【摘 要】
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碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造.根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀.本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景.
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院,杭州 310027;浙江大学杭州国际科创中心,杭州 311200;浙江大学硅材料国家重点实验室材料科学与工程学院,杭州 310027;浙江大学杭州国际科
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碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料.得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造.根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀.本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景.
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