GaAs外延片,合理地溅射淀积多层金属Pt-W-Pt-Au......
在金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管中,源到漏的横向扩散是确定器件最小总尺寸的制约因素之一,它对于设计大规模集成电路非常重要。
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本文描述了由测量转移损失来确定表面沟道电荷耦合器件(SCCD)中表面态引起转移噪声的简单方法。我们测量了二相交迭多晶硅电极长沟......
研究了一种用铍离子注入工艺制备Insb光电二极管的新方法。此法所得器件性能较标准扩散工艺所制备的并不逊色甚至还好。除注入工艺......
在红外CCD的研制过程中,InSb是居重要地位的器件之一。国外正大力发展,InSb红外CCD,准备将它用于地球资源和卫星的遥感、热成象等......
光电导半导体材料基体在电解液中用电解方法阳极氧化,如在含0.1克分子浓度的氢氧化钾,90％的乙二醇,10％的去离子水的电解液中,可形成......
我们发展了一种变温光电测试方法,用这种方法可以测量类如MIS隧道二极管结构器件的势垒高度、表面态密度等。对浅结MINP太阳电池......
在制造大规模集成电路的工艺中,P沟道MOS已成为工业产品的标准件。P沟道之所以比N沟道占优势,是由于P沟道工艺中的二氧化硅表面性......
近年来MOS器件发展极为迅速,在很多方面取代了一般的双极型器件.其中的互补型,即CMOS器件,由于其静态功耗低、抗干扰能力强、电源......
前几年的发展基本上解决了制备互补MOS晶体管特性化单片电路的难题;现在已能大量生产既可靠又经济的COS/MOS集成电路。本文阐述了C......
本文首次运用Rothwarf的晶界复合损失模型及其修正因子分析和计算p—n结类型多晶Si太阳电池的光电流和短路电流。导出多晶Si少子有......
本文介绍采用辉光放电(G.D)法淀积含氢非晶硅(α-Si:H),并将其应用于硅器件的表面钝化,结果表明,采用α-Si:H钝化,特别是以α-Si:H......
本文研究了两步三氯乙烯薄栅(～400)氧化工艺,作为制备符合HMOS-Ⅱ工艺所要求的400优质薄栅氧化层的一种新方法。其主要特点是:低温......
应用范围、效果和优点本发明介绍了在碲镉汞半导体表面上以臭氧形成半导体表面层的自身氧化物,是一种清洁、简单又可靠的方法。不......
用阳极氧化方法在N-InP与金属之间夹入薄层自体氧化物,得到了势垒高度φB>0.70eV,理想因子n=1.1～1.4的肖特基结,并用DLTS法在该结中......
本文用敏感半导体陶瓷的显微物理模型描述了热敏、气敏和湿敏陶瓷的电性能。得到了一些重要的结果。这些理论结果与实验结果相符,......
GaAs的等离子体氧化国外已有报道,其表面态密度约为10~(11)/cm~2·eV量级,击穿场强大于10~6V/cm。可用于MOSFET器件、半导体激光......
本文描述硅本征吸杂片的特性参数,如吸除区宽度、洁净度,氧沉淀密度、MOS电容寿命,介绍了表面态密度及残余间隙氧浓度的检测方法和......
测量了GD a-Si:H/n-c-Si异质结的高频C-V特性,由平带电压的偏移,计算了有效表面电荷和表面态密度,应用突变异质结能带模型对结果作......
