量子点结构相关论文
新墨西哥州Los Alamos国家实验室的Victor Kliinov小组发现从Ⅱ—型胶状半导体纳米晶体中产生放大自发辐射。这种纳米晶体为核一壳......
近20年来,电子元器件的微型化不断取得进展。譬如,典型集成电路所用元器件的几何尺寸已从10微米减少到1微米以下,这不仅大大改善......
本文综述了微电子技术向纳米空间（＝１０－９米）的进展所必将引起的一系列新的变化及其在半导体领域中蕴酿的一场技术革命，同时还论述了这一场技......
本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子......
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点......
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温......
用ＰＥＣＶＤ法在Ｓｉ衬底上沉积了纳米硅（ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ）薄膜，其室温暗电导可达１０－３～１０－１Ω－１ｃｍ－１，高于本征单晶硅的电导，将其制成遂道二极管，其Ｉ－Ｖ曲线在７７Ｋ呈现出量子台阶，对这一新颖物理......
本文利用在ＧａＡｓ（１００）衬底上自组织生长超薄层ＩｎＡｓ的方法得到了ＩｎＡｓ量子点结构．当ＩｎＡｓ的覆盖度小于１．７ＭＬ（Ｍｏｎｏ－Ｌａｙｅｒ）时，ＩｎＡｓ层仍保持二维生长模式，而当ＩｎＡｓ的覆盖度大于１．７ＭＬ时，ＩｎＡｓ层将会成岛生......
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子......
使用超高真空PECVD薄膜沉积系统制备的纳米桂薄膜（nc－Si：H）具有高电导特性。为了探讨其导电机制，先使用K．Yoshida早期提出的两相无序结构......
硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向。这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体材料具有......
用纳米硅薄膜制成了共振隧穿量子点二极管，在77K温度下对其I－V特性进行了测量，得到了具有共振隧穿特征的实验结果。对实验结果分析表......
采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增......
针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器），包括量子阱、量子线和量子点结构，给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈......
介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量子点的均匀性，从理论上给出量子点的尺寸分......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向......
报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行......
用纳米硅（ｎｃＳｉ∶Ｈ）薄膜制成了隧道二极管，并在其ＩＶ曲线上发现了不连续的量子化台阶．二极管的ＩＶ曲线可分成二部分：（１）０—７Ｖ，电流随外加电压增大而增......
研究了不同In组分的InxGa1-xAs(0≤x≤ 0 3)覆盖层对自组织InAs量子点的结构及发光特性的影响 .透射电子显微镜和原子力显微镜表......
研究了GaSb/GaAs复合应力缓冲层上自组装生长的InAs量子点.在2MLGaSb/1MLGaAs复合应力缓冲层上获得了高密度的、沿[100]方向择优分......
我们利用单杂质Anderson模型及运动方程等理论,通过求解格林函数的方法研究了通过T型量子点结构(耦合于铁磁电极和介观环量子点结......
利用金属有机化合物气相沉积设备生长了不同盖层结构的InAs/GaAs量子点,采用原子力显微镜和光致发光光谱仪对量子点的结构和光学性......
量子点作为新型荧光材料广泛应用于分子识别研究,其表面功能化修饰能有效改善它在分子识别中的选择性和灵敏度。本文以功能化基团......
该文报道氧气、氮气或空气等不同氛围中用纳秒脉冲激光在硅基上加工生成量子点结构,发现这些样品在700 nm波长附近均有增强的光致......
考虑应变,在有效质量、有限高势垒近似下,变分研究了纤锌矿GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中类氢施主杂质态结合能随流体静压力、杂......
由于材料弹性的各向异性与表面能的各向异性,不同的生长方向或生长面,量子点有不同的力学性能与行为.本文基于各向异性弹性理论的......
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料......
量子点半导体光放大器(QDSOA)具有更小的载流子恢复时间和更高的放大带宽,是光信息处理的理想器件。利用QDSOA三能级电子跃迁速率......
量子点又称为纳米晶,是一种由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族元素组成的纳米颗粒(粒径1～10nm),由于电子和空穴的量子限域效应,连续的能带结构变成......
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其......
量子计算是半导体芯片尺寸突破经典物理极限的必然产物,是后摩尔时代具有标志性的技术.利用半导体量子点中电子的量子特性编码量子......
中间能带太阳能电池以其63.2％的高理论效率1得到广泛关注.周期性的量子点结构可在材料的导带和价带之间引入一个中间能带，大大拓......
自组织生长的量子点结构及其光学特性汪兆平韩和相李国华（半导体超晶格国家重点实验室，中国科学院半导体研究所北京１０００８３）ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔｓＧｒｏｗｎｂｙａＳｅｌｆ┐ＯｒｇａｎｉｚｅｄＭｅｔｈｏｄａｎｄＴｈｅｉｒＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓ...
QuantumDo......
基于对实验和理论的分析，提出一种异质结量子点隧穿（ＨＱＤ）模型，并导出了纳米硅薄膜电导率完整的表达式．其主要思想是，纳米硅薄膜中的微晶粒（几......
３．４ 横向周期结构薄膜制备工艺的不断发展，目前已能制备几个原子层厚度的超薄结构，因此人们越来越关注这些低维结构中的量子限制效应，如......
报道利用低压金属有机化学气相沉积（LP－MOCVD）技术在（001）InP衬底上生长InAs自组装量子点的结果，用光致发光技术观察到较强的室温光荧光......
报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×......
随着上海世博会的临近，有关世博会的报道竞相走入人们的视野，而其中报道最多、宣传力度最大的就是作为中国迄今建成的首座零碳排放公......
半导体超晶物理与器件（１８）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）二、量子线与量子点晶体管量子线与量子点是一类典型的纳米半导体结构。由于......
多层InGaN量子点作为有源区是解决绿光发光二极管(LED)量子效率低的有效手段，而GaN盖层对于多层InGaN量子点的外延生长有非常重......
