LPCVD相关论文
本文主要对低压化学气相沉积（LPCVD）法制备N型高效晶硅隧穿氧化层钝化接触（TOPCon）电池工艺进行研究。分析LPCVD法制备隧穿氧化层及多......
二维材料的异军突起使其在电子及光电子等领域表现出巨大的应用潜力,其中具有超宽带隙的六方氮化硼的研究更加成为焦点。本论文从......
低压化学气相沉积（Low Pressure Chernica.l Vapor Deposition.简称LPCVD）是半导体制造工业中常用的薄膜沉积手段而晶圆（waf er ）表面......
TOPCon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和......
SiBN coating was deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) using SiCl4-BCl3-NH3-H2-Ar gas system.The e......
有机无机杂化钙钛矿太阳能电池由于其高效,成本低廉等优势受到广泛的关注.我们使用了一种低压化学气相沉积制备钙钛矿太阳能电池,......
LPCVD SiN薄膜的热导率在微电子和MEMS器件的设计过程中都是一个重要的参数.当绝缘薄膜厚度与热能载子——声子的波长或相干常数(......
作为为光伏的一个重要领域,硅基薄膜电池技术在过去5 年有了长足的发展,特别是近期硅基叠层薄膜电池的引入和产业化更是显著地提高......
有机无机杂化钙钛矿电池(PSC)给光伏领域带来了希望.薄膜结构PSC有利于探究该类电池的物理本质,同时能够与传统硅太阳能电池构成叠......
用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了测量,发现了低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度......
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺......
采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污。研究表明, 在氮化硅淀积工艺中, NH3和SiH2Cl2......
The optimized growth conditions for high density germanium(Ge) nanowires and P-doped Ge nanowires on Si(111) substrate w......
对等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）和低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）两种方法制备掺杂多晶硅膜进行了详细的实验研究，通过时两者进行比较，对淀积的动力学特......
掺磷（砷）多晶硅形成NPN晶体管发射结是提高fT及双极集成电路工作速度的最佳途径之一，目前被广泛应用。通过对LPCVD多晶硅生长、掺杂、......
最近,LAM公司推出了一种先进的制程设备,可用于生产300mm(12英寸)硅片,从而实现了技术上的突破。工程师们用LAM集成式低压化学汽......
提出了一种T形结构的边缘场发射阴极，它具有比通常的场发射体的发射面积大得多的特点。首次采用低压化学气相沉积技术生长内层重掺......
介绍了新近研制出的一种电阻加热式 CVD/ L PCVD Si C专用制备系统 ,并利用该系统以 Si H4、C2 H4和 H2 作为反应气体在直径为 5 0......
在 MBE/CVD高真空系统上 ,利用低压化学气相淀积 ( L PCVD)方法在直径为 5 0 mm的单晶 Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶......
单晶Si和蓝宝石 (0 0 0 1)是两种重要的 3C SiC异质外延衬底材料 ,然而 ,由于Si及蓝宝石和 3C SiC之间大的晶格失配度和热膨胀系数......
采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出 Ge纳米线 .在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂 ,合成了 Ge纳米......
本文报道用在S i台面及热氧化S iO2衬底上3C-S iC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为S iH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X......
通过对含有少量氧杂质的四氯化硅氢还原体系的热力学计算,得到Si-HCl-O体系的热力学性质及该体系的热平衡状态随温度和压力变化的......
The elastic modulus is a very important mechanical property in micromachined structures. Several design issues such as ......
全球半导体OEM和FAB代工厂家主要真空、尾气处理、化学管理设备和服务的供应商BOC EDWARDS宣布推出HELIOS6TM尾气处理设备。作为HE......
从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多......
Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS appli
The simultaneous control of residual stress and resistivity of polysilicon thin films by adjusting the deposition parame......
Hydrogen passivation for the performance enhancement of poly-Si crystallized by double-frequency YAG
The hydrogen passivation is adopted to enhance the performance of poly-Si crystallized by YAG laser annealing(LA polySi)......
High quality,homoepitaxial layers of 4H-SiC were grown on off-oriented 4H-SiC(0001) Si planes in a vertical low-pressure......
Surface saturation control on the formation of wurtzite polytypes in zinc blende SiC nanofilms grown
We investigate the formations of wurtzite (WZ) SiC nano polytypes in zinc blende (ZB) SiC nanofilms hetero-grown on Si-(......
This paper reports on a successful demonstration of poly-Si TFT nonvolatile memory with a much reduced thermal-budget.Th......
Fabrication and characteristics of magnetic field sensors based on nano-polysilicon thin-film transi
A magnetic field sensor based on nano-polysilicon thin films transistors(TFTs) with Hall probes is proposed.The magnetic......
多晶硅表面对于电荷耦合器件(CCD)的制作非常重要。采用扫描电子显微镜(SEM)和电学分析技术研究了低压化学气相(LPCVD)法淀积的多......
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺......
石墨烯材料的发现使二维材料研究成为材料研究领域的前沿课题。目前发现的二维材料种类已达上百种之多正如石墨烯一样,大尺寸高质......
低压化学蒸汽淀积(LPOVD)的三维计算机模拟算式,仅对具有一级化学反应级数的淀积过程,能够给出数学解析解的表示式,而对非一级反......
The mechanism of hydrogen plasma passivation for poly-crystalline silicon(poly-Si) thin films is investigated by optical......
Microstructure and oxidation resistance of SiC–MoSi_2 multi-phase coating for SiC coated C/C composi
In order to improve the anti-oxidation of C/C composites, a SiC–MoSi2multi-phase coating for SiC coated carbon/carbon c......
Effect of Deposition Time on Microstructures and Growth Behavior of ZrC Coatings Prepared by Low Pre
ZrC coatings were deposited on graphite substrates by low pressure chemical vapor deposition(LPCVD) with the Br_2-Zr-C_3......
本文在推导出LPCVD多晶硅计算机模拟算式的基础上,进一步又推导了LPCVD的计算机模拟通式,用于LPCVD二氧化硅、氮化硅的模拟计算中,......
在反应管中轴向和径向分别引入片间和片内的反应气体分子的转化率η和η(ρ,±l)以及反应气体的迁移分流因子ξ,提出了LPCVD的三维......
本文研究了用于制作压阻元件的LPCVD多晶硅薄晶体结构与淀积温度,膜厚及热处理温度的关系。多晶硅薄膜的织构和晶粒度不仅与淀积温......
