直流增益相关论文
目前电源设计者普遍采用基波近似法（FHA）设计LLC变换器的谐振腔参数，计算策略大多数基于谐振网络阻抗近似法和查图法，但谐振网络阻抗近......
三相LLC谐振变换器在轻载工况运行时,会出现输出侧电压漂高失控的现象,这是由于变压器匝间电容与副边整流管的结电容的存在共同形......
针对车载充电机的DC/DC变换器电路,本文对全桥LLC串联谐振DC/DC变换器进行了研究。通过对全桥LLC串联谐振电路数学模型的搭建,基于......
文章介绍采用两级超前校正网络对ＩＥＣ标准测试环路进行改进，从而大大提高环路稳定性，特别是当闭环直流增益达１０３和１０４时仍能稳定工作，这对测量反......
本文给出一种有源R型矩形波振荡器电路。该电路由集成运放和电阻所构成，因此十分有利于振荡电路的集成化．
This paper presents an ......
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实......
分析了ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响，用光致发光（ＰＬ）谱和Ａｌ／ＳｉＮｘ－Ｓ／ＧａＡｓＭＩＳ结构Ｃ－Ｖ特性，研究了ＧａＡｓ表面（ＮＨ４）２Ｓ／ＳｉＮｘ钝化工艺的效果及其稳定性。结......
飞利浦半导体推出新型“小信号突破”的开关晶体管,在双极晶体管本质低启动电压的特性之上又赋予超低的集电极-发射极饱和电压特......
本文分析和计算了基区不同Ge含量的器件在碰撞电离和雪崩击穿效应下的电流和电压特性，结果表明，在其它参数相同的条件下，基区Ge含量越......
提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极电解液之间的电......
设计了一种具有高的直流增益的宽带线性全差分跨导运放.一方面,并联一个工作在线性区的场效应管来补偿直流三阶系数,得到了一种应......
报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率f......
结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电......
系统构建并研究了开关电容积分器DeltaSigma调制器非理想因素行为级模型.重点实现一种运放非线性直流增益模型,仿真表明它更有效反......
研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分......
提出并构建了开关电容积分器Delta Sigma调制器非理想因素行为级模型,该模型基于Matlab中的Simulink工具,包含开关非线性、时钟抖......
基于SMIC 0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种应用于40MHz采样频率的14位高精度流水线ADC电路的运算跨导放大器,包括增益级电路、前馈......
LED光通信是一种以发光二极管(Light Emitting Diodes,LED)为光源,以光波作为信号载波的近距离无线光通信技术,其结合了光通信与LE......
设计了一种低电压低功耗高增益端到端运算放大器.为了提高运放的直流增益,采用了复制运放增益增强技术,这种技术的特点是在提高增......
把有源低通滤波器放进锁相环电路中,可以提供附加的环路增益、便于控制、扩大跟踪和捕获范围。这一跟踪和捕获范围可比采用无源滤......
设计温度控制器的一般要求是: (1) 控制温度的精度要高——也就是说.电路要有非常高的直流增益,因而,为了能得到所需要的加热器功......
模拟电子計算机的运算放大器一般是一个三級直接藕合电子管放大器,当其开环直流增益很大时,必需采用鎮定电路,否則放大器工作将不......
本文着重进行了高灵敏度直流放大器的系统方面的理论分析。主要讨论的问题包括:开环直流增益K的设计;系统的稳定性问题;系统的响应......
本文提出了一种分析负阻抗变换器NIC的新方法,讨论了有源元件特性不理想时对NIC基本特性的影响,设计了一个晶体管化NIC,并用来构成......
钟形幅度均衡器是均衡通路幅度畸变的常用器件。开关电容电路适宜采用LSI实现,以做到体积小、成本低。本文采用一种双二阶电路作为......
本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全......
本文提出一种“Q倍增带阻结构”来实现有源RC高Q二阶带阻电路.给出了设计和实验结果.由于这种新结构采用负反馈,所以有好的灵敏度......
多数有源滤波器都带噪声、畸变、增益误差和直流的特点。但如果在滤波器的通路配置上把直流通路与交流通路分开,那就可以消除上述......
本文详细分析了四盼锁相环的线性性能,给出了一类可以方便实现的四阶环结构,这种四阶环在一系列主要性能方面保持与三阶环大致相同......
本文测量了SiGe HBT直流增益在60Coγ辐照过程中随剂量及电流注入水平的变化.实验结果显示在累计辐照剂量超过5000Gy(Si)后,器件增......
示波器是一种用途十分广泛的电子测量仪器，是脉冲测量领域最常见的仪器之一，其用途是用于来描述、分析电信号幅度与时间的关系特征的......
研究了在低温下锗硅HBT器件的直流特性变化特点。与硅器件相比，锗硅器件在低温下具有性能优势，即直流增益在低温下不降反升。大......
对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究.结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明......
为了使运算放大器获得更大的带宽和相位裕度，本文采用带缓冲输出级的跨导型折叠差分结构，通过在缓冲输出级采用密勒补偿结构，设计了一......
本文在综合运放基础理论和系统特定要求的基础上设计了一个用于双积分ADC的高共模抑制比、低带宽、恒跨导、轨到轨的运算放大器.在......
本文比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益的变化.在Vbe≤0.5 V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的d(β)反而为负,在Vbe≥0......
直流增益是表征数字示波器基本性能的最为重要的技术指标之一,本文结合具体实例给出了该项参数示值误差测量结果的不确定度评定过......
成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP/InGaAs单异质结双极晶体管(SHBT).该器件的发射极尺寸为2×13μm2:共射极直流增益β=1......
人们早就知道,晶体管的基极—发射极正向电压随着温度的增加而减少。这种性质,从晶体管发明以来,就有人尝试用它来制作温度敏感器......
本文介绍一种多晶发射极微波功率SiGe/Si HBT.该器件采用清华大学微电子学研究所拥有自主知识产权的SGE500 UVC/CVD设备,外延均匀G......
本文阐述了运算放大器带宽增益对Sallen-Key RC有源低通滤波器性能的影响,提出了一种补偿这些影响的方法。采用此方法后,可以明显......
用HPO:HO系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×......
