硅锗合金相关论文
采用电磁熔配法制备了掺杂B（含量分别为0.5%、1%、1.5%、2%,均为原子百分数，下同）的P型硅锗合金热电半导体材料，根据对样品的物相分析......
以一定化学计量比均匀混合的Si、Ge、B混合粉末为原材料,使用放电等离子烧结（SPS）一步法合金化制备了p型Si80Ge20Bx（x=0.5,1.0,2.0）合......
硅元素及其化合物在现代工业中起着不可或缺的作用,现已经被广泛应用到了各个相关领域中。本文采用原子掺杂的方法,寻找新型的硅同......
硅基薄膜太阳电池技术的研发和生产在近十年来取得了显著的进步,本文简要介绍了硅基薄膜光伏技术,对目前的非晶硅及硅锗合金太阳电......
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨......
近年来,硅基薄膜电池以其原材料储量丰富、无毒无污染、工艺简单等优势,在光伏市场的占有份额逐渐增大,然而其固有的光致衰减较大......
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热电材料利用塞贝克效应和帕尔贴效应可实现热能与电能的直接相互转换，在清洁能源、特殊电源及制冷等领域具有广阔的应用前景。硅锗......
热电材料在缓解环境危机和提高能源利用率方面具有广阔的应用前景，引起了新能源材料领域研究者的高度重视。如何实现电热输运性质的......
该文采用了RBS/Channeling、HRXRD、Raman、SIMS和XPS等多种实验表征技术对SiGe合金初始阶段的氧化、高温氧化及离子注入掺杂过程......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着......
采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究了微尺度下硅锗合金的热导率变化情况.结果表明,硅锗合金热导率具有明显的尺寸效应,显著小于......
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布,Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况.重新拟合了价带有......
采用激光辐照的方法在硅锗薄膜样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状的纳米结构．用荧光光谱仪测其光致荧光......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率......
我们将SiGe合金在干氧吹气环境下以不同的温度和不同的时值进行氧化处理，用卢摄福散射仪RBS和高精度椭偏仪HP-ESM测量样品，获得10～80n......
采用强激光辐照硅锗合金，然后高温氧化的方法，在样品表面生成微米级小孔，用高精度扫描电镜观察孔内结构，发现片状纳米结构的存在。用荧......
采用高温氧化（800℃）和激光辐照低温氧化（300℃）的方法以及用激光直接辐照方法,在硅锗合金薄膜上生成锗纳晶。这两种方法所生成的锗纳......
硅锗合金是一种无限互溶的固溶体,它可以通过精确改变组分的含量来获得。国内外对硅锗材料在微光电子的研究已有报道,但对其热学性......
计算了应变Ｓｉ１－ｘＧｅ层的本征载流子浓度及导带和价带有效态密度。用解析方法研究了它们与Ｇｅ组分ｘ和温度Ｔ的依赖关系。发现随Ｇｅ组分ｘ的增加，导带和价......
采用解析的方法计算了少数载流子浓度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系。发现常温时,在同一掺杂浓度下,少子浓度随Ge组分的增......
针对Si/SiGe pMOSFET器件结构求解泊松方程,同时考虑器件尺寸减小所致的物理效应,如漏致势垒降低（DIBL）效应、短沟道效应（SCE）和速度过......
在硅锗合金氧化层中发现锗纳米表层结构,并分析了其时应的PL谱结构.提出相对应的量子受限模型计算公式和算法,理论分析结果与实验......
介绍了对ＳｉＧｅ／Ｓｉ材料干法，湿计腐蚀的机理，腐蚀方法，影响腐蚀的主要因素，以及其在制造异１质结晶体管中的应用。......
在４．２－５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ１－ｘ－Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼......
介绍了提高硅发光效率的一些途径，关阐述硅锗合金的发光的基础上，分析了硅锗量子阱的光致发光机理及特性，并介绍了硅锗量子阱电致发光......
本文通过拚射及透射谱测量,利用关系式(1-R)/T 和(1+R)T 代替参量 R 和 T 的办法,计算a-SiGe_x∶H 合金的光学常数(折射率 n,消光......
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中P型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系．发现常温时，在同一Ge组分下，随着掺杂......
本文使用快速热处理超计ＣＶＤ方法，通过分解ＳｉＨ４及ＧｅＨ４气体生长ＳｉＧｅ合金层。俄歇电子能谱被用业检测ＳｉＧｅ合金层的厚度。实验发现：随着生长温度的升高，ＳｉＧｅ合金中......
采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于......
利用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）、Ｘ光电子谱和俄歇电子能谱分析，研究了Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５合金在１０００℃下湿氧化所生成的氧化物的特征。结果表明：这种氧化物为双层结构。靠......
我们在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和三维的纳米结构样品，用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辨率扫......
本文报道了４．２￣３００Ｋ温度范围的富含Ｓｉ的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ合金的晶格振动红外透射光谱。实验首次观察到Ｇｅ杂质诱发的一个新的共振模吸收。结果还表明，直接法生长的......
在硅锗合金衬底上采用氧化等制膜方式生成零维和二维的纳米结构样品,用高精度椭偏仪(HPE)、卢瑟福背散射谱仪(RBS)和高分辩率扫描......
大剂量(4×10^16cm^-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中，并结合随后的1080C快速热处理(RTP)以形成Si／SiGe异质结构．用卢......
采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布，Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建电场的变化情况。重新拟合了价带有......
首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验......
In order to discuss the application possibility of SiGe crystal in thermoelectric materials,we investigated the thermoel......
采用感应熔炼、球磨与放电等离子烧结的方法制备了SiC第二相均匀分布的Si（80）Ge（20）B（0.6）-SiC纳米复合热电材料。系统研究了细化Si（80）Ge（2......
Si Ge（硅锗合金）Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体......
应用“掺杂工程”和“带隙工程”各自的特点，设计了一种独特的基区双向高速输运的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ层结构，并利用此结构在３μｍ工艺线上做出了性能良好的......
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆＴ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ同时根据不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆＴ的重要因素之......
