InAlAs相关论文
设计并制备了一种面向25Gbit/s长距离传输用背面进光高速InAlAs雪崩光电二极管(APD),芯片采用垂直台面吸收-渐变-电荷-倍增层分离(......
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰ异质结构场效应晶体管的选择湿法腐蚀ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＷｅｔＥｔｃｈｉｎｇｆｏｒＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＰＨｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅＦｉｅｌｄ－ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓＭ．Ｔｏｎｇ等１引言异质结构...
SelectiveWetEtchingforInGaAs / InAlAs / InPhaseStructureField-Effec......
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连......
通过在InP基InxAl1-x As递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84Ga0.16As探测器结构,研究了缓冲层中组分过......
利用固源分子束外延设备生长出InAs/InAlAs/In P(001)纳米结构材料,探讨了As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构形貌的影响.结果......
对分子束外延(MBE)自组织生长的InAlAs量子点材料进行了拉曼散射实验。结合原子力显微镜(AFM)对量子点形貌观察的结果,分析了InAlA......
研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ亚微米ＨＥＭＴ的影响。发现直流特性变差。Ｉ＿（ＤＳＳ）２９９ｍＡ／ｍｍ减到１８２ｍＡ／ｍｍ，Ｇ＿ｍ从５１３ｍＳ／ｍｍ减至２０９ｍＳ／ｍｍ，还测量出了微波参数的降低。ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别减少超过３０％和......
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利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构，研制出高质量的应变自组装InAlAS/AlGaAs/GaAs量子点材料和低温连续激射的......
在１５Ｋ测量了不同尺寸分布的Ｉｎ０．５５Ａｌ０．４５Ａｓ／Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ量子点的静压光致发光，静压范围为０－１．３ＧＰａ．常压下观察到三个发光峰，分别来源于不同尺寸的量子点（横向直径分别为２６、５２和６２ｎｍ）的......
采用气源分子束外延（GSMBE）生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ......
Optical transition and carrier relaxation in self-assembled InAs/GaAs quantum dots with InAlAs and I
有分子的横梁取向附生种的 InAlAs/InGaAs 联合帽子层的自我装配的 InAs/GaAs 量点(QD ) 的光致发光(PL ) 系列在不同刺激条件下面......
高分辨率X射线衍射技术被用来分析基于InP衬底的应变的InGaAs和InAlAs单层材料和应变补偿的InGaAs／InAlAs超晶格材料。通过倒空间ma......
从理论上和实验上对InAlAs/InGaAs调制掺杂场效应晶体管(MODFET)进行了研究。建立了简单的一维电荷控制模型,并进行二维数值模拟,......
简要报道了自行研制的InGaAs/InAlAs量子级联激光器 的制备及其主要特性.该器件具有增强型脊型波导结构，在80K时阈值电流为0.5A，相应......
利用改进的小信号模型对采用100 nm InAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器......
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子......
通过在InP基InxAl1-xAs递变缓冲层上生长In0.78Ga0.22 As/In0.78Al0.22As量子阱和In0.84 Ga0.16 As探测器结构,研究了缓冲层中组分......
成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器......
